本实用新型专利技术涉及一种高性能红外无线耳机，包括互相连接的信号发射模块和信号接收模块，所述信号发射模块包括依次连接的音频发送模块、功率放大模块和转发电路模块，所述信号接收模块包括工作指示模块、红外接收模块和音频处理模块，所述转发电路模块分别通过工作指示模块和红外接收模块与音频处理模块连接，该高性能红外无线耳机通过信号发射模块和信号接收模块将音频信号以红外线的方式进行发送接收，提高了耳机的接受能力，同时通过信号发射器电路的高稳定性和可靠性，提高了耳机的可靠性和实用价值。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种高性能红外无线耳机。
技术介绍
随着科技的发展和社会的进步，人们的生活水平也不断地提高，人们对于居住环境的要求也越来越高。在现代家庭中，家中人口众多，而且地方比较拥挤，在有限的空间里面，人们都是各自在做自己的事情。有的时候，一个人在看电视，往往会影响到其他人，如果声音开小，效果也不是很明显。有些家庭采用无线耳机作为音频收发，但是由于外部干扰源较多，经常会有串扰音频信号，给看电视者带来很大的困扰
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是:为了克服现有技术无线耳机抗干扰能力差的不足，提供一种具有高稳定性和抗干扰能力的高性能红外无线耳机。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种高性能红外无线耳机，包括互相连接的信号发射模块和信号接收模块，所述信号发射模块包括依次连接的音频发送模块、功率放大模块和转发电路模块，所述信号接收模块包括工作指示模块、红外接收模块和音频处理模块，所述转发电路模块分别通过工作指示模块和红外接收模块与音频处理模块连接；所述转发电路模块包括信号发射器电路，所述信号发射器电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、第一运算放大器、第一可调电阻、第一发光二极管、第二发光二极管、第三发光二极管、第一二极管、第一 MOS管、第一三极管和第二三极管，所述第一运算放大器的同相输入端通过第一电容与第一可调电阻的可调端连接，所述第一运算放大器的同相输入端通过第一电阻外接12V直流电压电源，所述第一运算放大器的同相输入端通过第二电阻接地，所述第一运算放大器的反相输入端通过第四电阻与第一运算放大器的输出端连接，所述第一运算放大器的反相输入端通过第三电阻接地，所述第一运算放大器的反相输入端通过第二电容与第一 MOS管的漏极连接，所述第一 MOS管的源极接地，所述第一 MOS管的栅极分别通过第五电阻和第四电容接地，所述第一 MOS管的栅极与第一二极管的阳极连接且通过第一二极管和第三电容组成的串联电路与第一运算放大器的输出端连接，所述第一运算放大器的输出端通过第六电容与第一三极管的集电极连接，所述第一运算放大器的输出端通过第六电容与第二三极管的基极连接，所述第一三极管的集电极和第二三极管的基极均通过第六电阻外接12V直流电压电源，所述第一三极管的发射极接地，所述第一三极管的基极通过第七电阻与第二三极管的发射极连接，所述第二三极管的发射极分别通过第八电阻和第五电容接地，所述第二三极管的集电极与第三发光二极管的阴极连接，所述第三发光二极管的阳极与第二发光二极管的阴极连接，所述第二发光二极管的阳极与第一发光二极管的阴极连接，所述与第一发光二极管的阳极外接12V直流电压电源，所述第一可调电阻的一端接地。作为优化，所述第一 MOS管为η沟道MOS管，所述第一三极管和第二三极管均为NPN三极管。作为优化，所述第一运算放大器的型号为UA741。本技术的有益效果是，该高性能红外无线耳机通过信号发射模块和信号接收模块将音频信号以红外线的方式进行发送接收，提高了耳机的接受能力，同时通过信号发射器电路的高稳定性和可靠性，提高了耳机的可靠性和实用价值。【附图说明】下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。图1是本技术高性能红外无线耳机的系统结构图；图2是本技术高性能红外无线耳机的信号发射器电路的电路原理图；图中:1.音频发送模块，2.功率放大模块，3.转发电路模块，4.工作指示模块，5.红外接收模块，6.音频处理模块，Rl.第一电阻，R2.第二电阻，R3.第三电阻，R4.第四电阻，R5.第五电阻，R6.第六电阻，R7.第七电阻，R8.第八电阻，Cl.第一电容，C2.第二电容，C3.第三电容，C4.第四电容，C5.第五电容，C6.第六电容，Ul.第一运算放大器，Rpl.第一可调电阻，LDl.第一发光二极管，LD2.第二发光二极管，LD3.第三发光二极管，Dl.第一二极管，Ql.第一 MOS管，Q2.第一三极管，Q3.第二三极管。【具体实施方式】现在结合附图对本技术作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本技术的基本结构，因此其仅显示与本技术有关的构成。