具有低反射黑底的平板显示器及其制造方法技术

技术编号:12394297 阅读:140 留言:0更新日期:2015-11-26 01:35
本公开涉及具有低反射黑底的平板显示器及其制造方法。本公开提出一种平板显示器,该平板显示器包括:基板,其具有开放区和非开放区;模糊层,其设置在所述基板的内表面上的所述非开放区内;黑底,其堆叠在所述模糊层上;驱动元件,其位于所述非开放区内;显示元件,其位于所述开放区内并被所述驱动元件驱动。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】 本申请要求2014年5月22日提交的韩国专利申请No. 10-2014-0061756号的优 先权,该申请出于所有目的以引用方式并入本文,如同在本文中完全阐明。
本公开涉及。尤其是,本公开涉及具 有黑底的平板显示器及其制造方法,该黑底包含模糊层(hazy layer)以防从外部入射的光 被直接反射到用户。
技术介绍
现在,为了克服阴极射线管的众多缺点(诸如,重重量和大体积),开发了各种平 板显示装置。平板显示装置包括液晶显示装置(或LCD)、场致发射显示器(或FED)、等离 子体显示面板(或TOP)及电致发光装置(或EL)。尤其是,日益需要采用低温多晶硅(或 LTPS)作为沟道器件的高品质平板显示器。 电致发光显示装置按照发光材料分为无机发光二极管显示装置和有机发光二极 管显示装置。作为自发光显示装置,电致显示装置具有反应速度很快、亮度很高及视角大的 优点。尤其是,由于高能效、低电流泄漏并易于使用电流控制再现颜色,日益需要有机发光 二极管显示器。 图1是示出有机发光二极管结构的图示。如图1中所示,有机发光二极管包括有 机发光材料层,以及其间带有有机发光材料层的、相互面对的阴极和阳极。有机发光材料层 包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和电子注入层EIL。有 机发光二极管由于在激发态形成的激发子的能量而辐射光,在所述激发态下,空穴和电子 在发光层EML中复合。 有机发光二极管由于在激发态形成的激发子的能量而辐射光,在所述激发态下, 来自阳极的空穴和来自阴极的电子在在发光层EML中复合。有机发光二极管显示器能够通 过控制如图1中所示有机发光二极管的发光层EML所产生和辐射的光的量(或"亮度")而 表现视频数据。 使用有机发光二极管的有机发光二极管显示器(或0LED)可以分为无源矩阵型有 机发光二极管显示器(或PM0LED)和有源矩阵型有机发光二极管显示器(或AM0LED)。 有源矩阵型有机发光二极管显示器(或AM0LED)通过使用薄膜晶体管(或TFT) 控制施加到有机发光二极管的电流来显示视频数据。 图2是示出有源矩阵有机发光二极管显示器(或AM0LED)内一个像素的结构的示 例性电路图。图3是示出根据相关技术使用薄膜晶体管的AMOLED的结构的平面图。图4是 沿图3中截线1-1'的剖视图,用于示出根据相关技术的底部发光型AMOLED的结构。图5 是沿图3中截线1-1'的剖视图,用于示出根据相关技术的顶部发光型AMOLED的结构。因 为平面图中并未示出底部发光型和顶部发光型之间的差异,所以图3是通用的。 参照图2和3,有源矩阵有机发光二极管显示器包括开关薄膜晶体管ST、连接到 开关薄膜晶体管ST的驱动薄膜晶体管DT、连接到驱动薄膜晶体管DT的有机发光二极管 OLED。扫描线SL、数据线DL和驱动电流线VDD形成在基板SUB上以限定像素区。有机发光 二极管OLED形成在像素区内以限定发光区。 开关薄膜晶体管ST形成在扫描线SL和数据线DL交叉的位置。开关薄膜晶体管 ST起到选择哪个像素连接到开关薄膜晶体管ST的作用。开关薄膜晶体管ST包括从选通线 GL分支的栅极SG、与栅极SG重叠的半导体沟道层SA、源极SS和漏极SD。驱动薄膜晶体管 DT起到驱动位于开关薄膜晶体管ST所选择的像素处的有机发光二极管OD的阳极ANO的作 用。 驱动薄膜晶体管DT包括连接到开关薄膜晶体管ST的漏极SD的栅极DG、半导体沟 道层DA、连接到驱动电流线VDD的源极DS以及漏极DD。驱动薄膜晶体管DT的漏极DD连 接到有机发光二极管OLED的阳极ΑΝ0。