一种大面积、高密度微波等离子体产生装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种大面积高密度微波等离子体产生装置，由多组线形微波等离子体放电单元排列形成，每放电单元包括有放电腔、扩散腔，放电腔的顶端和两侧分别设有永磁铁组，形成类磁镜场位形磁场分布或者发散位形场磁场分布，以增强和稳定位形等离子体放电；放电腔的等离子体发生区设有与气源连接的上、下进气管以及与同轴微波源相连接的同轴圆波导；扩散腔通过多组放电腔产生的等离子体径向和纵向扩散，形成较均匀的等离子体密度分布。本发明专利技术通过远程通入反应气体实现薄膜的快速、连续沉积，可实现半导体薄膜、掺杂半导体薄膜、导体薄膜的沉积，或者用于等离子体清洗，或者用于等离子体干法刻蚀，或者用于材料表面的等离子体改性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及等离子体产生装置领域，具体是一种大面积、高密度微波等离子体产生装置。
技术介绍
低温等离子体技术在现代工业的体现出日益重要的作用，特别是随着大规模集成电路、太阳能薄膜光伏电池、平板显示器、材料表面改性、功能基团接枝及材料合成等领域的迅速发展，人们迫切地需要一种可以产生高沉积/刻蚀速率、大面积均匀、稳定的低温等离子体发生技术。为了能够在这项技术上取得突破，国内外等离子体业界专家为此做出不懈的努力。业内专家采用了很多种方法来获得高密度、大面积稳定的等离子体源：其一，采用更加优越的放电位型，例如用射频做等离子体激励源，可以采用有电极电容/电感耦合射频放电，也可以采用无电极电感耦合放电和螺旋波放电等；其二，采用更加优越的等离子体放电激励源，如直流激励源，低频（~500kHz）激励源，射频（~13.56MHz）激励源，甚高频（~60MHz）激励源，超高频（~500MHz）激励源，双频（13.56MHz+27.12MHz等）激励源，以及微波（~2.45GHz）激励源等；其三，采用磁场增强/约束放电，例如用微波激励源，可以采用发散磁场的位型，也可以采用多级磁场的位型等。一般来说，提高等离子体激励源频率可以获得高的等离子体截止密度，利于提高等离子体密度，同时降低离子能量，进而提高沉积/刻蚀速率、降低离子轰击对薄膜的损伤等。但与此同时会存在一些问题，例如电极表面驻波及渐逝波导模式引起的沉积速率不均匀。近年来，一种线形等离子体源引起了国内外专家广泛的关注。与传统的大面积（两维方向）和大体积（三维方向）等离子体源不同，线形等离子体源仅需在一维方向上实现均匀、稳定的等离子体，采用多个线形等离子体源并排，或与被镀样品在水平/垂直方向上以适当速度匀速运动，即可形成大面积均匀的薄膜沉积、刻蚀或者表面处理。这种结构大大降低了高性能等离子体产生设备的开发难度，但仍存在以下几个问题：（1）在沉积某些半导体、掺杂半导体、导体时会不可避免的会在石英玻璃管的表面形成薄膜，这些薄膜具有一定的电导率，薄膜逐渐变厚的时候存在趋肤效应，影响微波在以等离子体为外导体的同轴波导内传播以及在气体中产生击穿放电，进而不利于该等离子体装置的连续性运行及加工；（2）对于某些不适于采用R2R结构实现大面积等离子体处理的工件，目前采用的是多组线形等离子体并排的方式产生大面积等离子体，这种大面积等离子体源在处理上述材料的薄膜沉积，或者需要进行自由基增强沉积时同样存在上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种大面积、高密度微波等离子体产生装置，以解决现有技术存在的问题。