一种改变有机电致发光二极管中激子分布的方法技术

技术编号:12338096 阅读:57 留言:0更新日期:2015-11-18 11:01
本发明专利技术公开了一种改变有机电致发光二极管(OLED)中激子分布的方法,其使用最高已占轨道(HOMO)能级比主体材料的HOMO能级更高的材料、或者最低未占轨道(LUMO)能级比主体材料的LUMO能级更低的材料作为超薄插入层,插入到主体材料之中,起到捕捉大量载流子的作用,从而改变有机电致发光二极管中的激子分布。所述主体材料包括电子传输型主体材料和空穴传输型主体材料。超薄插入层材料主要包括电子传输材料和空穴传输材料。本发明专利技术所述的方法能够简单有效地改变OLED中的激子分布,尤其在改变基于超薄非掺杂发光层的OLED的发光权重方面有非常理想的效果。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种改变有机电致发光二极管(OLED)中激子分布的方法,其特征在于,所述方法使用最高已占轨道(Highest Occupied Molecular Orbit,HOMO)能级比所述主体材料的HOMO能级更高的材料或者最低未占轨道(Lowest Unoccupied Molecular Orbit,LUMO)能级比所述主体材料的LUMO能级更低的材料作为超薄插入层,所述超薄插入层捕捉大量载流子,从而改变有机电致发光二极管中的激子分布;所述超薄插入层位于所述主体材料之中或者与所述主体材料相邻。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:谭特欧阳世宏谢应涛王东平朱大龙方汉铿
申请(专利权)人:上海交通大学
类型:发明
国别省市:上海;31

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