一种密绕螺旋线圈及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种密绕螺旋线圈及其制作方法，包括筒状的电极盘，在电极盘的顶部焊接有螺旋密绕导体层，螺旋密绕导体层在顶部向外翻折并在螺旋密绕导体层外侧形成回线导体层，在电极盘外侧套装有绝缘筒，在绝缘筒的一端设置有与电极盘固定连接的下接线盘，在绝缘筒的另一端固定设置有与回线导体层焊接的上接线盘，在上接线盘上固定安装有一个外绝缘筒，在回线导体层外侧套装有外层绝缘层，在螺旋密绕导体层与回线导体层之间设置有内绝缘层。利用本发明专利技术提及的方法制作的密绕螺线管线圈可以保证线圈的均匀性；保证线圈具有最小的电感；利用本发明专利技术提及的方法制作的密绕螺线管线圈可以保证线圈的绝缘强度和结构强度。

【技术实现步骤摘要】
一种密绕螺旋线圈及其制作方法
本专利技术涉及脉冲功率领域中的多层密绕螺线管线圈制作方法，具体是指一种密绕螺旋线圈及其制作方法。
技术介绍
本专利技术所涉及的多层密绕螺线管线圈由于应用领域较为特殊，所以对其结构和布线有一些特殊要求，具体是：（1）螺旋密绕导体层要求高均匀性和平整性，因而采用多股超细漆包铜线并绕，以提高其宏观上的均匀性；（2）超低电感，该线圈应用于超短脉冲功率设备中，要求具有尽量小的电感，因此其所有漆包铜线并联连接，每根漆包铜线匝数只允许有几匝，因为线圈轴向长度较长，因此具有很大的匝间螺距，另外为了减少出线电感，漆包铜线从轴向的一端大螺距绕制到另一端后直接轴向回线到同一端，这样可以保证线圈是单端出线，从而最大限度减少出线电感，图3对线圈的细导线的绕制路径进行了示意说明；（3）高电压，在线圈接线部位将承受非常高的电压，因而在螺旋密绕导体层和回线导体层之间必须有绝缘层；（4）大电磁力，由于该线圈所通电流大，会导致线圈由于巨大的电磁力而结构破坏，因而设置有外绝缘层起到结构加固和电气绝缘的双重作用。这些特殊要求导致目前常用的螺旋管线圈制作方法无法使用，而国内无加工该类线圈的报道，国外类似线圈的加工工艺并未公开，因而需要特别研制适合于此类应用的线圈及线圈的制作方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种密绕螺旋线圈及其制作方法，希望得到一种结构更加紧密均匀、不易松散的密绕螺旋线圈，突破技术瓶颈，掌握线圈的核心技术。本专利技术的目的通过下述技术方案实现：一种密绕螺旋线圈，包括筒状的电极盘，在电极盘的顶部焊接有螺旋密绕导体层，螺旋密绕导体层在顶部向外翻折并在螺旋密绕导体层外侧形成回线导体层，在电极盘外侧套装有绝缘筒，在绝缘筒的一端设置有与电极盘固定连接的下接线盘，在绝缘筒的另一端固定设置有与回线导体层焊接的上接线盘，在上接线盘上固定安装有一个外绝缘筒，在回线导体层外侧套装有外层绝缘层，在螺旋密绕导体层与回线导体层之间设置有内绝缘层。通过螺栓将上接线盘、下接线盘、绝缘筒、电极盘固定连接形成的整体结构，具有较高的稳定性，而采用铜线带制成的螺旋密绕导体层本身具有较好的稳定性，不易松散，而后通过翻折形成的回线导体层其每根铜线都作为单独的焊接，具有较高的拉力强度，从而可以与内部的内绝缘层形成抗拉结构，避免松散。