为了达到上述目的，本专利技术所采用的技术方案为：一种大面积、高密度微波等离子体产生装置，其特征在于：包括有大长方体状腔体，以及彼此独立且并排连通设置在大长方体状腔体顶部的多个小长方体状腔体，以每个小长方体状腔体内作为等离子体产生区，多个等离子体产生区共用大长方体状腔体作为等离子体扩散区，每个小长方体状腔体顶部分别设置有永磁铁，最左侧的小长方体状腔体左侧，最右侧的小长方体状腔体右侧、相邻小长方体状腔体之间亦分别设置有永磁铁，以每个小长方体状腔体顶部永磁铁作为该小长方体状腔体中等离子体产生区的第一组永磁铁，每个小长方体状腔体左侧永磁铁作为该小长方体状腔体中等离子体产生区的第二组永磁铁，每个小长方体状腔体右侧永磁铁作为该小长方体状腔体中等离子体产生区的第三组永磁铁，即前一小长方体状腔体中等离子体产生区的第三组永磁铁作为后一相邻小长方体状腔体中等离子体产生区的的第二组永磁铁，构成对应每个等离子体产生区的呈品字形分布的永磁铁阵列，每个等离子体产生区对应的永磁铁阵列中，第一组永磁铁的磁化方向分别与第二、第三组永磁铁的磁化方向相反，由三组永磁铁在对应的等离子体产生区内形成类磁镜场的磁场分布；每个等离子体产生区内分别设置有与等离子体产生区内连通的上、下进气管，上、下进气管分别向所在的等离子体产生区内通入工作气体，每个等离子体产生区内位于上、下进气管之间分别设置有贯通等离子体产生区的与同轴微波源连接的同轴圆波导，所述大长方体状腔体内底部设置有高度可调的基片台，大长方体状腔体底部还安装有与大长方体状腔体内连通的真空机组。所述的一种大面积、高密度微波等离子体产生装置，其特征在于：每个等离子体产生区中，第一组永磁铁的上、下端分别为N极、S极，第二、三组永磁铁的上、下端分别为S极、N极，形成类磁镜场的磁场位形；或者，第一组永磁铁的上、下端分别为S极、N极，第二、三组永磁铁的上、下端分别为N极、S极，同样形成类磁镜场的磁场位形；或者三组磁钢组合形成发散场的磁场分布，或者形成会切场的磁场分布，以满足不同的应用范围。所述的一种大面积、高密度微波等离子体产生装置，其特征在于：各组永磁铁由长方形柱体永磁铁块组合而成，所述永磁铁材料可以是合金永磁材料，优选铷铁硼Nd2Fe14B、钐钴SmCo、铷镍钴NdNiCo中的任意一种；或者是铁氧体永磁材料，优选Cu-Ni-Fe、Fe-Co-Mo、Fe-Co-V、MnBi、AlMnC中的任意一种。所述的一种大面积、高密度微波等离子体产生装置，其特征在于：大、小长方体状腔体均为无磁或弱磁不锈钢材料的真空腔体，无磁或弱磁不锈钢材料可以是304、321、316、310中的任意一种。所述的一种大面积、高密度微波等离子体产生装置，其特征在于：所述的同轴圆波导由紫铜内导体套在紫铜内导体外的石英玻璃管组成，同轴圆波导石英玻璃管内可通入空气进行冷却；以紫铜内导体作为同轴圆波导的内导体，以石英玻璃管与紫铜内导体之间的被微波电场激发的等离子体作为同轴圆波导的外导体。所述的一种大面积、高密度微波等离子体产生装置，其特征在于：所述的同轴圆波导连接的同轴微波源，其频率可以是0.915GHz，或者2.45GHz，也可以是2.45-30GHz频段内的频率。所述的一种大面积、高密度微波等离子体产生装置，其特征在于：所述的工作气体为惰性气体、或者氧化性气体，或者还原性气体，或者烃类气体，或者经过气化的液体，或者硅烷，或者氩气、氢气、氢气与硅烷或烃类气体的混合气体。所述的一种大面积、高密度微波等离子体产生装置，其特征在于：所述的基片台为不锈钢基片台，可加热；也可以使用直流、交流或脉冲电源施加偏压。本专利技术的工作原理是：本专利技术通过使用以等离子体为外导体的同轴传输波导，使微波与等离子体通过相互作用在同轴传输波导内沿同轴波导传播，形成线形形状等离子体，通过漂移扩散在真空室内形成等离子体；为了提高该线形等离子体的均匀性和等离子体密度，在该系统中引入磁钢阵列组成的磁镜场、发散形场或会切形场的磁场。使用三块条形磁铁排列在等离子体区腔体外，一组位于等离子体产生区顶端，另外两组位于微波腔体两侧，所用永磁铁的磁化方向沿垂直于基片台的方向，顶端与两侧磁体通过组合形成前述多种磁场位形。这些磁场的引入减少了等离子体带电粒子在壁面上的复合损失，增加等离子体中电子的碰撞截面，也增加了等离子体内部的电子碰撞使等离子体密度得到提高。