沿C轴传输光束的氟化物全反射晶体制造技术

技术编号:12209034 阅读:88 留言:0更新日期:2015-10-15 13:31
本实用新型专利技术公开了一种沿C轴传输光束的氟化物全反射晶体,包括一圆柱晶体,所述圆柱晶体的底面抛光,所述圆柱晶体的顶端设置有两个相互垂直的侧抛光面,两侧抛光面之间还设置有一个条形的顶抛光面,用于晶体定位,所述顶抛光面的宽度为圆柱晶体半径的五分之一,两个侧抛光面对称分布在圆柱晶体轴线两侧,与圆柱形晶体母线的夹角均为135°,本实用新型专利技术可以使入射光束与出射光束光轴严格平行,并与晶体的C轴方向一致,从而消除了晶体双折射现象对光束传输特性的影响。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种光学元件,具体地说是一种具有特殊形状的氟化物晶体。
技术介绍
在进行气体、液体光谱分析时,需要使光束经过全反射晶体反射,使其可以两次穿越被测气体或液体。现有的氟化物全反射晶体由于没有对C轴精确定向,光束的传播性质会由于双折射现象的存在而发射改变,进而影响光谱分析性能。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种特殊形状的氟化物全反射晶体,使入射光与反射光均沿晶体C轴方向传输,从而有效降低晶体双折射现象对光束传输特性造成的影响。为解决上述技术问题,本技术采用的技术方案为:沿C轴传输光束的氟化物全反射晶体,包括一圆柱晶体,所述圆柱晶体的底面抛光,所述圆柱晶体的顶端设置有两个相互垂直的侧抛光面,两侧抛光面之间还设置有一个条形的顶抛光面,用于晶体定位,所述顶抛光面的宽度为圆柱晶体半径的五分之一,两个侧抛光面对称分布在圆柱晶体轴线两侦牝与圆柱形晶体母线的夹角均为135°。本技术的有益效果在于:本技术可以使入射光束与出射光束光轴严格平行,并与晶体的C轴方向一致,从而消除了晶体双折射现象对光束传输特性的影响。【附图说明】下面结合附图和【具体实施方式】对本技术作进一步详细的说明。图1为本技术的立体结构示意图。图2为本技术的正视图。图3为本技术的俯视图。图中:1 一圆柱晶体;2—左侧抛光面;3—顶抛光面;4一右侧抛光面;5—底抛光面;6—入射光轴;7—反射光轴;8 — α角;9一C轴。【具体实施方式】如图1至3所示的沿C轴传输光束的氟化物全反射晶体,包括一圆柱晶体1,高30mm ;所述圆柱晶体I的底面抛光,即图中的底抛光面5,其半径为30mm,光洁度优于60/40 ;所述圆柱晶体I的顶端设置有两个相互垂直的抛光面,即图中左侧抛光面2和右侧抛光面4 ;在左右侧抛光面之间还设置有一个条形的顶抛光面3,光洁度优于60/40,用于晶体定位,所述顶抛光面3的宽度为6_,即圆柱晶体I半径的五分之一;所述左侧抛光面与右侧抛光面对称分布在圆柱晶体I轴线两侧,与圆柱形晶体母线的夹角为135°,即α角8等于135。ο工作原理如下:通过预留的顶抛光面3精确定位,可以使光线平行晶体C轴9入射。将入射光轴6从圆柱晶体I的底抛光面5入射,经过左侧抛光面2和右侧抛光面4 二次反射后,反射光轴7最终由底抛光面5出射。则入射光线、反射光线均与晶体C轴9平行,晶体的双折射现象不会对光束的传输特性造成影响。以上公开的仅为本专利的具体实施例,但本专利并非局限于此,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本技术原理的前提下,做出的变形应视为属于本技术保护范围。【主权项】1.沿C轴传输光束的氟化物全反射晶体,其特征在于:包括一圆柱晶体,所述圆柱晶体的底面抛光,所述圆柱晶体的顶端设置有两个相互垂直的侧抛光面,两侧抛光面之间还设置有一个条形的顶抛光面,用于晶体定位,所述顶抛光面的宽度为圆柱晶体半径的五分之一,两个侧抛光面对称分布在圆柱晶体轴线两侧,与圆柱形晶体母线的夹角均为135°。2.根据权利要求1所述的沿C轴传输光束的氟化物全反射晶体,其特征在于:所述圆柱晶体的底面半径为30mm,高为30mm,所述条形的顶抛光面的宽度为6mm。【专利摘要】本技术公开了一种沿C轴传输光束的氟化物全反射晶体,包括一圆柱晶体,所述圆柱晶体的底面抛光,所述圆柱晶体的顶端设置有两个相互垂直的侧抛光面,两侧抛光面之间还设置有一个条形的顶抛光面,用于晶体定位,所述顶抛光面的宽度为圆柱晶体半径的五分之一,两个侧抛光面对称分布在圆柱晶体轴线两侧,与圆柱形晶体母线的夹角均为135°,本技术可以使入射光束与出射光束光轴严格平行,并与晶体的C轴方向一致,从而消除了晶体双折射现象对光束传输特性的影响。【IPC分类】G02B5/02, G02B5/08【公开号】CN204705733【申请号】CN201520414187【专利技术人】郭宗海, 韩琦琦 【申请人】秦皇岛本征晶体科技有限公司【公开日】2015年10月14日【申请日】2015年6月16日本文档来自技高网...

【技术保护点】
沿C轴传输光束的氟化物全反射晶体,其特征在于:包括一圆柱晶体,所述圆柱晶体的底面抛光,所述圆柱晶体的顶端设置有两个相互垂直的侧抛光面,两侧抛光面之间还设置有一个条形的顶抛光面,用于晶体定位,所述顶抛光面的宽度为圆柱晶体半径的五分之一,两个侧抛光面对称分布在圆柱晶体轴线两侧,与圆柱形晶体母线的夹角均为135°。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:郭宗海韩琦琦
申请(专利权)人:秦皇岛本征晶体科技有限公司
类型:新型
国别省市:河北;13

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