共晶键合方法技术

本申请提供一种共晶键合方法，该方法包括：在第一基片表面形成第一突起部和第一键合材料图形；在第二基片表面形成第二突起部和第二键合材料图形；将所述第一键合材料图形和所述第二键合材料图形对齐，并在预定压力和预定温度下按压所述第一基片和所述第二基片，以使所述第一基片和所述第二基片通过所述第一键合材料图形和所述第二键合材料图形发生共晶键合；其中，在将所述第一键合材料图形和所述第二键合材料图形对齐的情况下，所述第一突起部的位置相对于所述第二突起部的位置具有偏移。根据本申请，能够使两个基片的突起部在键合时形成彼此交叉的梳齿结构，能够达到防止溢流的效果，并且不会影响到键合的效果。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体制造
，尤其涉及一种键合方法和半导体器件的制造方法。
技术介绍
微机电系统(Micro-Electronic-Mechanical-System，MEMS)封装技术是MEMS 研宄领域中的一个重要研宄方向，一方面封装可使MEMS产品避免受到灰尘、潮气等对可动结构的影响，另一方面通过真空或气密封装还可改变MEMS产品内部阻尼情况，提高产品的性會K。晶圆级封装技术是实现MEMS产品高性能、低成本和批量化的主要解决途径，晶圆级封装可以采用晶圆级键和技术来实现，例如，在MEMS器件(Device)片上加装盖(Cap)片并对二者进行键合来完成封装，因此具有批量的优点，并且可降低封装成本。在晶圆级键合技术中，共晶键合又是其中重要的一类。共晶键合不仅可以提供很好的密封性，而且可以进行引线互联，越来越多的应用于MEMS工艺中。在一定稳定温度压力下，不同金属通过将表面接触，形成相对低温熔融状的合金，冷却后形成固体密封的方法叫做共晶键合。在共晶键合中，熔融状的液体合金常常溢流到芯片各处，严重的影响了芯片的性能，通常的方法是在键合区域附件设计一道或者多道沟槽保护，或者，设置一道或者多道阻挡梁保护，从而防止键合区域的液体溢流到芯片各处。应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
技术实现思路
本申请的专利技术人发现，现有的设置沟槽防止溢流的方法防止溢流的效果有限，而设置阻挡梁的方法中，阻挡梁对压力键合本身的效果有影响。本申请提供一种，在基片的表面设置突起部，使两个基片的突起部的位置彼此偏移，由此，两个基片的突起部在键合时形成彼此交叉的梳齿结构，能够达到防止溢流的效果，并且不会影响到键合的效果。根据本申请实施例的一个方面，提供一种，该方法包括:在第一基片表面形成第一突起部和第一键合材料图形；在第二基片表面形成第二突起部和第二键合材料图形；将所述第一键合材料图形和所述第二键合材料图形对齐，并在预定压力和预定温度下按压所述第一基片和所述第二基片，以使所述第一基片和所述第二基片通过所述第一键合材料图形和所述第二键合材料图形发生共晶键合；其中，在将所述第一键合材料图形和所述第二键合材料图形对齐的情况下，所述第一突起部的位置相对于所述第二突起部的位置具有偏移。根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述第一突起部相对于所述第一键合材料，靠近所述第一基片的中心；并且，所述第二突起部相对于所述第二键合材料，靠近所述第二基片的中心。根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述第一基片表面具有第一电路图形，所述第一电路图形相对于所述第一突起部，靠近所述第一基片的中心；和/或，所述第二基片表面具有第二电路图形，所述第二电路图形相对于所述第二突起部，靠近所述第二基片的中心。根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述第一突起部的厚度与所述第一键合材料图形的厚度相同或不同；并且，所述第二突起部的厚度与所述第二键合材料图形的厚度相同或不同。根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述第一突起部被设置为沿所述第一基片的周向延伸；并且，所述第二突起部被设置为沿所述第二基片的周向延伸。根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述第一突起部在所述第一基片的径向被周期性设置；所述第二突起部在所述第二基片的径向被周期性设置；并且，所述第一突起部的周期与所述第二突起部的周期相同。根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述第一突起部的位置相对于所述第二突起部的位置的偏移量为所述周期的一半。根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述第一突起部和所述第二突起部分别为多晶硅、氧化硅或氮化硅。本申请的有益效果在于:在基片的表面设置突起部，使两个基片的突起部的位置彼此偏移，由此，两个基片的突起部在键合时形成彼此交叉的梳齿结构，能够达到防止溢流的效果，并且不会影响到键合的效果。参照后文的说明和附图，详细公开了本申请的特定实施方式，指明了本申请的原理可以被采用的方式。应该理解，本申请的实施方式在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的精神和条款的范围内，本申请的实施方式包括许多改变、修改和等同。针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。【附图说明】所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中:图1是本申请实施例的的一个流程示意图；图2是本申请实施例的的工艺流程示意图。【具体实施方式】参照附图，通过下面的说明书，本申请的前述以及其它特征将变得明显。在说明书和附图中，具体公开了本申请的特定实施方式，其表明了其中可以采用本申请的原则的部分实施方式，应了解的是，本申请不限于所描述的实施方式，相反，本申请包括落入所附权利要求的范围内的全部修改、变型以及等同物。实施例1本申请实施例1提供一种，用于使第一基片与第二基片键合为一体。图1是本申请实施例中的一个流程示意图，如图1所示，该包括:SlOl、在第一基片表面形成第一突起部和第一键合材料图形；S102、在第二基片表面形成第二突起部和第二键合材料图形；S103、将所述第一键合材料图形和所述第二键合材料图形对齐，并在预定压力和预定温度下按压所述第一基片和所述第二基片，以使所述第一基片和所述第二基片通过所述第一键合材料图形和所述第二键合材料图形发生共晶键合。在本实施例中，在将第一键合材料图形和所述第二键合材料图形对齐的情况下，第一突起部的位置相对于第二突起部的位置具有偏移。根据本实施例的共晶键合的方法，在基片的表面设置突起部，使两个基片的突起部的位置彼此偏移，由此，两个基片的突起部在键合时形成彼此交叉的梳齿结构，能够达到防止溢流的效果，并且不会影响到键合的效果。在本实施例中，该第一基片和第二基片的可以是半导体制造领域中常用的晶圆，例如娃晶圆、绝缘体上的娃(Silicon-On-1nsulator，SOI)晶圆、锗娃晶圆、锗晶圆或氮化镓(Gallium Nitride, GaN)晶圆等；并且，该晶圆可以是没有进行过半导体工艺处理的晶圆，也可以是已经进行过处理的晶圆，例如进行过离当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种共晶键合方法，其特征在于，该方法包括：在第一基片表面形成第一突起部和第一键合材料图形；在第二基片表面形成第二突起部和第二键合材料图形；将所述第一键合材料图形和所述第二键合材料图形对齐，并在预定压力和预定温度下按压所述第一基片和所述第二基片，以使所述第一基片和所述第二基片通过所述第一键合材料图形和所述第二键合材料图形发生共晶键合；其中，在将所述第一键合材料图形和所述第二键合材料图形对齐的情况下，所述第一突起部的位置相对于所述第二突起部的位置具有偏移。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：丁刘胜，王旭洪，徐元俊，
申请(专利权)人：上海新微技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31