本发明专利技术实施例公开了一种氯霉素分子印迹电化学发光传感器，包括惰性电极和在惰性电极表面的氯霉素分子印迹聚合物薄膜；氯霉素分子印迹聚合物薄膜由以下步骤制得：以含有氯霉素和邻苯二胺的醋酸缓冲溶液为电解液，惰性电极为工作电极构建三电极体系；采用循环伏安法，聚合电位为0～0.8V，得到聚邻苯二胺-氯霉素薄膜；用洗脱剂洗脱后，获得氯霉素分子印迹聚合物薄膜；其中，醋酸缓冲溶液的pH值为5.2，醋酸缓冲溶液的物质的量浓度为0.05～0.2mol/L；氯霉素和邻苯二胺物质的量浓度分别为1～50mmol/L。本发明专利技术提供的氯霉素分子印迹电化学发光传感器，可用于检测氯霉素，并且检测灵敏度高，选择性好。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及抗生素检测领域，特别涉及一种氯霉素分子印迹电化学发光传感器及 其检测氯霉素的方法。
技术介绍
氯霉素（Chloramphenicol)是一种由委内瑞拉链丝菌产生的抑菌性广谱抗生素， 对各种革兰氏阳性细菌和阴性细菌都具有有效杀灭或抑制作用。近年来，氯霉素被广泛应 用于人类和动物传染性疾病的治疗，还常被添加到饲料中促进动物的生长和发育，导致了 氯霉素在食品中残留。人们长期使用含氯霉素的药品或者食用含氯霉素的食品会对人体产 生很大毒副作用，甚至引发严重的疾病，如灰婴综合症、白血病和再生障碍性贫血等。因此， 检测食品中氯霉素含量对人类健康生活具有重大意义。 目前国内外常用的氯霉素测定方法为分光光度法。虽然此方法已被成功应用到食 品中氯霉素的检测，但存在着检测灵敏度低、选择性差等问题。
技术实现思路
本专利技术实施例公开了一种氯霉素分子印迹电化学发光传感器及其检测氯霉素的 方法，用于解决分光光度法存在氯霉素检测灵敏度低，选择性差的问题。技术方案如下： -种氯霉素分子印迹电化学发光传感器，包括惰性电极和在所述惰性电极表面电 化学聚合的氯霉素分子印迹聚合物薄膜；所述氯霉素分子印迹聚合物薄膜由以下步骤制 得： 以含有氯霉素和邻苯二胺的醋酸缓冲溶液为电解液，以所述惰性电极为工作电极 构建三电极体系； 采用循环伏安法，电化学聚合所述氯霉素和所述邻苯二胺，聚合电位为0~0. 8V， 在惰性电极表面聚合得到聚邻苯二胺-氯霉素薄膜； 用洗脱剂去除聚邻苯二胺-氯霉素薄膜中的氯霉素，获得所述氯霉素分子印迹聚 合物薄膜； 其中，所述醋酸缓冲溶液的pH值为5. 2,所述醋酸缓冲溶液的物质的量浓度为 0. 05~0. 2mol/L;所述氯霉素和所述邻苯二胺的物质的量浓度分别为1~50mmol/L。 在本专利技术的一种优选实施方式中，聚邻苯二胺-氯霉素薄膜在红外光谱中的特征 吸收峰的波数分别为：N-H弯曲振动峰〇NH，波数为1633cm%吩嗪环的伸缩振动特征峰V吩嗪环，波数为1409cm%苯环上的C-N-C伸缩振动峰VGNG，波数为Illlcm = 0伸缩振动 峰Ve=。，波数为1686cmS-NO2的对称伸缩振动峰Vs -N0:，波数为1347cmi。 在本专利技术的一种优选实施方式中，所述氯霉素与所述邻苯二胺的物质的量的比为 1: (0. 5~2);所述电化学聚合的聚合圈数为20~40圈。 在本专利技术的一种优选实施方式中，所述氯霉素和所述邻苯二胺的物质的量浓度分 别为 10mmol/L。 在本专利技术的一种优选实施方式中，所述醋酸缓冲溶液的物质的量浓度为0.lmol/ L;所述扫描圈数为30圈。 在本专利技术的一种优选实施方式中，所述洗脱剂为9:l(v/v)的无水甲醇-乙酸溶 液、0? 01mol/LNaOH溶液或 0? 01mol/LHCl溶液。 本专利技术实施例还公开了一种应用上述氯霉素分子印迹电化学发光传感器检测氯 霉素的方法，其特征在于，包括以下步骤， a)、采用三电极体系，确定氯霉素分子印迹电化学发光传感器的初始ECL强度 ECL。;其中，所述三电极体系包括：含有电化学发光试剂的pH为7. 