半导体背面用切割带集成膜制造技术

本发明专利技术涉及半导体背面用切割带集成膜。本发明专利技术提供一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层的切割带；和设置于所述压敏粘合剂层上的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述切割带的压敏粘合剂层与所述倒装芯片型半导体背面用膜之间的剥离力(温度：23℃，剥离角：180°，拉伸速率：300mm/min)为0.05N/20mm至1.5N/20mm。

【技术实现步骤摘要】
本申请是申请日为2010年12月24日、申请号为201010621812.X、专利技术名称为“半导体背面用切割带集成膜”的申请的分案申请。
本专利技术涉及半导体背面用切割带集成膜。将倒装芯片型半导体背面用膜用于保护芯片形工件(例如半导体芯片)的背面和增强强度。此外，本专利技术涉及使用半导体背面用切割带集成膜的半导体器件和生产所述器件的方法。
技术介绍
近年来，日益要求半导体器件及其封装的薄型化和小型化。因此，作为半导体器件及其封装，已经广泛地利用其中将半导体芯片(芯片形工件)以该半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的形式固定至基板的那些(即，通过倒装芯片接合生产的半导体芯片，或倒装芯片安装的半导体器件)。在此类半导体器件等中，在一些情况下半导体芯片(芯片形工件)的背面用保护膜保护以抑制半导体芯片损坏(参见，例如，专利文献1至10)。专利文献1：JP-A-2008-166451专利文献2：JP-A-2008-006386专利文献3：JP-A-2007-261035专利文献4：JP-A-2007-250970专利文献5：JP-A-2007-158026专利文献6：JP-A-2004-221169专利文献7：JP-A-2004-214288专利文献8：JP-A-2004-142430专利文献9：JP-A-2004-072108专利文献10：JP-A-2004-063551
技术实现思路
然而，将用于保护半导体芯片背面的背面保护膜粘贴至通过在切割步骤中切割半导体晶片获得的半导体芯片的背面导致增加粘贴步骤，以致步骤的数量增加和成本等增加。此外，由于近年来的薄型化，在切割步骤后的半导体芯片的拾取步骤中，在一些情况下可能损坏半导体芯片。因此，期望增强半导体晶片或半导体芯片直至拾取步骤。考虑到前述问题专利技术本专利技术，其目的在于提供从半导体晶片的切割步骤至半导体芯片的倒装芯片接合步骤均能够利用的半导体背面用切割带集成膜。此外，本专利技术的另一目的在于提供半导体背面用切割带集成膜，其能够在半导体晶片的切割步骤中显示优良的保持力，能够在切割步骤后的拾取步骤中将通过切割形成的半导体芯片与倒装芯片型半导体背面用膜一起以优良的拾取性从切割带的压敏粘合剂层剥离，并且在半导体芯片的倒装芯片接合步骤后能够进一步显示优良的外观性。作为为解决上述常规问题进行深入研究的结果，本专利技术人已发现，当将倒装芯片型半导体背面用膜层压在具有基材和压敏粘合剂层的切割带的压敏粘合剂层上从而以集成形式形成切割带和倒装芯片型半导体背面用膜并且进一步将所述倒装芯片型半导体背面用膜与切割带的压敏粘合剂层之间的剥离力(或粘合力)设定为特定值时，从半导体晶片的切割步骤至半导体芯片的倒装芯片接合步骤均能够利用其中以集成形式形成切割带和倒装芯片型半导体背面用膜的层压体(半导体背面用切割带集成膜)，以及在半导体晶片的切割步骤中能够显示优良的保持力，在切割步骤后的拾取步骤中将通过切割形成的半导体芯片与倒装芯片型半导体背面用膜一起以优良的拾取性从切割带的压敏粘合剂层剥离，并且在半导体芯片的倒装芯片接合步骤后能够显示优良的外观性，由此完成本专利技术。即，本专利技术提供半导体背面用切割带集成膜，其包括：切割带，所述切割带包括基材和形成于所述基材上的压敏粘合剂层；和倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜形成于所述切割带的压敏粘合剂层上，其中所述切割带的压敏粘合剂层与所述倒装芯片型半导体背面用膜之间的剥离力(温度：23℃，剥离角：180°，拉伸速率：300mm/min)为0.05N/20mm至1.5N/20mm。