如图1和图2所示，一种高性能红外无线耳机，包括互相连接的信号发射模块和信号接收模块，所述信号发射模块包括依次连接的音频发送模块1、功率放大模块2和转发电路模块3，所述信号接收模块包括工作指示模块4、红外接收模块5和音频处理模块6，所述转发电路模块3分别通过工作指示模块4和红外接收模块5与音频处理模块6连接；所述转发电路模块3包括信号发射器电路，所述信号发射器电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第一电容Cl、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6、第一运算放大器Ul、第一可调电阻Rpl、第一发光二极管LDl、第二发光二极管LD2、第三发光二极管LD3、第一二极管Dl、第一 MOS管Ql、第一三极管Q2和第二三极管Q3，所述第一运算放大器Ul的同相输入端通过第一电容Cl与第一可调电阻Rpl的可调端连接，所述第一运算放大器Ul的同相输入端通过第一电阻Rl外接12V直流电压电源，所述第一运算放大器Ul的同相输入端通过第二电阻R2接地，所述第一运算放大器Ul的反相输入端通过第四电阻R4与第一运算放大器Ul的输出端连接，所述第一运算放大器Ul的反相输入端通过第三电阻R3接地，所述第一运算放大器Ul的反相输入端通过第二电容C2与第一 MOS管Ql的漏极连接，所述第一 MOS管Ql的源极接地，所述第一 MOS管Ql的栅极分别通过第五电阻R5和第四电容C4接地，所述第一 MOS管Ql的栅极与第一二极管Dl的阳极连接且通过第一二极管Dl和第三电容C3组成的串联电路与第一运算放大器Ul的输出端连接，所述第一运算放大器Ul的输出端通过第六电容C6与第一三极管Q2的集电极连接，所述第一运算放大器Ul的输出端通过第六电容C6与第二三极管Q3的基极连接，所述第一三极管Q2的集电极和第二三极管Q3的基极均通过第六电阻R6外接12V直流电压电源，所述第一三极管Q2的发射极接地，所述第一三极管Q2的基极通过第七电阻R7与第二三极管Q3的发射极连接，所述第二三极管Q3的发射极分别通过第八电阻R8和第五电容C5接地，所述第二三极管Q3的集电极与第三发光二极管LD3的阴极连接，所述第三发光二极管LD3的阳极与第二发光二极管LD2的阴极连接，所述第二发光二极管LD2的阳极与第一发光二极管LDl的阴极连接，所述与第一发光二极管LDl的阳极外接12V直流电压电源，所述第一可调电阻Rpl的一端接地。作为优化，所当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高性能红外无线耳机，其特征在于，包括互相连接的信号发射模块和信号接收模块，所述信号发射模块包括依次连接的音频发送模块(1)、功率放大模块(2)和转发电路模块(3)，所述信号接收模块包括工作指示模块(4)、红外接收模块(5)和音频处理模块(6)，所述转发电路模块(3)分别通过工作指示模块(4)和红外接收模块(5)与音频处理模块(6)连接；所述转发电路模块(3)包括信号发射器电路，所述信号发射器电路包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第七电阻(R7)、第八电阻(R8)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第三电容(C3)、第四电容(C4)、第五电容(C5)、第六电容(C6)、第一运算放大器(U1)、第一可调电阻(Rp1)、第一发光二极管(LD1)、第二发光二极管(LD2)、第三发光二极管(LD3)、第一二极管(D1)、第一MOS管(Q1)、第一三极管(Q2)和第二三极管(Q3)，所述第一运算放大器(U1)的同相输入端通过第一电容(C1)与第一可调电阻(Rp1)的可调端连接，所述第一运算放大器(U1)的同相输入端通过第一电阻(R1)外接12V直流电压电源，所述第一运算放大器(U1)的同相输入端通过第二电阻(R2)接地，所述第一运算放大器(U1)的反相输入端通过第四电阻(R4)与第一运算放大器(U1)的输出端连接，所述第一运算放大器(U1)的反相输入端通过第三电阻(R3)接地，所述第一运算放大器(U1)的反相输入端通过第二电容(C2)与第一MOS管(Q1)的漏极连接，所述第一MOS管(Q1)的源极接地，所述第一MOS管(Q1)的栅极分别通过第五电阻(R5)和第四电容(C4)接地，所述第一MOS管(Q1)的栅极与第一二极管(D1)的阳极连接且通过第一二极管(D1)和第三电容(C3)组成的串联电路与第一运算放大器(U1)的输出端连接，所述第一运算放大器(U1)的输出端通过第六电容(C6)与第一三极管(Q2)的集电极连接，所述第一运算放大器(U1)的输出端通过第六电容(C6)与第二三极管(Q3)的基极连接，所述第一三极管(Q2)的集电极和第二三极管(Q3)的基极均通过第六电阻(R6)外接12V直流电压电源，所述第一三极管(Q2)的发射极接地，所述第一三极管(Q2)的基极通过第七电阻(R7)与第二三极管(Q3)的发射极连接，所述第二三极管(Q3)的发射极分别通过第八电阻(R8)和第五电容(C5)接地，所述第二三极管(Q3)的集电极与第三发光二极管(LD3)的阴极连接，所述第三发光二极管(LD3)的阳极与第二发光二极管(LD2)的阴极连接，所述第二发光二极管(LD2)的阳极与第一发光二极管(LD1)的阴极连接，所述与第一发光二极管(LD1)的阳极外接12V直流电压电源，所述第一可调电阻(Rp1)的一端接地。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈勇，刘恋花，张凯，
申请(专利权)人：深圳市创佳声学科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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