【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种TFT基板的制作方法及TFT基板。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,简称TFT)是目前液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay,简称LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(ActiveMatrix/OrganicLight-EmittingDiode,简称AMOLED)中的主要驱动元件,直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。薄膜晶体管具有多种结构,制备相应结构的薄膜晶体管的材料也具有多种,低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon,简称LTPS)材料是其中较为优选的一种,由于低温多晶硅的原子规则排列,载流子迁移率高,对电压驱动式的液晶显示装置而言,多晶硅薄膜晶体管由于其具有较高的迁移率,可以使用体积较小的薄膜晶体管实现对液晶分子的偏转驱动,在很大程度上缩小了薄膜晶体管所占的体积,增加透光面积,得到更高的亮度和解析度;对于电流驱动式的有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置而言,低温多晶硅薄膜晶体管可以更好的满足驱动电流要求。热载流子效应是金属氧化物半导体(MOS)器件的一个重要的失效机理,随着MOS器件尺寸的日益缩小,器件的热载流子注入效应越来越严重。以P型金属氧化物半导体(PMOS)器件为例,沟道中的空穴,在漏源之间高横向电场的作用下被加速,形成高能载流子,高能载流子与硅晶格碰撞,产生电离的 ...
【技术保护点】
一种TFT基板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、提供一基板(1),在基板(1)上依次沉积缓冲层(2)与非晶硅层(21);步骤2、对所述非晶硅层(21)进行准分子激光退火或固相晶化处理,使所述非晶硅层转化为低温多晶硅层,采用一道光刻制程对所述低温多晶硅层进行图案化处理,得到间隔设置的第一有源层(31)、第二有源层(32);步骤3、在所述第一有源层(31)、第二有源层(32)、及基板(1)上涂布光阻层(30),通过对所述光阻层(30)进行曝光、显影,暴露出所述第一有源层(31)的两端区域,以所述光阻层(30)为遮蔽层,对所述第一有源层(31)的两端进行N型或P型离子注入,得到分别位于所述第一有源层(31)两端的第一源极接触区(311)与第一漏极接触区(312);定义所述第一源极接触区(311)与第一漏极接触区(312)之间的区域为第一沟道区(313);步骤4、对所述光阻层(30)进行灰化处理,对所述第一有源层(31)的第一源极接触区(311)与第一漏极接触区(312)进行部分刻蚀,使所述第一源极接触区(311)与第一漏极接触区(312)的高度均低于所述第一沟道区(313)的高度 ...
【技术特征摘要】
1.一种TFT基板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1、提供一基板(1),在基板(1)上依次沉积缓冲层(2)与非晶
硅层(21);
步骤2、对所述非晶硅层(21)进行准分子激光退火或固相晶化处理,
使所述非晶硅层转化为低温多晶硅层,采用一道光刻制程对所述低温多晶硅
层进行图案化处理,得到间隔设置的第一有源层(31)、第二有源层
(32);
步骤3、在所述第一有源层(31)、第二有源层(32)、及基板(1)上
涂布光阻层(30),通过对所述光阻层(30)进行曝光、显影,暴露出所述
第一有源层(31)的两端区域,以所述光阻层(30)为遮蔽层,对所述第一
有源层(31)的两端进行N型或P型离子注入,得到分别位于所述第一有源
层(31)两端的第一源极接触区(311)与第一漏极接触区(312);定义所
述第一源极接触区(311)与第一漏极接触区(312)之间的区域为第一沟道
区(313);
步骤4、对所述光阻层(30)进行灰化处理,对所述第一有源层(31)
的第一源极接触区(311)与第一漏极接触区(312)进行部分刻蚀,使所述
第一源极接触区(311)与第一漏极接触区(312)的高度均低于所述第一沟
道区(313)的高度;
步骤5、剥离光阻层(30),在所述第一有源层(31)、第二有源层
(32)、及基板(1)上沉积栅极绝缘层(4),在所述栅极绝缘层(4)上沉
积第一金属层,采用一道光刻制程对该第一金属层进行图案化处理,得到分
别对应于第一有源层(31)、第二有源层(32)上方的第一栅极(51)、第
二栅极(52);
步骤6、在所述第一栅极(51)、第二栅极(52)上方涂布光阻层
(50),对所述光阻层(50)进行曝光、显影,暴露出第二栅极(52)以及栅
极绝缘层(4)上对应于所述第二有源层(32)上方的区域;以所述第二栅极
(52)为遮蔽层,对所述第二有源层(32)的两端进行P型或N型离子注
\t入,得到分别位于所述第二有源层(32)两端的第二源极接触区(321)、第
二漏极接触区(322),定义所述第二源极接触区(321)与第二漏极接触区
(322)之间的区域为第二沟道区(323);
步骤7、剥离光阻层(50),在所述第一栅极(51)、第二栅极
(52)、及栅极绝缘层(4)上沉积层间介电层(6),采用一道光刻制程对所
述层间介电层(6)及栅极绝缘层(4)进行图案化处理,在所述层间介电层
(6)及栅极绝缘层(4)上对应于所述第一源极接触区(311)、第一漏极接
触区(312)的上方形成第一通孔(61),对应于所述第二源极接触区
(321)、第二漏极接触区(322)的上方形成第二通孔(62);
步骤8、在所述层间介电层(6)上沉积第二金属层,采用一道光刻制程
对该第二金属层进行图案化处理,得到第一源极(71)、第一漏极(72)、
第二源极(73)、第二漏极(74),所述第一源极(71)、第一漏极(72)
分别经由第一通孔(61)与所述第一源极接触区(311)、第一漏极接触区
(312)相接触,所述第二源极(73)、第二漏极(74)分别经由第二通孔
(62)与所述第二源极接触区(321)、第二漏极接触区(322)相接触;
步骤9、在所述第一源极(71)、第一漏极(72)、第二源极(73)、
第二漏极(74)、及层间介电层(6)上涂布平坦层(8),在所述平坦层
(8)上沉积钝化层(9),采用一道光刻制程对所述平坦层(8)及钝化层
(9)进行图案化处理,在所述平坦层(8)及钝化层(9)上对应于所述第二
漏极(74)的上方形成第三通孔(91);
步骤10、在所述钝化层(9)沉积透明导电氧化物层,采用一道光刻制
程对所述透明导电氧化物层进行图案化处理,得到像素电极(10),所述像
素电极(10)经由第三通孔(91)与所述第二漏极(74)相接触,从而完成
TFT基板的制作。
2.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法,其特征在于,经过所述
步骤4的刻蚀后,所述第一源极接触区(311)、第一漏极接触区(312)的
上表面为低于所述第一沟道区(313)上表面的平面或斜面,即所述第一源极
接触区(311)、第一漏极接触区(312)的上表面相对于所述第一沟道区
(313)上表面形成一个台阶;
或者,所述第一源极接触区(311)、第一漏极接触区(312)的上表面
包括从所述第一沟道区(313)向外侧高度依次递减的数个台阶,所述数个台
阶的台阶面为平面或斜面。<...
【专利技术属性】
技术研发人员:卢马才,
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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