基于半桥控制驱动电路的蓝光LED用漏极驱动系统技术方案

本发明专利技术公开了基于半桥控制驱动电路的蓝光LED用漏极驱动系统，其由开关功率放大电路，分压开关电路，与分压开关电路的输出端相连接的控制开关电路，与控制开关电路的输出端相连接的非线性触发电路组成：其特征在于，在开关功率放大电路与非线性触发电路之间还串接有半桥控制驱动电路；本发明专利技术开创性的将非线性触发电路与开关功率放大电路联合使用，不仅能确保非线性触发电路非线性特性，而且还能为开关功率放大电路提供安全可靠的触发电压。同时，本发明专利技术采用半桥控制驱动电路作为驱动电路，并且采用GR6953集成电路作为处理芯片，使其驱动速度更快，并具有低功耗启动的优点，从而使本发明专利技术能耗比传统的驱动系统降低1/2。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种LED驱动电路，具体是指基于半桥控制驱动电路的蓝光LED用漏极驱动系统。
技术介绍
目前，由于LED灯具有能耗低、使用寿命长以及安全环保等特点，其已经成为了人们生活照明的主流产品之一。由于LED灯不同于传统的白炽灯，因此其需要由专用的驱动电路来进行驱动。然而，当前人们广泛使用的漏极驱动电路由于其设计结构的不合理性，导致了目前漏极驱动电路存在能耗较高、电流噪音较大以及启动时间较长等缺陷。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服目前漏极驱动电路存在的能耗较高、电流噪音较大以及启动时间较长的缺陷，提供一种基于半桥控制驱动电路的蓝光LED用漏极驱动系统。本专利技术的目的通过下述技术方案实现:基于半桥控制驱动电路的蓝光LED用漏极驱动系统，其由开关功率放大电路，分压开关电路，与分压开关电路的输出端相连接的控制开关电路，与控制开关电路的输出端相连接的非线性触发电路，以及串接在开关功率放大电路与非线性触发电路之间的半桥控制驱动电路组成。所述半桥控制驱动电路由处理芯片Ul，场效应管MOSl，三极管Q10，N极与三极管QlO的发射极相连接、P极则经电阻R21后与非线性触发电路相连接的二极管D4，正极与二极管D4的P极相连接、负极接地的极性电容C9，与极性电容C9相并联的稳压二极管D6，正极经电阻R24后与处理芯片Ul的RT管脚相连接、负极则经电阻R22后与场效应管MOSl的栅极相连接的极性电容Cl I，串接在场效应管MOSl的栅极和源极之间的电阻R23，正极与处理芯片Ul的CT管脚相连接、负极则与场效应管MOSl的漏极相连接的极性电容C10，一端与处理芯片Ul的HV管脚相连接、另一端则与三极管QlO的基极相连接的电阻R25，以及P极与处理芯片Ul的VS管脚相连接、N极则与开关功率放大电路相连接的二极管D5组成；所述场效应管MOSl的源极则与非线性触发电路相连接，而极性电容Cll的负极则与开关功率放大电路相连接；所述处理芯片Ul的VCC管脚和其VB管脚分别与二极管D4的P极和N极相连接，其SGND管脚和VS管脚均与极性电容Cll的负极相连接，其PGND管脚接地；所述三极管QlO的集电极与极性电容Cll的负极相连接。所述的开关功率放大电路由功率放大器Pl，功率放大器P2，功率放大器P3，串接在功率放大器Pl的输出端与负极输入端之间的电阻R9和电容C2，串接在功率放大器P2的输出端与正极输入端之间的电阻RlO和电容C3，基极与功率放大器Pl的输出端相连接、集电极经电阻R20后与功率放大器P3的正极输入端相连接的三极管Q7，基极与三极管Q7的发射极相连接、集电极经电阻R19后与功率放大器P3的负极输入端相连接的三极管Q8，基极经电阻Rll后与功率放大器P2的输出端相连接、集电极经电阻R14后与三极管Q8的基极相连接的三极管Q9，正极与功率放大器P3的负极输入端相连接、而负极与三极管Q8的发射极相连接并接地的电容C8，与电阻Rl I相并联的电容C4，一端与三极管Q9的基极相连接、另一端外接-4V电压的电阻R12，一端与三极管Q9的发射极相连接、另一端外接-4V电压的电阻R13，与电阻R13相并联的电容C7，以及N极与三极管Q7的集电极相连接、P极外接-4V电压的二极管D3组成；所述功率放大器Pl的正极输入端与二极管D5的N极相连接，且该功率放大器Pl的负极输入端还与功率放大器P2的正极输入端相连接；所述功率放大器P2的负极输入端则与极性电容Cll的负极相连接。所述非线性触发电路由三极管Q5，三极管Q6，一端与三极管Q5的集电极相连接、另一端经电阻R16后与三极管Q6的基极相连接的电阻R15，一端与三极管Q6的集电极相连接、另一端经电阻R17后与三极管Q5的基极相连接的电阻R18，串接在三极管Q5的集电极与三极管Q6的基极之间的电容C5，串接在三极管Q6的集电极与三极管Q5的基极之间的电容C6，N极与电阻R15和电阻R16的连接点相连接、P极则与三极管Q6的集电极相连接的二极管D2，以及N极与电阻R17和电阻R18的连接点相连接、P极与三极管Q5的集电极相连接的二极管Dl组成；所述三极管Q5的发射极经电阻R21后与二极管D4的P极相连接，场效应管MOSl的源极则与三极管Q6的发射极相连接；所述二极管Dl的P极和二极管D2的P极分别与控制开关电路的输出端相连接。