有机发光层OLE插入阳极ANO与阴极CAT之间。阴 极CAT连接到基础电压(或,地电压)VSS。有存储电容Cst位于驱动薄膜晶体管DT的栅极 DG和驱动电流线VDD之间或位于驱动薄膜晶体管DT的栅极DG和驱动薄膜晶体管DT的漏 极DD之间。 参照图4,我们将详细解释底部发光型有机发光二极管显示器。在有源矩阵有机 发光二极管显示器的基板SUB上,分别形成开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT的栅 极SG和DG。栅绝缘层GI沉积在栅极SG和DG上。在与栅极SG和DG重叠的栅绝缘层GI 上,分别形成半导体层SA和DA。在半导体层SA和DA上,形成相互面对并相互分离的源极 SS和DS及漏极SD和DD。开关薄膜晶体管ST的漏极SD经由穿透栅绝缘层GI的漏接触孔 DH连接到驱动薄膜晶体管DT的栅极DG。钝化层PAS沉积在具有开关薄膜晶体管ST和驱 动薄膜晶体管DT的基板SUB上。 如上所述,因为有许多元件,所以具有薄膜晶体管ST和DT的基板SUB具有不平坦 的表面和高度差。有机发光层OL可优选地形成在平坦表面上,以在有机发光层OL的整个区 域上确保一致的发光分布。因为,为了使基板SUB的表面光滑,涂覆层(over coat layer) OC (或,平面层)沉积在基板SUB上。 在涂覆层OC上,形成有机发光二极管OLE的阳极ANO。这里,阳极ANO经由形成在 涂覆层OC和钝化层PAS处的像素接触孔PH连接到驱动薄膜晶体管DT的漏极DD。 在具有阳极ANO的基板SUB上,堤状物(bank)(或"堤状物图案")形成在具有开 关薄膜晶体管ST、驱动薄膜晶体管DT和各种线DL、SL及VDD的区域上,用于限定发光区。 阳极ANO被堤状物BN暴露的部分将成为发光区。有机发光层OL形成在从堤状物BN暴露 的阳极ANO上。阴极CAT形成在有机发光层OL上。 间隔体SP可位于具有阴极CAT的基板SUB上。优选地,间隔体SP位于包括在非 发光区内的堤状物BM上。密封(encap)基板ENC覆盖并层合在下基板SUB的上侧,使间隔 体SP在其间。为了连接密封基板ENC和下基板SUB,可在它们之间插入粘合剂层或粘合剂 材料(未示出)。 在底部发光型且全彩色的AMOLED的情况下,从有机发光层OL发射的光向下基板 SUB辐射。因此,优选地,滤色器CF位于涂覆层OC和钝化层PAS之间,而阳极ANO由透明导 电材料制成。另外,优选地,阴极CAT包括具有良好反射属性的金属材料,用于将来自有机 发光层OL的光朝下基板SUB反射。另外,有机发光层OL可包括产生白光的有机材料。有 机发光层OL和阴极CAT可沉积为覆盖下基板SUB的整个表面。 下文中,参照图5,将说明顶部发光型全彩有机发光二极管显示器。基本结构与底 部发光型非常相似。因此,关于相同结构的说明可不再提及。对于顶部发光型的情况,来自 有机发光层OL的光朝位于下基板SUB上的密封基板ENC辐射。因此,优选地,阳极ANO具 有良好的反射属性,阴极CAT由透明导电材料制成。 为了重现/表现全彩色,每个像素内的有机发光层OL可包括位于每个像素内的红 色、绿色和蓝色中的任一颜色。阴极CAT可沉积为覆盖下基板SUB的整个表面。否则,有机 发光层OL可包括产生白光的有机材料,滤色器CF可以位于有机发光层OL上或阴极CAT上。 这里,方便起见,附图示出滤色器CF位于阴极CAT上。滤色器当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种平板显示器,该平板显示器包括:基板,其具有开放区和非开放区;模糊层,其设置在所述基板的内表面上的所述非开放区内;黑底,其堆叠在所述模糊层上;驱动元件,其位于所述非开放区内;以及显示元件,其位于所述开放区内并被所述驱动元件驱动。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:李振福金容一李恩惠
申请(专利权)人:乐金显示有限公司
类型:发明
国别省市:韩国;KR

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1