加热处理装置和加热处理方法制造方法及图纸

技术编号:12281747 阅读:64 留言:0更新日期:2015-11-05 21:56
本发明专利技术提供一种能够使用微波对被处理体实施均匀的热处理的加热处理装置。加热处理装置(10)具有内部被导入有效波长为λg的微波的4个处理室(11),4个处理室(11)相互平行地配置,并且4个处理室(11)中的每一个具有与基板(G)相对的开口部(15),在长度方向上从一端内壁至另一端内壁的长度为m×λg/2,其中,m是正整数,向处理室(11)的内部激发微波的天线(14)在处理室(11)的长度方向上从端部的内壁偏移λg/4+p×λg/2地配置,其中,p为包含0的正整数,当从与各处理室(11)的长度方向垂直的方向以各处理室(11)重叠的方式观察各处理室(11)时,各处理室(11)在长度方向上错开λg/8地配置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及利用微波的。
技术介绍
在FPD面板和PV面板等大型面板的制造过程中,在大型玻璃基板的表面通过CVD形成大面积的硅薄膜,并利用该硅薄膜形成多个TFT晶体管或PIN 二极管。这里,硅薄膜并非形成在半导体晶片而是形成在玻璃基板上,因此不使结晶生长,而维持非晶态。另一方面,例如在对应于超高清的FH)面板中,在TFT晶体管中要求较高的迀移率或互电导(gm),但是会有在非晶态的硅薄膜(以下称为“非晶硅薄膜”)中迀移率或互电导较低的问题。因此,提出通过热处理使非晶硅薄膜单晶化或多晶化的方案。在非晶硅薄膜的热处理中,例如通常使用基于激光照射的低温热处理技术,但是激光易发生干涉,光斑直径较小,因此难以控制所给予的面内热量,在大面积的硅薄膜中难以对该硅薄膜均匀地实施热处理,难以进行均匀的结晶化。其结果,在TFT晶体管中产生阈值电压发生偏差等问题。此外,近年来,由于微波比激光更容易控制,所以开发出基于微波的热处理技术并应用于非晶硅薄膜的热处理中。在使用基于微波的热处理技术的情况下,将微波导入到处理空间内,并将玻璃基板暴露在处理空间中,由此使微波吸收到玻璃基板上的非晶硅薄膜(例如参照专利文献I和2)。现有技术文献专利文献1:日本特开平5-90178号公报专利文献2:日本特开2009-91604号公报
技术实现思路
专利技术想要解决的课题然而,由于被导入的微波由形成处理空间的内壁面反射,所以在处理空间内会产生驻波。如果产生驻波,则与驻波的波腹相对的非晶硅薄膜的部分被较强地加热,而与驻波的波节相对的非晶硅薄膜的部分几乎不被加热,因此难以对非晶硅薄膜进行均匀的热处理。本专利技术的目的在于提供一种能够使用微波对被处理体实施均匀的热处理的。用于解决课题的技术方案为了实现上述目的,根据本专利技术,具有微波被导入到内部的多个管状的处理室,上述多个处理室相互平行地配置,并且上述多个处理室的每一个具有与被处理体相对的开口部,各上述处理室在上述长度方向上错开地配置,以使得当从与各上述处理室的长度方向垂直的方向以各上述处理室重叠的方式观察各上述处理室时,在各上述处理室内产生的驻波的相位相互不一致。在本专利技术中,优选在具有η个上述多个处理室的情况下,当设上述微波的有效波长为Ag时,各上述处理室在上述长度方向上各错开Ag/(2Xη)地配置。在本专利技术中,优选各上述处理室具有向该处理室的内部激发上述微波的天线,在各上述处理室的长度方向上从一端内壁至另一端内壁的长度为mX Ag/2,其中,m为正整数,在各上述处理室中,上述天线在上述处理室的长度方向上从端部的内壁偏移Ag/4+pX Ag/2地配置,其中,P为包含O的正整数。在本专利技术中,优选当从与各上述处理室的长度方向垂直的方向以各上述处理室重叠的方式观察各上述处理室时,各上述处理室的天线不重叠。在本专利技术中,优选当从与各上述处理室的长度方向垂直的方向以各上述处理室重叠的方式观察各上述处理室时,各上述处理室的天线在上述长度方向上大致均匀地配置。在本专利技术中,优选各上述处理室在上述开口部的旁边具有槽状的波阻构造,上述波阻构造的深度为Ag/4。在本专利技术中,优选各上述处理室在上述开口部的附近的壁部具有槽,该槽设置成阻碍从该处理室向上述被处理体的微波传送。在本专利技术中,优选具有:预加热装置,其在由各上述处理室使上述微波吸收到上述被处理体之前对上述被处理体进行预加热。为了实现上述目的,根据本专利技术,提供一种在加热处理装置中执行的加热处理方法,该加热处理装置具有微波被导入到内部的多个管状的处理室,上述多个处理室相互平行地配置,并且上述多个处理室的每一个具有与被处理体相对的开口部,其中,使当从与各上述处理室的长度方向垂直的方向以各上述处理室重叠的方式观察各上述处理室时重叠地观察到的各上述处理室内产生的驻波的相位相互错开。在本专利技术中,优选在上述微波被导入到一个上述处理室的内部时,不将上述微波导入到其他上述处理室的内部。在本专利技术中,优选在由各上述处理室使上述微波吸收到上述被处理体之前对上述被处理体进行预加热。专利技术效果根据本专利技术,当从与各处理室的长度方向垂直的方向以各处理室重叠的方式观察各处理室时,在各处理室内产生的驻波的相位相互不一致,所以与被处理体的各部相对的各驻波的各相位处的振幅合计值大致均衡,因此能够使由各驻波施予的热量在被处理体的各部均匀化。其结果,能够使用微波对被处理体实施均匀的热处理。【附图说明】图1是概略地表示本专利技术的实施方式涉及的加热处理装置的结构的立体图。图2是概略地表示本实施方式涉及的加热处理装置的结构的俯视图。图3是沿着图2中的线II1-1II的截面图。图4是表示在图1的加热处理装置的各处理室内产生的驻波的叠加状态的图表。图5是表示图1的加热处理装置中的各磁控管的配置状态的图。图6是概略地表示图1的加热处理装置的第一变形例的结构的俯视图。图7是表示在图6的加热处理装置的各处理室内产生的驻波的叠加状态的图表。图8是表示各处理室的磁控管的微波的生成时序的时序图。图9A是概略地表示具有防微波泄漏机构的处理室的一实施例的结构的立体图。图9B是沿着图9A中的线VII1-VIII的截面图。图10是概略地表示具有防微波泄漏机构的处理室的另一实施例的结构的立体图。图11是概略地表示图1的加热处理装置的第二变形例的结构的截面图。【具体实施方式】下面,参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。图1?图3是概略地表示本专利技术的实施方式涉及的加热处理装置的结构的图,图1是立体图,图2是俯视图,图3是沿着图2中的线II1-1II的截面图。在图1?图3中,加热处理装置10包括:多个管状的处理室11 ;和在该多个处理室11的下方以与多个处理室11相对的方式配置的多个辊12,多个处理室11中,各处理室11的长度方向(以下简称为“长度方向”)相互平行,并且在与长度方向垂直的方向上大致均匀地排列,各辊12将载置在由金属构成的板状基座B上的基板G与基座B —起沿着多个处理室11的排列方向(图2中的黑色箭头)输送。各处理室11与各辊12之间的间隙设定为比基板G的厚度大一些,该基板G通过各处理室11和各辊12之间的间隙。基板G由玻璃构成,基板G的厚度例如是0.5_,在基板G的上表面形成有非晶硅薄膜,该非晶硅薄膜的厚度例如是I μπι。在各处理室11的上表面配置有I个用于生成微波的磁控管13,该磁控管13具有向处理室11的内部突出的棒状的天线14,该天线14向处理室11的内部激发例如900MHz?20GHz中的任意微波。各处理室11呈长方体形,长度方向的长度即从一端的内壁面至另一端的内壁面的距离设定为mX Ag/2(m为正整数,Ag为微波的有效波长)。另外,为了简化说明,图2中的处理室11的长度方向的长度尺寸表示从处理室11的一端的外壁面至另一端的外壁面的距离,但是实际中也可以表示从处理室11的一端的内壁面至另一端的内壁面的距离。此夕卜,在各处理室11内,磁控管13的天线14配置成从处理室11的一端或另一端的内壁面偏移λ g/4+p X λ g/2 (p为包含O的正整数)。各处理室11具有通过去除与各辊12相对的下表面的壁部而形成的开口部15,各开口部15与被输送的基板G相对。当开口部15和基板G相对时,处理室11被基板G封闭,由于载置基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种加热处理装置,其特征在于:具有微波被导入到内部的多个管状的处理室,所述多个处理室相互平行地配置,并且所述多个处理室的每一个具有与被处理体相对的开口部,各所述处理室在所述长度方向上错开地配置,以使得当从与各所述处理室的长度方向垂直的方向以各所述处理室重叠的方式观察各所述处理室时,在各所述处理室内产生的驻波的相位相互不一致。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:河西繁三浦仁嗣
申请(专利权)人:东京毅力科创株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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