0的电解液，参比电极、对 电极和工作电极，其中所述工作电极为氯霉素分子印迹电化学发光传感器； b)、配制不同已知C1-Cn浓度的氯霉素溶液； C)、将氯霉素分子印迹电化学发光传感器在C1浓度的氯霉素溶液中浸泡指定时 间，得到结合C1浓度氯霉素溶液的氯霉素分子印迹电化学发光传感器；d)、采用三电极体系，确定结合C1浓度氯霉素溶液的氯霉素分子印迹电化学发光 传感器ECL强度ECL1;该三电极体系与步骤a)中的三电极体系的差别为：工作电极为结合 C1浓度氯霉素溶液的氯霉素分子印迹电化学发光传感器； e)、用洗脱剂清洗结合C1浓度氯霉素溶液的氯霉素分子印迹电化学发光传感器； 对已知C2~Cn浓度的氯霉素溶液分别重复c)~e)步骤，即得到C2~Cn浓度的 氯霉素溶液对应的ECL强度，设为ECL2~ECLn; f)、计算CjJ度的氯霉素溶液对应的响应差值AECL广AECLn，其中，AECL1 =ECL0-ECL1,1 ^i^n； g)、以氯霉素浓度Cn为横坐标或纵坐标，以响应差值AECL丨~AECLn为纵坐 标或横坐标建立标准曲线，得到氯霉素浓度与响应差值的线性方程； h)、对某一未知浓度的氯霉素溶液重复c)~f)步骤，得到某一未知浓度的氯霉素 溶液对应的响应差值，根据所述的线性方程，即可确定出未知浓度的氯霉素溶液的浓度。 在本专利技术的一种优选实施方式中，所述电解液为物质的量浓度为〇. 05~0. 2moL/ L的磷酸缓冲液，优选0.lmol/L的磷酸缓冲液。 在本专利技术的一种优选实施方式中，所述的电化学发光试剂是三联吡啶钌及其衍生 物，所述三联吡啶钌或者其衍生物的物质的量浓度为〇. 05~5mmol/L，优选0. 5mmol/L。 在本专利技术的一种更优选实施方式中，所述磷酸缓冲液中含有DNA，所述DNA的浓度 为 0. 03 ~3mg/mL，优选 0. 3mg/mL。 本专利技术提供的一种氯霉素分子印迹电化学发光传感器，以氯霉素为模板分子，邻 苯二胺（o-phenylenediamine)为功能单体，在惰性电极表面聚合得到聚邻苯二胺-氯霉素 薄膜，用洗脱剂洗脱掉氯霉素后得到氯霉素分子印迹聚合物薄膜，可特异性识别氯霉素，具 有高度亲和性和稳定性，并且抗干扰能力强、结构可控以及环境耐受性强，可用于检测氯霉 素，并且检测灵敏度高，选择性好。【附图说明】 为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以 根据这些附图获得其他的附图。 图1为在金电极表面电化学聚合聚邻苯二胺-氯霉素薄膜的CV曲线图； 图2为邻苯二胺、聚邻苯二胺、聚邻苯二胺-氯霉素和氯霉素的红外光谱图； 图3为氯霉素分子印迹电化学发光传感器对氯霉素、链霉素、卡那霉素和甲硝唑 的响应差值图； 图4为结合0、0. 001、0. 005、0. 05、0. 4和0. 5mmol/L氯霉素溶液的氯霉素分子印 迹电化学发光传感器的ECL曲线图； 图5为结合0、0. 05、0. 5、5、10、20和30ymol/L氯霉素溶液的氯霉素分子印迹电 化学发光传感器的ECL曲线图。【具体实施方式】 本专利技术的技术方案一种氯霉素分子印迹电化学发光传感器，包括惰性电极和在惰 性电极表面的氯霉素分子印迹聚合物薄膜；氯霉素分子印迹聚合物薄膜由以下步骤制得： 以含有氯霉素和邻苯二胺的醋酸缓冲溶液为电解液，以惰性电极为工作电极构建 三电极体系； 采用循环伏安法，电化学聚合氯霉素和所述邻苯二胺，聚合电位为0~0. 8V，在惰 性电极表面聚合得到聚邻苯二胺-氯霉素薄膜； 用洗脱剂去除聚邻苯二胺-氯霉素薄膜中的氯霉素，获得氯霉素分子印迹聚合物 薄膜； 其中，醋酸缓冲溶液的pH值为5. 2，醋酸缓冲溶液的物质的量浓度为0. 05~ 0. 2mol/L;氯霉素和所述邻苯二胺的物质的量浓度分别为1~50mmol/L。 本专利技术研制的氯霉素分子印迹电化学发光本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种氯霉素分子印迹电化学发光传感器，其特征在于，包括惰性电极和在所述惰性电极表面的氯霉素分子印迹聚合物薄膜；所述氯霉素分子印迹聚合物薄膜由以下步骤制得：以含有氯霉素和邻苯二胺的醋酸缓冲溶液为电解液，以所述惰性电极为工作电极构建三电极体系；采用循环伏安法，电化学聚合所述氯霉素和所述邻苯二胺，聚合电位为0～0.8V，在惰性电极表面聚合得到聚邻苯二胺‑氯霉素薄膜；用洗脱剂去除聚邻苯二胺‑氯霉素薄膜中的氯霉素，获得所述氯霉素分子印迹聚合物薄膜；其中，所述醋酸缓冲溶液的pH值为5.2，所述醋酸缓冲溶液的物质的量浓度为0.05～0.2mol/L；所述氯霉素和所述邻苯二胺的物质的量浓度分别为1～50mmol/L。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘红云，廉文静，
申请(专利权)人：北京师范大学，北京师大科技园科技发展有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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