所述控制开关电路由三极管Q3，三极管Q4，串接在三极管Q3的集电极与发射极之间的电容Cl，串接在三极管Q4的基极与发射极之间的电阻R8，以及一端与三极管Q4的基极相连接、另一端与分压开关电路相连接的电阻R7组成；所述三极管Q3的发射极与三极管Q4的集电极相连接，其基极则与分压开关电路相连接；所述三极管Q3的集电极与二极管Dl的P极相连接，三极管Q4的发射极则与二极管D2的P极相连接。所述分压开关电路由三级管Q1，三极管Q2，串接在三极管Ql的基极与发射极之间的电阻R2，串接在三极管Q2的基极与发射极之间的电阻R4，串接在三极管Ql的集电极与三极管Q3的基极之间的电阻R5，一端与三极管Ql的基极相连接、另一端经电阻R3后与三极管Q2的基极相连接的电阻R1，以及一端与三极管Q2的集电极相连接、另一端与电阻Rl和电阻R3的连接点相连接的电阻R6组成；所述三极管Q2的集电极则与电阻R7相连接，三极管Ql的发射极与三极管Q2的发射极相连接后均与三极管Q4的发射极相连接；电阻Rl和电阻R3的连接点还与三极管Q3的集电极相连接。所述的处理芯片Ul为GR6953集成芯片。本专利技术较现有技术相比，具有以下优点及有益效果:(I)本专利技术不仅整体结构较为简单，而且其功耗较低，其启动时间仅为传统漏极驱动电路启动时间的1/5。(2)本专利技术能有效的避免外部电磁干扰，能显著的降低电流噪音。(3)本专利技术开创性的将非线性触发电路与开关功率放大电路联合使用，不仅能确保非线性触发电路非线性特性，而且还能为开关功率放大电路提供安全可靠的触发电压，能明显的降低电磁脉冲的干扰，确保开关功率放大电路的性能稳定。(4)本专利技术的开关功率放大电路具有开关控制功能，能根据外部的输入信号自动开启和切断功率放大功能，能确保其自身不会因外部电流突变而损坏，从而确保其使用寿命O(5)本专利技术采用半桥控制驱动电路作为驱动电路，并且采用GR6953集成电路作为处理芯片，使其驱动速度更快，并具有低功耗启动的优点，从而使本专利技术能耗比传统的驱动系统降低1/2。【附图说明】图1为本专利技术的整体结构示意图。图2为本专利技术的半桥控制驱动电路结构示意图.【具体实施方式】下面结合实施例对本专利技术作进一步地详细说明，但本专利技术的实施方式不限于此。实施例如图1所不，本专利技术由开关功率放大电路，分压开关电路，与分压开关电路的输出端相连接的控制开关电路，与控制开关电路的输出端相连接的非线性触发电路，以及串接在开关功率放大电路与非线性触发电路之间的半桥控制驱动电路四部分组成。如图1所示，该开关功率放大电路由功率放大器P1，功率放大器P2，功率放大器?3，三极管07，三极管08，三极管09，电阻R9，电容C2，电阻R10，电容C3，电阻R11，电阻R12，电阻R13，电阻R14，电阻R19，电阻R20，电容C4，电容C7，电容C8及二极管D3组成。连接时本文档来自技高网...

【技术保护点】
基于半桥控制驱动电路的蓝光LED用漏极驱动系统，其由开关功率放大电路，分压开关电路，与分压开关电路的输出端相连接的控制开关电路，与控制开关电路的输出端相连接的非线性触发电路组成：其特征在于，在开关功率放大电路与非线性触发电路之间还串接有半桥控制驱动电路；所述半桥控制驱动电路由处理芯片U1，场效应管MOS1，三极管Q10，N极与三极管Q10的发射极相连接、P极则经电阻R21后与非线性触发电路相连接的二极管D4，正极与二极管D4的P极相连接、负极接地的极性电容C9，与极性电容C9相并联的稳压二极管D6，正极经电阻R24后与处理芯片U1的RT管脚相连接、负极则经电阻R22后与场效应管MOS1的栅极相连接的极性电容C11，串接在场效应管MOS1的栅极和源极之间的电阻R23，正极与处理芯片U1的CT管脚相连接、负极则与场效应管MOS1的漏极相连接的极性电容C10，一端与处理芯片U1的HV管脚相连接、另一端则与三极管Q10的基极相连接的电阻R25，以及P极与处理芯片U1的VS管脚相连接、N极则与开关功率放大电路相连接的二极管D5组成；所述场效应管MOS1的源极则与非线性触发电路相连接，而极性电容C11的负极则与开关功率放大电路相连接；所述处理芯片U1的VCC管脚和其VB管脚分别与二极管D4的P极和N极相连接，其SGND管脚和VS管脚均与极性电容C11的负极相连接，其PGND管脚接地；所述三极管Q10的集电极与极性电容C11的负极相连接。...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷明方，
申请(专利权)人：成都颉盛科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51