PMOS管构成的二极管结构及具备该二极管的整流桥电路制造技术

本实用新型专利技术公开一种PMOS管构成的二极管结构及具备该二极管的整流桥电路，其中PMOS管构成的二极管结构，包括第一PMOS管(P1)、第二PMOS管(P2)和第三PMOS管(P3)，该二极管结构N端连接所述第一PMOS管(P1)栅端、所述第一PMOS管(P1)源端、所述第二PMOS管(P2)漏端和所述第三PMOS管(P3)栅端，该二极管结构P端连接所述第一PMOS管(P1)漏端、所述第二PMOS管(P2)栅端和所述第三PMOS管(P3)漏端，所述第二PMOS管(P2)源端连接所述第三PMOS管(P3)源端和所述第一PMOS管(P1)衬底。本实用新型专利技术电路结构使用普通CMOS工艺实现，能够很好的实现与控制电路的单片集成，为客户节省产品电路面积，节省成本，利于客户产品微型化。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种PMOS管构成的二极管结构，包括第一PMOS管(P1)、第二PMOS管(P2)和第三PMOS管(P3)，其特征在于：该二极管结构N端连接所述第一PMOS管(P1)栅端、所述第一PMOS管(P1)源端、所述第二PMOS管(P2)漏端和所述第三PMOS管(P3)栅端，该二极管结构P端连接所述第一PMOS管(P1)漏端、所述第二PMOS管(P2)栅端和所述第三PMOS管(P3)漏端，所述第二PMOS管(P2)源端连接所述第三PMOS管(P3)源端和所述第一PMOS管(P1)衬底。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈利，任连峰，姜帆，高耿辉，高伟钧，
申请(专利权)人：厦门元顺微电子技术有限公司，大连连顺电子有限公司，友顺科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35