如上所述，根据本专利技术的半导体背面用切割带集成膜以倒装芯片型半导体背面用膜与具有基材和压敏粘合剂层的切割带集成的形式形成，并且切割带的压敏粘合剂层与倒装芯片型半导体背面用膜之间的剥离力(温度：23℃，剥离角：180°，拉伸速率：300mm/min)为0.05N/20mm至1.5N/20mm。因此，在切割晶片(半导体晶片)时通过将半导体背面用切割带集成膜粘贴至工件(半导体晶片)上，能够在保持工件的同时有效地切割工件。此外，在切割工件以形成芯片形工件(半导体芯片)后，所述芯片形工件能够与倒装芯片型半导体背面用膜一起以优良的拾取性从切割带的压敏粘合剂层容易地剥离，以及能够容易地获得背面受到保护的芯片形工件。此外，芯片形工件具有优良的外观性，这是因为倒装芯片型半导体背面用膜以优良的紧密粘合性粘贴至芯片形工件背面。自然，由于芯片形工件具有形成于该背面上的倒装芯片型半导体背面用膜，因此背面标识性是良好的。此外，在根据本专利技术的半导体背面用切割带集成膜中，由于切割带和倒装芯片型半导体背面用膜以如上所述的集成方式形成，因此在切割步骤前当将切割带粘贴至半导体晶片背面时也能够粘贴倒装芯片型半导体背面用膜，因而单独粘贴倒装芯片型半导体背面用膜的步骤(倒装芯片型半导体背面用膜粘贴步骤)不是必需的。此外，在随后的切割步骤和拾取步骤中，由于将倒装芯片型半导体背面用膜粘贴在半导体晶片背面或通过切割形成的半导体芯片背面上，因此能够有效地保护半导体晶片或半导体芯片，因而在切割步骤或随后的步骤(拾取步骤等)中能够抑制或防止半导体芯片的损坏。在本专利技术中，优选将倒装芯片型半导体背面用膜着色。当将倒装芯片型半导体背面用膜着色时，不仅改进激光标识性而且能够容易地将切割带和倒装芯片型半导体背面用膜相互区别，从而能够提高加工性等。此外，倒装芯片型半导体背面用膜优选具有激光标识性。本专利技术的半导体背面用切割带集成膜可适合用于倒装芯片安装的半导体器件。本专利技术还提供生产半导体器件的方法，该方法包括：将工件粘贴至上述半导体背面用切割带集成膜的倒装芯片型半导体背面用膜上，切割所述工件以形成芯片形工件，将芯片形工件与倒装芯片型半导体背面用膜一起从切割带的压敏粘合剂层剥离，和将所述芯片形工件通过倒装芯片接合固定至被粘物。此外，本专利技术进一步提供倒装芯片安装的半导体器件，其使用上述半导体背面用切割带集成膜制造，所述半导体器件包括芯片形工件和粘贴至所述芯片形工件背面的倒装芯片型半导体背面用膜。由于切割带和倒装芯片型半导体背面用膜以集成方式形成以及将切割带的压敏粘合剂层与倒装芯片型半本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：在基材上具有压敏粘合剂层的切割带；和倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜设置于所述压敏粘合剂层上，其中所述切割带的压敏粘合剂层与热固化前的所述倒装芯片型半导体背面用膜之间的剥离力(温度：23℃，剥离角：180°，拉伸速率：300mm/min)为0.05N/20mm至1.5N/20mm，所述倒装芯片型半导体背面用膜的透光率为不大于20％。

【技术特征摘要】
2009.12.24 JP 2009-292769;2010.11.11 JP 2010-253081.一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：
在基材上具有压敏粘合剂层的切割带；和
倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面
用膜设置于所述压敏粘合剂层上，
其中所述切割带的压敏粘合剂层与热固化前的所述倒装芯
片型半导体背面用膜之间的剥离力(温度：23℃，剥离角：180°，
拉伸速率：300mm/min)为0.05N/20mm至1.5N/20mm，
所述倒装芯片型半导体背面用膜的透光率为不大于20％。
2.根据权利要求1所述的半导体背面用切割带集成膜，其
中将所述倒装芯片型半导体背面用膜着色。
3.根据权利要求1或2所述的半导体背面用切割带集成膜，

【专利技术属性】
技术研发人员：高本尚英，松村健，志贺豪士，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP