本发明专利技术公开了一种真空镀膜设备，包括真空室，其特征在于所述真空室与真空系统连接，真空室内呈圆形分布有内外两圈安装靶位内外两圈安装靶位之间装有工件架，安装靶位上安装有电弧靶源或溅射靶源。本发明专利技术利用电弧靶源与溅射靶源复合沉积金属涂层，克服金属与陶瓷之间结合力不强的缺点，使经过微弧氧化的铝材表面实现金属色泽及质感，增加产品的附加价值。本发明专利技术的优点在于利用该设备对能够使金属涂层紧密结合在经过微弧氧化处理的铝基材表面，不易脱落，因此提高了表面硬度和耐磨性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及真空镀膜设备，具体地说是一种在电弧与磁控溅射结合的真空镀膜设备。
技术介绍
物理气相沉积(Physical Vapor Deposit1n, PVD)技术表示在真空条件下，采用物理方法，将材料源一一固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。电弧离子镀和磁控溅镀技术是PVD常用的两种技术。电弧镀膜离化率高，靶源与工件距离远，但离子蒸发过程剧烈，导致膜层颗粒较大且存在有害杂质。磁控溅镀离化率低，靶源与工件距离近，离子蒸发过程平和，膜层质量较好，但由于工件与靶源的距离限制，绕镀能力不好。现有技术中，常常将两者结合提高工件涂层质量。但是，对于曲面型的工件镀膜很难达到均匀，影响涂层质量。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种真空镀膜设备，利用该设备对能够使曲面型工件获得良好的镀膜效果。为了实现上述目的，本专利技术的技术方案如下:一种真空镀膜设备，包括真空室，其特征在于所述真空室与真空系统连接，真空室内呈圆形分布有内外两圈安装靶位内外两圈安装靶位之间装有工件架，安装靶位上安装有电弧靶源或溅射靶源。真空系统包括与真空室连接的高真空分子栗，与高真空分子栗连接的旋片式机械栗以及罗茨栗。所述真空室和真空系统均与设置在真空室外的供电系统连接。所述工件架也呈圆形分布，所述工件架兼有公转和自转，保证了工件的镀膜均匀性。真空室内还装有辐射式发热体和温度探头。本专利技术利用电弧靶源与溅射靶源复合沉积金属涂层，克服金属与陶瓷之间结合力不强的缺点，使经过微弧氧化的铝材表面实现金属色泽及质感，增加产品的附加价值。本专利技术的优点在于利用该设备对能够使金属涂层紧密结合在经过微弧氧化处理的铝基材表面，不易脱落，因此提高了表面硬度和耐磨性。【附图说明】图1为本专利技术的结构示意图。图2为电弧靶的示意图。图3为溅射靶的示意图。【具体实施方式】下面结合附图1和实施例对本专利技术作进一步的描述。一种真空镀膜设备，包括真空室I，其特征在于所述真空室I与真空系统2连接，真空室I内呈圆形分布有内外两圈安装靶位，安装靶位上安装有电弧靶12或磁控溅射靶11。根据本专利技术的具体实施例，所述电弧靶12或磁控溅射靶11均设置在外圈安装靶位上。真空系统2包括与真空室连接的高真空分子栗23，与高真空分子栗连接的旋片式机械栗22以及罗茨栗21。所述真空室I和真空系统2均与设置在真空室外的供电系统3连接。所述供电系统提供涂层工艺所需的大功率的功力电源，分为低压电柜31、中压电柜32和高压电柜33。真空室内还装有辐射式发热体和温度探头。所述电弧靶为Cr弧靶源，利用Cr弧靶源激发的高能量粒子与偏压的作用，在基材表面沉积一层打底层。所述磁控溅射靶为Zr靶源，利用中频磁控溅射Zr靶源溅射沉积薄膜。如图2所示，所述电弧靶12包括并排设置的两个靶架13，每个靶架从上至下分别设置3个平面小弧靶14，且所述两个靶架上的平面小弧靶交错分布，保证镀膜的均匀性。如图3所示，所述磁控溅射靶11也包括两个靶架13，两个靶架上设置有对称设置的中频孪生对靶15。以上内容仅为本专利技术的较佳实施例，对于本领域的普通技术人员，依据本专利技术的思想，在【具体实施方式】及实用范围上均会有改变之处，本说明书内容不应理解为对本专利技术的限制。【主权项】1.一种真空镀膜设备，包括真空室，其特征在于所述真空室与真空系统连接，真空室内呈圆形分布有内外两圈安装革巴位，内外两圈安装革巴位之间装有工件架，安装革巴位上安装有电弧靶源或溅射靶源。2.如权利要求1所述的真空镀膜设备，其特征在于真空系统包括与真空室连接的高真空分子栗，与高真空分子栗连接的旋片式机械栗以及罗茨栗。3.如权利要求1所述的真空镀膜设备，其特征在于所述真空室和真空系统均与设置在真空室外的供电系统连接。4.如权利要求1所述的真空镀膜设备，其特征在于所述电弧靶包括并排设置的两个靶架，每个靶架从上至下分别设置3个平面小弧靶，且所述两个靶架上的平面小弧靶交错分布。5.如权利要求1所述的真空镀膜设备，其特征在于所述磁控溅射靶也包括两个靶架，两个靶架上设置有对称设置的中频孪生对靶。【专利摘要】本专利技术公开了一种真空镀膜设备，包括真空室，其特征在于所述真空室与真空系统连接，真空室内呈圆形分布有内外两圈安装靶位内外两圈安装靶位之间装有工件架，安装靶位上安装有电弧靶源或溅射靶源。本专利技术利用电弧靶源与溅射靶源复合沉积金属涂层，克服金属与陶瓷之间结合力不强的缺点，使经过微弧氧化的铝材表面实现金属色泽及质感，增加产品的附加价值。本专利技术的优点在于利用该设备对能够使金属涂层紧密结合在经过微弧氧化处理的铝基材表面，不易脱落，因此提高了表面硬度和耐磨性。【IPC分类】C23C14/22【公开号】CN105018883【申请号】CN201510421133【专利技术人】林朝宗 【申请人】益固（上海）真空设备科技有限公司【公开日】2015年11月4日【申请日】2015年7月17日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种真空镀膜设备，包括真空室，其特征在于所述真空室与真空系统连接，真空室内呈圆形分布有内外两圈安装靶位，内外两圈安装靶位之间装有工件架，安装靶位上安装有电弧靶源或溅射靶源。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：林朝宗，
申请(专利权)人：益固上海真空设备科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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