【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例是有关于一种电子电路。特别是,本专利技术的实施态样有关于一种在集成电路应用上的一种电性可重置式保险丝装置的电路及系统。
技术介绍
在电子电路中,保险丝是一低阻抗的电阻器,用来提供过电流保护。过电流的成因可能有短路、过载、不匹配负载或装置故障等。传统的保险丝通常是金属线,在电流过大时会熔化,以中断与其连接的电路,从而进一步防止过热或火源所造成的伤害。过电流保护装置在电子系统中是不可或缺的,以减少对人类生命的威胁及资产损害。在集成电路(integratedcircuit,IC)应用上,保险丝或反熔丝(anti-fuse)装置都可用来作为电路设计中的选项。例如,金属保险丝可以被激光所断开。在其他情况下,高电压可以用来崩溃金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal,MIM)的结构以建立导通路径。大多数的传统保险丝在过电流保护上都是一次性或不可重置的装置,一旦被使用或烧断后就必须再进行更换。另一方面,传统的自重置(self-resetting)保险丝是使用热塑性传导材料的热敏电阻,借着增加装置的电阻值以防止电路处于过电流情况,这种热敏电阻在当没有电流时,装置会冷却并回复到低电阻而自重置。这类装置通常用于不方便做更换的航空或核能的应用,或者用于电脑主机板,以至于短路的鼠标或键盘不会造成主机板的损害。
技术实现思路
依据本专利技术的一实施例,一种集成电路被提出,其包括一电性可重置保险丝装 ...
【技术保护点】
一种集成电路,其特征在于,包括一电性可重置保险丝装置,所述电性可重置保险丝装置包括:多个可重置保险丝模块,并联耦接,各所述可重置保险丝模块包括一保险丝元件,其特性取决于一第一阻抗状态及一第二阻抗状态,所述多个可重置保险丝模块经组态以至于:当所述保险丝元件为所述第一阻抗状态,且在一第一方向上流过各所述保险丝元件的一电流超过一电流界限时,所述保险丝元件进入所述第二阻抗状态;以及当所述保险丝元件为所述第二阻抗状态,且响应于一全时重置信号及一分时重置信号,在相反于所述第一方向的一第二方向上施加一电流至所述保险丝元件时,所述保险丝元件被重置至所述第一阻抗状态。
【技术特征摘要】
2014.05.23 US 14/286,9411.一种集成电路,其特征在于,包括一电性可重置保险丝装置,所述电性可重
置保险丝装置包括:
多个可重置保险丝模块,并联耦接,各所述可重置保险丝模块包括一保险丝元件,
其特性取决于一第一阻抗状态及一第二阻抗状态,所述多个可重置保险丝模块经组态
以至于:
当所述保险丝元件为所述第一阻抗状态,且在一第一方向上流过各所述保险丝元
件的一电流超过一电流界限时,所述保险丝元件进入所述第二阻抗状态;以及
当所述保险丝元件为所述第二阻抗状态,且响应于一全时重置信号及一分时重置
信号,在相反于所述第一方向的一第二方向上施加一电流至所述保险丝元件时,所述
保险丝元件被重置至所述第一阻抗状态。
2.如权利要求1所述的集成电路,其特征在于,所述电性可重置保险丝装置经
组态以至于:
当各所述保险丝元件为所述第一阻抗状态,所述电性可重置保险丝装置的特性取
决于低于一预定低阻抗值的一阻抗;以及
当各所述保险丝元件为所述第二阻抗状态,所述电性可重置保险丝装置的特性取
决于高于一预定高阻抗值的一阻抗。
3.如权利要求1所述的集成电路,其特征在于,各所述保险丝元件为一电阻式
随机存取存储器元件。
4.如权利要求1所述的集成电路,其特征在于,各所述保险丝元件为一相变电
阻式元件、一磁电阻式随机存取存储器元件或一导电桥随机存取存储器元件。
5.如权利要求1所述的集成电路,其特征在于,所述电性可重置保险丝装置经
组态以至于所述多个可重置保险丝模块的所述保险丝元件以交错时间序列来重置,从
而降低重置所述电性可重置保险丝装置所需的功率。
6.如权利要求1所述的集成电路,其特征在于,各所述可重置保险丝模块更包
括一第一开关装置、一第二开关装置、一第三开关装置、一第四开关装置,耦接于所
述保险丝元件,其中:
所述第一开关装置、所述保险丝元件以及所述第二开关装置串联耦接,用以提供
\t在所述第一方向上通过所述保险丝元件的一导通路径;以及
所述第三开关装置、所述保险丝元件以及所述第四开关装置串联耦接,用以提供
在所述第二方向上通过所述保险丝元件的一导通路径。
7.如权利要求6所述的集成电路,其特征在于,
所述第一开关装置为一第一N型金属氧化物半导体场效应晶体管;
所述第二开关装置为一第二N型金属氧化物半导体场效应晶体管;
所述第三开关装置为一第一P型金属氧化物半导体场效应晶体管;
所述第四开关装置为一第三N型金属氧化物半导体场效应晶体管。
8.如权利要求7所述的集成电路,其特征在于,
所述第二N型金属氧化物半导体场效应晶体管以及所述第一P型金属氧化物半
导体场效应晶体管耦接至一反向的所述全时重置信号;
所述第一N型金属氧化物半导体场效应晶体管耦接至一反向的所述分时重置信
号;以及
所述第三N型金属氧化物半导体场效应晶体管耦接至所述分时重置信号;
其中各所述可重置保险丝模块的所述分时重置信号为时间交错,从而降低重置所
述电性可重置保险丝装置所需的功率。
9.一种电子电路,其特征在于,包括:
一电路模块,具有一最大电流容忍值;以及
一电性可重置保险丝装置;
其中所述电路模块以及所述电性可重置保险丝装置串联耦接于一正供电轨及一
负供电轨之间;
其中所述电性可重置保险丝装置包括并联耦接的多个可重置保险丝模块,各所述
可重置保险丝模块包括一保险丝元件,其特性取决于一第一阻抗状态及一第二阻抗状
态,所述多个可重置保险丝模块被组态以至于:
当各所述保险丝元件为所述第一阻抗状态,且一电流在一第一方向上流过各所述
保险丝元件时...
【专利技术属性】
技术研发人员:彼得·霍尔兹曼,
申请(专利权)人:新唐科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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