封装结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种封装结构及其制备方法，其中该封装结构包括：基板；至少一发光二极管，以共晶方式设置于基板上；以及至少一齐纳二极管，通过至少一银胶设置于基板上。本发明专利技术提供的制备方法，包括：提供基板；进行共晶接合制程，用以将至少一发光二极管设置于基板上；以及在常温下进行银胶接合制程，用以将至少一齐纳二极管设置于基板上，从而通过以银胶将齐纳二极管接合于基板上，可在常温下将齐纳二极管设置于基板上，节省了成本与时间，并且避免损伤二极管或发光二极管。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术提供一种，特别是有关于一种发光二极管及齐纳二极管的。
技术介绍
在面临全球能源短缺、高油价、及高电费的时代来临，并为响应政府节约能源及节能减碳的政策下，省电的照明技术已成为开发主流，大量的技术开发者已着手开发可替换现有发光源，且具低消耗能量的替代产品。其中，发光二极管(Light emitting d1de，简称LED)的照明技术，已成为目前替代发光源中最具潜力的发展商品。LED具有体积小、寿命长、耗电量小等优势，因此普遍的应用于3C产品指示器与显示装置。有鉴于此，为提高市场上的竞争力，LED相关产业无不汲汲追求如何提高生产良率并降低生产成本，以提高自身优势。为提高LED的效率，常见通过与LED并联连接一具有稳压功能的齐纳二极管(Zener d1de)来保护 LED 免受静电放电(Electro-Static discharge，简称 ESD)或其它高压瞬时信号。齐纳二极管运作于反向电压时，可稳定提供反向崩溃电压，是一种具有稳定电压功能的电子元件。若跨LED的反向电压高于齐纳二极管的反向崩溃电压，则电流将流经通过齐纳二极管至电源而保护LED。现今常用共晶接合(eutectic bonding)的方式，在一定的高温及高压下，将LED及齐纳二极管接合设置于基板上。然而，若是采用共晶接合方式将齐纳二极管及LED设置于基板上，则势必要重复加温其中之一元件(例如齐纳二极管或LED)，则可能会因为制程时的高温使得齐纳二极管或LED受到损伤，而影响LED或齐纳二极管的功能。
技术实现思路
有鉴于上述现有技术的问题，本专利技术的目的就是提供一种，以解决齐纳二极管或发光二极管受高温而损伤，进而影响齐纳二极管或发光二极管功能的问题。为达前述目的，本专利技术提出一种封装结构，至少包括:基板；至少一发光二极管，以共晶方式设置于基板上；以及至少一齐纳二极管，通过至少一银胶设置于基板上。其中，齐纳二极管的第一衬垫及第二衬垫都通过银胶设置于基板上并电性连接于基板。其中，齐纳二极管的第一衬垫及第二衬垫的材质选自于由锡(Sn)、金锡(AuSn)、银锡(AgSn)、金(Au)及铝(Al)所组成的族群。其中，齐纳二极管的第一衬垫及第二衬垫的厚度分别介于80微米至170微米之间。其中，基板上还设置有至少一电性线路，且发光二极管与齐纳二极管通过此电性线路而并联连接。其中，银胶的厚度介于5微米至85微米之间。其中，银胶的粘度介于7000至17000厘泊(centipoise，简称cp)之间。其中，银胶由银及一胶体所构成，且银及胶体占银胶的重量比例分别介于40 %至90 %之间。 其中，齐纳二极管在常温下通过银胶而设置于基板上。此外，本专利技术还提出一种封装结构的制备方法，至少包括:提供基板；进行共晶接合制程，用以将至少一发光二极管设置于基板上；以及在常温下进行银胶接合制程，用以将至少一齐纳二极管设置于基板上。承上所述，依本专利技术的，其可具有一或多个下述优点:(I)本专利技术的，通过以银胶将齐纳二极管接合于基板上，可在常温下将齐纳二极管设置于基板上，节省成本与时间。(2)本专利技术的，可解决现有采用共晶接合方式会有重复加温加压的问题产生，进而避免损伤二极管或发光二极管。【附图说明】图1为本专利技术的封装结构的上视图；图2为图1中沿剖面线T-T’所得的齐纳二极管设置于基板上的剖面示意图；图3为本专利技术的封装结构中发光二极管与齐纳二极管于基板上并联连接的示意图；图4为本专利技术的封装结构的制备方法的步骤流程图。附图标记说明:100:封装结构；10:基板；20:发光二极管；30:齐纳二极管；40:银胶；32:第一衬垫；34:第二衬垫；L:电性线路；T-T ’:剖面线；S10、S20、S30:步骤。【具体实施方式】 请同时参阅图1及图2，图1为本专利技术的封装结构的上视图。如图1所示，本专利技术的封装结构100至少包括基板10、至少一发光二极管20以及至少一齐纳二极管30。发光二极管20是以共晶方式设置于基板10上。上述共晶方式为本专利技术所属
中具有通常知识者所熟知，故在本说明书中不再赘述。请再接着参阅图2，图2为图1中沿剖面线T-T’所得的齐纳二极管设置于基板上的剖面示意图。如图2所示，齐纳二极管30的第一衬垫32及第二衬垫34可例如通过银胶40而设置于基板10上并电性连接于基板10。其中，齐纳二极管30的第一衬垫32例如是一 N型衬垫，第二衬垫34例如是一 P型衬垫，但不限定于此。第一衬垫32及第二衬垫34的材质可例如选自于由锡、金锡、银锡、金及铝所组成的族群。其中，齐纳二极管30的第一衬垫32及第二衬垫34的材质较佳为金，当选用金作为齐纳二极管30的第一衬垫32及第二衬垫34的材质时，可与银胶40达到较良好的接合效果。此外，齐纳二极管30的第一衬垫32及第二衬垫34的厚度可例如分别介于80微米至170微米之间，但不限定于此。银胶40的厚度可例如介于5微米至85微米之间，但不限定于此。由于本专利技术是通过银胶40而将齐纳二极管30设置于基板10上，因此，齐纳二极管30的第一衬垫32及第二衬垫34的厚度可较一般采用共晶接合方式为薄，可减低制程成本。并且，银胶40的厚度也可较一般以银胶接合电子元件方式为薄，可降低当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装结构，其特征在于，至少包括：一基板；至少一发光二极管，以共晶方式设置于所述基板上；以及至少一齐纳二极管，通过至少一银胶设置于所述基板上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：许寿文，林育锋，刘丞彬，蔡泰成，洪钦华，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71