本专利技术还研制了一种密绕螺旋线圈的制作方法，包括依次进行的以下步骤：（a）将超细漆包线绕制成漆包线铜带；（b）将制成的漆包线铜带按照螺旋缠绕的方式从模芯的起始线缠绕包裹到末端，在模芯上形成密实均匀的螺旋密绕导体层；（c）装配电极盘：将电极盘套装在模芯上，并将起始线处的漆包线铜带的线头均匀焊接在电极盘上；（d）制作内绝缘层：用绝缘膜或绝缘丝带从电极盘上开始螺旋缠绕包覆在螺旋密绕导体层外侧形成内绝缘层；（e）装配绝缘筒：将绝缘筒套装在电极盘的外侧，并且绝缘筒套住部分内绝缘层；（f）安装上接线盘和下接线盘：将上接线盘通过螺栓固定在绝缘筒靠近内绝缘层的端面上；将下接线盘与电极盘通过螺栓固定在绝缘筒的另一个端面上；（g）制作回线导体层：将螺旋密绕导体层的铜带在螺旋密绕导体层的顶部向外翻折，将其中的漆包铜线在内绝缘层的外侧沿模芯的轴线向上接线盘延伸，并均匀焊接固定在上接线盘上形成回线导体层；（h）安装外绝缘筒：将外绝缘筒套装在回线导体层外侧，并通过螺栓将外绝缘筒固定在上接线盘上；（i）安装固定罩：在回线导体层的外侧包裹外绝缘层，然后将固定罩安装在外绝缘层的外侧；（j）安装固定底座：在模芯上安装一个固定底座，固定底座与下接线盘面接触并将其固定；（k）装配拉杆：将上接线盘与下接线盘通过拉杆固定连接；（l）装配固定帽：（m）浸漆烘干后拆掉固定帽、拉杆、固定罩、固定底座、芯模，得到最终的均匀密绕螺线管线圈。本专利技术的另一个目的是提供一种密绕螺旋线圈的制作方法，通过上述的步骤制成的密绕螺线管线圈可以保证线圈的均匀性，线圈的均匀性主要通过下述两条保证：1非常细铜漆包线，直径几十到几百微米不等，2许多细铜漆包线紧紧并排密绕；利用本专利技术提及的方法制作的密绕螺线管线圈可以保证线圈具有较小的电感；利用本专利技术提及的方法制作的密绕螺线管线圈可以保证线圈的绝缘强度和结构强度。本专利技术与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：本专利技术一种密绕螺旋线圈及其制作方法，利用本专利技术提及的方法制作的密绕螺线管线圈可以保证线圈的均匀性；利用本专利技术提及的方法制作的密绕螺线管线圈可以保证线圈具有最小的电感；利用本专利技术提及的方法制作的密绕螺线管线圈可以保证线圈的绝缘强度和结构强度。附图说明此处所说明的附图用来提供对本专利技术实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本专利技术实施例的限定。在附图中：图1为本专利技术半剖结构示意图；图2为图1中的A部放大示意图；图3为本专利技术步骤（b）的结构示意图；图4为本专利技术步骤（c）的结构示意图；图5为本专利技术步骤（d）的结构示意图；图6为本专利技术步骤（e）的结构示意图图7为本专利技术步骤（f）的结构示意图；图8为本专利技术步骤（g）的结构示意图；图9为本专利技术步骤（h）的结构示意图；图10为本专利技术步骤（i）的结构示意图；图11为本专利技术步骤（j）的结构示意图；图12为本专利技术步骤（k）的结构示意图；图13为本专利技术步骤（l）的结构示意图。附图中标记及相应的零部件名称：1-电极盘，2-螺旋密绕导体层，3-绝缘筒，4-回线导体层，5-下接线盘，6-上接线盘，7-外绝缘筒，8-内绝缘层，9-外绝缘层，12-模芯，13-固定底座，14-拉杆，15-固定帽，16-固定罩。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本专利技术作进一步的详细说明，本专利技术的示意性实施方式及其说明仅用于解释本专利技术，并不作为对本专利技术的限定。