一种用于导热的石墨片制造技术

技术编号:12316376 阅读:256 留言:0更新日期:2015-11-13 00:13
本实用新型专利技术公开了一种用于导热的石墨片,高光膜层粘连在石墨导热膜的外侧,石墨导热膜与底部的高光膜层之间设置有填充层,高光膜层的厚度为0.011mm,石墨导热膜的厚度为0.014mm,本实用新型专利技术高光膜层与石墨导热膜复合,可以用于高密度化、高功率化及薄型化的电子半导体功率元件,可以满足产生的高热量,小空间散热需求,石墨膜复合具有重量轻,热导系数高及可调整热膨胀系数等特点,其理化性能稳定,耐候性良好,可以满足尖端电子产品与高功率半导体晶片散热方案,经测试本实用新型专利技术的墨导热膜密度为2.5g/cm3,电导率为120-260w/m*k,抗弯强度为80-90mpa,膨胀系数为4-9ppm/k,以上指标优于传统的石墨导热膜。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及石墨导热
,具体的说是一种用于导热的石墨片
技术介绍
随着科学技术和工业生产的发展,导热材料广泛应用于换热工程采暖工程和电子信息等领域,同时人们对导热材料提出了新的要求,希望导热材料具有优良的综合性能,如在化工生产和废水处理中使用的热交换器既需要所用材料具有良好的导热性能,又要求其耐化学腐蚀和耐高温,聚合物材料热导率低,属于不良导热体,为了改善其导热性,使之能作为功能材料运用于对材料导热性有较高要求的领域,一般采用高导热性的金属,金属重量重,填充操作困难,导热效果一般,现有的石墨导热膜为石墨导热膜单层结构,随着电子半导体功率元件高密度化、高功率化及薄型化发展,并由此产生的高热量,小空间散热需求而来,现有的传统的石墨导热膜用于高密度、高功率及轻薄型的电子设备上,重量重,强度低,热导系数及可调整热膨胀系数不能够满足需求,传统的石墨导热膜理化性能,耐候性一般,难以满足尖端电子产品与高功率,半导体晶片散热方案的优秀材料。因此,为克服上述技术的不足而设计出具有重量轻,轻度高,热导系数高及可调整热膨胀系数优良,理化性能稳定,耐候性良好,能够满足尖端电子产品与高功率半导体晶片散热方案的一种用于导热的石墨片,正是专利技术人所要解决的问题。
技术实现思路
针对现有技术的不足,本技术的目的是提供一种用于导热的石墨片,其具有重量轻,轻度高,热导系数高及可调整热膨胀系数优良,理化性能稳定,耐候性良好,能够满足尖端电子产品与高功率半导体晶片散热方案,有非常好的实用价值。本技术的上述目的通过以下的技术方案来实现:一种用于导热的石墨片,其包括高光膜层、石墨导热膜、填充层,所述高光膜层粘连在石墨导热膜的外侧,所述石墨导热膜与底部的高光膜层之间设置有填充层,所述高光膜层的厚度为0.011mm,所述石墨导热膜的厚度为0.014mm。进一步,所述填充层包含绝缘层、高分子填充层、隔离层,所述绝缘层底部设置有高分子填充层,所述高分子填充层底部设置有隔离层,所述隔离层底部设置有高分子填充层,所述填充层的厚度为0.016mm。进一步,所述高分子填充层内填充有聚乙烯或改性聚乙烯。本技术的有益效果为:本技术高光膜层与石墨导热膜复合,可以用于高密度化、高功率化及薄型化的电子半导体功率元件,可以满足产生的高热量,小空间散热需求,本技术增加了填充层设计,石墨膜复合具有重量轻,热导系数高及可调整热膨胀系数等特点,其理化性能稳定,耐候性良好,可以满足尖端电子产品与高功率半导体晶片散热方案,经测试本技术的墨导热膜密度为2.5g/cm3,电导率为120-260w/m*k,抗弯强度为80_90mpa,膨胀系数为4-9ppm/k,以上指标优于传统的石墨导热膜。【附图说明】图1是本技术的结构示意图。图2是本技术中填充层结构示意图。图中标号说明:1-高光膜层;2_石墨导热膜;3_填充层;31_绝缘层;32_高分子填充层;33_隔离层。