本发明专利技术提供切割带一体型半导体背面用薄膜以及半导体装置的制造方法，所述切割带一体型半导体背面用薄膜能够抑制在切割带的粘合剂层上形成的倒装芯片型半导体背面用薄膜中含有的着色剂向切割带移动。一种切割带一体型半导体背面用薄膜，其特征在于，具备：具有基材和在基材上形成的粘合剂层的切割带、以及在切割带的粘合剂层上形成的倒装芯片型半导体背面用薄膜，倒装芯片型半导体背面用薄膜含有着色剂，着色剂在23℃下对甲苯的溶解度为2g/100ml以下。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
近年来，更进一步要求半导体装置及其封装体的薄型化、小型化。因此，作为半导 体装置及其封装体，半导体芯片等半导体元件被倒装芯片连接在基板上的倒装芯片型的半 导体装置得到广泛利用。该倒装芯片连接以半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对 的形态进行固定。这种半导体装置等有时通过倒装芯片型半导体背面用薄膜保护半导体芯 片的背面，防止半导体芯片的损伤等。 该倒装芯片型半导体背面用薄膜上有时会对半导体芯片的识别编号等各种信息 (例如文字信息、图形信息）进行激光标记。因此，倒装芯片型半导体背面用薄膜中添加有 着色剂。 迄今，存在将这种倒装芯片型半导体背面用薄膜贴合在切割带上制成一体型的切 割带一体型半导体背面用薄膜（例如参见专利文献1)。 现有抟术f献 专利f献 专利文献1 :日本特许第5456440号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题 然而，在切割带一体型半导体背面用薄膜中，存在有时由于在倒装芯片型半导体 背面用薄膜上贴合晶圆时的加热等，倒装芯片型半导体背面用薄膜中的着色剂会向切割带 移动的问题。尤其，在保持切割带一体型半导体背面用薄膜原样的状态下从切割带侧照射 激光进行对倒装芯片型半导体背面用薄膜的激光标记时，存在激光被移动至切割带的着色 剂遮蔽，激光无法到达倒装芯片型半导体背面用薄膜，无法适宜地进行激光标记的问题。 用于解决问题的方案 本申请专利技术人等为了解决前述问题而对切割带一体型半导体背面用薄膜进行了 研究。结果发现，通过采用下述方案，能够抑制倒装芯片型半导体背面用薄膜中含有的着色 剂向切割带移动，从而完成了本专利技术。 S卩，本专利技术的切割带一体型半导体背面用薄膜的特征在于，具备： 具有基材和在前述基材上形成的粘合剂层的切割带、以及 在前述切割带的前述粘合剂层上形成的倒装芯片型半导体背面用薄膜， 前述倒装芯片型半导体背面用薄膜含有着色剂， 前述着色剂在23°C下对甲苯的溶解度为2g/100ml以下。 倒装芯片型半导体背面用薄膜由于设置在放热的半导体元件的背面而需要具有 耐热性。因此，倒装芯片型半导体背面用薄膜由用于赋予耐热性的材料构成，通常，用于赋 予耐热性的材料的极性高。而切割带的粘合剂层由于不要求耐热性，因此不需要含有用于 赋予耐热性的材料，通常极性低。 在此，甲苯是极性较低溶剂。即，可以说对甲苯的溶解度低的着色剂的极性较高。 本专利技术使极性高的倒装芯片型半导体背面用薄膜中含有对甲苯的23°C下的溶解 度为2g/100ml以下这样极性较高的着色剂。结果，能够使着色剂留在倒装芯片型半导体背 面用薄膜内，抑制其向粘合剂层移动。 在前述方案中，优选的是，前述着色剂具有蒽醌骨架。通常，具有多个苯环的分子 由于分子彼此的重叠而导致对溶剂的溶解性降低。蒽醌骨架由于为环己烷被2个苯环夹在 中间的结构，因此与酞菁等颜料相比，溶剂会适度进入到分子间。结果，能够维持对溶剂的 溶解性。另一方面，由于对甲苯的溶解度低，因此能够抑制向粘合剂层移动。即，具有蒽醌 骨架的着色剂在对溶剂的溶解性与抑制向粘合剂层的移动上均衡性优异。这由实施例可以 看出。 在前述方案中，优选的是，前述倒装芯片型半导体背面用薄膜的表面自由能El与 前述粘合剂层的表面自由能E2之差（E1-E2)为lOmJ/m2以上。 前述差（E1-E2)为lOmJ/m2以上时，能够更适宜地抑制着色剂向粘合剂层移动。 此外，本专利技术的半导体装置的制造方法的特征在于，其是使用前面所述的切割带 一体型半导体背面用薄膜制造半导体装置的方法，该方法包括以下工序： 工序A，在前述切割带一体型半导体背面用薄膜的倒装芯片型半导体背面用薄膜 上粘贴半导体晶圆； 工序B，在前述工序A之后，从切割带侧对前述倒装芯片型半导体背面用薄膜进行 激光标记； 工序C，对前述半导体晶圆进行切割从而形成半导体元件； 工序D，将前述半导体元件与前述倒装芯片型半导体背面用薄膜一起从前述粘合 剂层剥离； 工序E，将前述半导体元件倒装芯片连接到被粘物上。 