实施例如图1至2所示，本专利技术一种密绕螺旋线圈，包括筒状的电极盘1，在电极盘1的顶部焊接有螺旋密绕导体层2，螺旋密绕导体层2在顶部向外翻折并在螺旋密绕导体层2外侧形成回线导体层4，在电极盘1外侧套装有绝缘筒3，在绝缘筒3的一端设置有与电极盘1固定连接的下接线盘5，在绝缘筒3的另一端固定设置有与回线导体层4焊接的上接线盘6，在上接线盘6上固定安装有一个外绝缘筒7，在回线导体层4外侧套装有外层绝缘层9，在螺旋密绕导体层2与回线导体层4之间设置有内绝缘层8。上述的结构是按照如下的工艺进行生产制作的：（a）将超细漆包线绕制成漆包线铜带；（b）将制成的漆包线铜带按照螺旋缠绕的方式从模芯12的起始线缠绕包裹到末端，在模芯12上形成密实均匀的螺旋密绕导体层2；（c）装配电极盘1：将电极盘1套装在模芯12上，并将起始线处的漆包线铜带的线头均匀焊接在电极盘1上；（d）制作内绝缘层8：用绝缘膜或绝缘丝带从电极盘1上开始螺旋缠绕包覆在螺旋密绕导体层2外侧形成内绝缘层8；（e）装配绝缘筒3：将绝缘筒3套装在电极盘1的外侧，并且绝缘筒3套住部分内绝缘层8；（f）安装上接线盘6和下接线盘5：将上接线盘6通过螺栓固定在绝缘筒3靠近内绝缘层8的端面上；将下接线盘5与电极盘1通过螺栓固定在绝缘筒3的另一个端面上；（g）制作回线导体层4：将螺旋密绕导体层2的铜带在螺旋密绕导体层2的顶部向外翻折，将其中的漆包铜线在内绝缘层8的外侧沿模芯12的轴线向上接线盘6延伸，并本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种密绕螺旋线圈，其特征在于：包括筒状的电极盘（1），在电极盘（1）的顶部焊接有螺旋密绕导体层（2），螺旋密绕导体层（2）在顶部向外翻折并在螺旋密绕导体层（2）外侧形成回线导体层（4），在电极盘（1）外侧套装有绝缘筒（3），在绝缘筒（3）的一端设置有与电极盘（1）固定连接的下接线盘（5），在绝缘筒（3）的另一端固定设置有与回线导体层（4）焊接的上接线盘（6），在上接线盘（6）上固定安装有一个外绝缘筒（7），在回线导体层（4）外侧套装有外层绝缘层（9），在螺旋密绕导体层（2）与回线导体层（4）之间设置有内绝缘层（8）。

【技术特征摘要】
1.一种密绕螺旋线圈的制作方法，其特征在于包括依次进行的以下步骤：（a）将超细漆包线绕制成漆包线铜带；（b）将制成的漆包线铜带按照螺旋缠绕的方式从模芯（12）的起始线缠绕包裹到末端，在模芯（12）上形成密实均匀的螺旋密绕导体层（2）；（c）装配电极盘（1）：将电极盘（1）套装在模芯（12）上，并将起始线处的漆包线铜带的线头均匀焊接在电极盘（1）上；（d）制作内绝缘层（8）：用绝缘膜或绝缘丝带从电极盘（1）上开始螺旋缠绕包覆在螺旋密绕导体层（2）外侧形成内绝缘层（8）；（e）装配绝缘筒（3）：将绝缘筒（3）套装在电极盘（1）的外侧，并且绝缘筒（3）套住部分内绝缘层（8）；（f）安装上接线盘（6）和下接线盘（5）：将上接线盘（6）通过螺栓固定在绝缘筒（3）靠近内绝缘层（8）的端面上；将下接线盘（5）与电极盘（1）通过螺栓固定在绝缘筒（3）的另一个端面上；（g）制作回线导体层（4）：将...

【专利技术属性】
技术研发人员：周中玉，谷卓伟，张春波，唐小松，仝延锦，匡学武，李建明，赵剑衡，孙承纬，
申请(专利权)人：中国工程物理研究院流体物理研究所，
类型：发明
国别省市：四川;51