【具体实施方式】下面结合具体实施例,进一步阐述本技术,应理解,这些实施例仅用于说明本技术而不用于限制本技术的范围。此外应理解,在阅读了本技术讲授的内容之后,本领域技术人员可以对本技术作各种改动或修改,这些等价形式同样落在申请所附权利要求书所限定的范围。参见附图1本技术的结构示意图,本技术包括高光膜层1、石墨导热膜2、填充层3,高光膜层I粘连在石墨导热膜2的外侧,石墨导热膜2与底部的高光膜层I之间设置有填充层3,高光膜层I的厚度为0.011mm,石墨导热膜2的厚度为0.014mm,参见图2是本技术中填充层3结构示意图,填充层包含绝缘层31、高分子填充层32、隔离层33,绝缘层31底部设置有高分子填充层32,高分子填充层32底部设置有隔离层33,隔离层33底部设置有高分子填充层32,填充层3的厚度为0.016mm。本技术高光膜层I与石墨导热膜2复合,可以用于高密度化、高功率化及薄型化的电子半导体功率元件,可以满足产生的高热量,小空间散热需求,本技术增加了填充层3设计,石墨膜复合具有重量轻,热导系数高及可调整热膨胀系数等特点,其理化性能稳定,耐候性良好,可以满足尖端电子产品与高功率半导体晶片散热方案,经测试本技术的墨导热膜密度为2.5g/cm3,电导率为120-260w/m*k,抗弯强度为80_90mpa,膨胀系数为4-9ppm/k,以上指标优于传统的石墨导热膜。【主权项】1.一种用于导热的石墨片,其特征在于:其包括高光膜层、石墨导热膜、填充层,所述高光膜层粘连在石墨导热膜的外侧,所述石墨导热膜与底部的高光膜层之间设置有填充层,所述高光膜层的厚度为0.011mm,所述石墨导热膜的厚度为0.014_。2.根据权利要求1所述的一种用于导热的石墨片,其特征在于:所述填充层包含绝缘层、高分子填充层、隔离层,所述绝缘层底部设置有高分子填充层,所述高分子填充层底部设置有隔离层,所述隔离层底部设置有高分子填充层,所述填充层的厚度为0.016mm。3.根据权利要求2所述的一种用于导热的石墨片,其特征在于:所述高分子填充层内填充有聚乙烯或改性聚乙烯。【专利摘要】本技术公开了一种用于导热的石墨片,高光膜层粘连在石墨导热膜的外侧,石墨导热膜与底部的高光膜层之间设置有填充层,高光膜层的厚度为0.011mm,石墨导热膜的厚度为0.014mm,本技术高光膜层与石墨导热膜复合,可以用于高密度化、高功率化及薄型化的电子半导体功率元件,可以满足产生的高热量,小空间散热需求,石墨膜复合具有重量轻,热导系数高及可调整热膨胀系数等特点,其理化性能稳定,耐候性良好,可以满足尖端电子产品与高功率半导体晶片散热方案,经测试本技术的墨导热膜密度为2.5g/cm3,电导率为120-260w/m*k,抗弯强度为80-90mpa,膨胀系数为4-9ppm/k,以上指标优于传统的石墨导热膜。【IPC分类】H05K7/20, B32B9/00【公开号】CN204761940【申请号】CN201520448543【专利技术人】宋阳阳 【申请人】山东安诺克新材料有限公司【公开日】2015年11月11日【申请日】2015年6月28日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于导热的石墨片,其特征在于:其包括高光膜层、石墨导热膜、填充层,所述高光膜层粘连在石墨导热膜的外侧,所述石墨导热膜与底部的高光膜层之间设置有填充层,所述高光膜层的厚度为0.011mm,所述石墨导热膜的厚度为0.014mm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:宋阳阳
申请(专利权)人:山东安诺克新材料有限公司
类型:新型
国别省市:山东;37

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1