根据前述方案，会抑制倒装芯片型半导体背面用薄膜内的着色剂向粘合剂层移 动。因此，在进行激光标记的工序B中，不容易发生激光被粘合剂层遮蔽、激光无法到达倒 装芯片型半导体背面用薄膜的情况。结果，可得到倒装芯片型半导体背面用薄膜适宜地进 行了激光标记的半导体装置。【附图说明】图1是示出本专利技术的一个实施方式的切割带一体型半导体背面用薄膜的一个例 子的剖面示意图。 图2的（a)~图2的（e)是示出使用本专利技术的一个实施方式的切割带一体型半导 体背面用薄膜的半导体装置的制造方法的一个例子的剖面示意图。 附图标iP,说明1切割带一体型半导体背面用薄膜 2切割带 21基材 22粘合剂层 23对应于半导体晶圆的粘贴部分的部分 40半导体背面用薄膜（倒装芯片型半导体背面用薄膜） 4半导体晶圆 5半导体芯片 51在半导体芯片5的电路面侧形成的凸块 6被粘物 61被粘在被粘物6的连接焊盘上的接合用的导电材料【具体实施方式】(切割带一体型半导体背面用薄膜） 以下参照附图对本专利技术的一个实施方式的切割带一体型半导体背面用薄膜进行 说明。图1是示出本专利技术的一个实施方式的切割带一体型半导体背面用薄膜的一个例子的 剖面示意图。如图1所示，切割带一体型半导体背面用薄膜1为具备在基材21上设置有粘 合剂层22的切割带2以及倒装芯片型半导体背面用薄膜40 (以下也称为"半导体背面用薄 膜40"）的构成。此外，本专利技术的切割带一体型半导体背面用薄膜如图1所示，可以是在切 割带2的粘合剂层22上仅在对应于半导体晶圆的粘贴部分的部分23形成有倒装芯片型半 导体背面用薄膜40的构成，也可以是在粘合剂层的整面形成有半导体背面用薄膜的构成， 此外，还可以是在大于对应于半导体晶圆的粘贴部分的部分且小于粘合剂层的整面的部分 形成有半导体背面用薄膜的构成。另外，半导体背面用薄膜的表面（会粘贴到晶圆的背面 的一侧的表面）可以在直到粘贴于晶圆背面的期间内被隔离体等保护。(倒装芯片型半导体背面用薄膜）倒装芯片型半导体背面用薄膜40 (半导体背面用薄膜40)优选含有热固性树脂和 热塑性树脂来形成。作为前述热塑性树脂，例如可列举出：天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡 胶、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯_丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树 月旨、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6-尼龙、6, 6-尼龙等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙 烯酸类树脂、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯）、PBT(聚对苯二甲酸丁二醇酯）等饱和聚酯树 月旨、聚酰胺酰亚胺树脂、或氟树脂等。热塑性树脂可以单独使用或组合使用2种以上。这些 热塑性树脂当中，特别优选离子性杂质少、耐热性高、能够确保半导体元件的可靠性的丙烯 酸类树脂。作为前述丙烯酸类树脂，并没有特别限定，可列举出以具有碳数30以下（优选为 碳数4~18,进一步优选为碳数6~10,特别优选为碳数8或9)的直链或支链的烷基的丙 烯酸或甲基丙烯酸的酯的1种或2种以上作为成分的聚合物等。即，本专利技术中，丙烯酸类树 脂表示还包括甲基丙烯酸类树脂的广义含义。作为前述烷基，例如可列举出：甲基、乙基、 正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、正戊基、异戊基、己基、庚基、本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种切割带一体型半导体背面用薄膜，其特征在于，具备：具有基材和在所述基材上形成的粘合剂层的切割带、以及在所述切割带的所述粘合剂层上形成的倒装芯片型半导体背面用薄膜，所述倒装芯片型半导体背面用薄膜含有着色剂，所述着色剂在23℃下对甲苯的溶解度为2g/100ml以下。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：高本尚英，花园博行，福井章洋，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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