在磁镜场位形的磁钢组合中，带电粒子无法或者较少飘逸出磁镜场区域，等离子体能够被限制在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大面积、高密度微波等离子体产生装置，其特征在于：包括有大长方体状腔体，以及彼此独立且并排连通设置在大长方体状腔体顶部的多个小长方体状腔体，以每个小长方体状腔体内作为等离子体产生区，多个等离子体产生区共用大长方体状腔体作为等离子体扩散区，每个小长方体状腔体顶部分别设置有永磁铁，最左侧的小长方体状腔体左侧，最右侧的小长方体状腔体右侧、相邻小长方体状腔体之间亦分别设置有永磁铁，以每个小长方体状腔体顶部永磁铁作为该小长方体状腔体中等离子体产生区的第一组永磁铁，每个小长方体状腔体左侧永磁铁作为该小长方体状腔体中等离子体产生区的第二组永磁铁，每个小长方体状腔体右侧永磁铁作为该小长方体状腔体中等离子体产生区的第三组永磁铁，即前一小长方体状腔体中等离子体产生区的第三组永磁铁作为后一相邻小长方体状腔体中等离子体产生区的的第二组永磁铁，构成对应每个等离子体产生区的呈品字形分布的永磁铁阵列，每个等离子体产生区对应的永磁铁阵列中，第一组永磁铁的磁化方向分别与第二、第三组永磁铁的磁化方向相反，由三组永磁铁在对应的等离子体产生区内形成类磁镜场的磁场分布；每个等离子体产生区内分别设置有与等离子体产生区内连通的上、下进气管，上、下进气管分别向所在的等离子体产生区内通入工作气体，每个等离子体产生区内位于上、下进气管之间分别设置有贯通等离子体产生区的与同轴微波源连接的同轴圆波导，所述大长方体状腔体内底部设置有高度可调的基片台，大长方体状腔体底部还安装有与大长方体状腔体内连通的真空机组。...

【技术特征摘要】
1.一种大面积、高密度微波等离子体产生装置，其特征在于：包括有大长方体状腔体，以及彼此独立且并排连通设置在大长方体状腔体顶部的多个小长方体状腔体，以每个小长方体状腔体内作为等离子体产生区，多个等离子体产生区共用大长方体状腔体作为等离子体扩散区，每个小长方体状腔体顶部分别设置有永磁铁，最左侧的小长方体状腔体左侧，最右侧的小长方体状腔体右侧、相邻小长方体状腔体之间亦分别设置有永磁铁，以每个小长方体状腔体顶部永磁铁作为该小长方体状腔体中等离子体产生区的第一组永磁铁，每个小长方体状腔体左侧永磁铁作为该小长方体状腔体中等离子体产生区的第二组永磁铁，每个小长方体状腔体右侧永磁铁作为该小长方体状腔体中等离子体产生区的第三组永磁铁，即前一小长方体状腔体中等离子体产生区的第三组永磁铁作为后一相邻小长方体状腔体中等离子体产生区的的第二组永磁铁，构成对应每个等离子体产生区的呈品字形分布的永磁铁阵列，每个等离子体产生区对应的永磁铁阵列中，第一组永磁铁的磁化方向分别与第二、第三组永磁铁的磁化方向相反，由三组永磁铁在对应的等离子体产生区内形成类磁镜场的磁场分布；每个等离子体产生区内分别设置有与等离子体产生区内连通的上、下进气管，上、下进气管分别向所在的等离子体产生区内通入工作气体，每个等离子体产生区内位于上、下进气管之间分别设置有贯通等离子体产生区的与同轴微波源连接的同轴圆波导，所述大长方体状腔体内底部设置有高度可调的基片台，大长方体状腔体底部还安装有与大长方体状腔体内连通的真空机组。
2.根据权利要求1所述的一种大面积、高密度微波等离子体产生装置，其特征在于：每个等离子体产生区中，第一组永磁铁的上、下端分别为N极、S极，第二、三组永磁铁的上、下端分别为S极、N极，形成类磁镜场的磁场位形；或者，第一组永磁铁的上、下端分别为S极、N极，第二、三组永磁铁的上、下端分别为N极、S极，同...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈龙威，赵颖，孟月东，
申请(专利权)人：中国科学院等离子体物理研究所，
类型：发明
国别省市：安徽;34