一种降压型转换器制造技术

本实用新型专利技术提供一种降压型转换器，其包括电压输入端、输出端正极、输出端负极、第一开关、二极管、电感、输出电容和占空比控制电路。所述电感连接于所述电压输入端和输出端正极之间；所述输出电容连接于所述输出端正极和输出端负极之间；所述第一开关连接于所述输出端负极和接地端之间；所述二极管的正极与所述输出端负极相连，所述二极管的负极与所述电压输入端相连，所述占空比控制电路输出驱动信号给第一开关的控制端，以控制第一开关导通或关断。与现有技术相比，本实用新型专利技术提供的降压型转换器可以直接采用NMOS晶体管作为开关使用，且不需要设置额外的自举电路，从而使得电路结构简单、成本低。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】
本技术涉及电路设计领域，特别涉及一种基于电感的降压型转换器。【
技术介绍
】请参考图1所示，其为现有技术中的一种降压型转换器的电路示意图。该降压型转换器包括输入电容Cl、输出电容C2、开关S1、二极管Dl和电感LI，其中，开关S1、电感LI和输出电容C2依次连接于电压输入端VIN和接地端GND之间，电感LI和输出电容C2之间的连接节点作为该降压型转换器的输出端VO ;负载Load连接于输出端VO和接地端GND之间；输入电容Cl连接于电压输入端VIN和接地端GND之间；二极管Dl的负极与开关SI和电感LI之间的连接节点LX相连，二极管Dl的正极与接地端GND相连；开关SI的控制端与驱动信号DV相连，驱动信号DV为占空比为D的周期信号。一般图1所示的降压型转换器的开关SI为PMOS (P-Channel Metal OxideSemiconductor)晶体管，当驱动信号DV为低电平时，PMOS晶体管导通；当驱动信号DV为高电平时，PMOS晶体管关断。当开关SI导通时，节点LX的电压等于电压输入端VIN的电压；当开关SI关断时，二极管Dl导通，节点LX的电压接近于地电平，LX信号表现为高电平为VIN、低电平为零的方波信号，其占空比与开关SI的占空比相同。LX信号经过由电感LI和输出电容Cl构成的低通滤波器，产生直流的输出信号V0，该输出端VO的电压等于节点LX上的平均电压，即VO = D*VIN，其中，VO为输出端VO的电压值，VIN为电压输入端VIN的电压值，D为驱动信号DV的开关占空比，由于D为O?I之间的值，因此，D*VIN小于或等于VIN,即图1所示的降压型转换器表现为降压功能。由于PMOS晶体管的价格昂贵，因此，第一开关SI用PMOS晶体管实现，会使得图1所示的降压型转换器具有较高的成本。一般NMOS (N-Channel Metal OxideSemiconductor)晶体管比PMOS晶体管成本低，如果图1中的开关SI用NMOS晶体管实现，则驱动信号DV的高电平需要大于(VIN+Vth)才能让NMOS晶体管完全导通(其中，VIN为电压输入端VIN的电压值，Vth为NMOS晶体管的阈值电压)，因此，就需要设置额外的自举(Boot-strap)电路产生特殊的驱动信号，从而导致电路结构复杂(一般至少需要额外的驱动电路和片外较大的电容)，成本也较高。因此，有必要提供一种改进的技术方案来解决上述问题。【
技术实现思路
】本技术的目的在于提供一种降压型转换器，其可以直接采用匪OS晶体管作为开关使用，且不需要设置额外的自举电路，从而使得电路结构简单、成本低。为了解决上述问题，本技术提供一种降压型转换器，其包括电压输入端、输出端正极、输出端负极、第一开关、二极管、电感、输出电容和占空比控制电路。所述电感连接于所述电压输入端和输出端正极之间；所述输出电容连接于所述输出端正极和输出端负极之间；所述第一开关连接于所述输出端负极和接地端之间；所述二极管的正极与所述输出端负极相连，所述二极管的负极与所述电压输入端相连，所述占空比控制电路输出驱动信号给第一开关的控制端，以控制第一开关导通或关断。进一步的，所述降压型转换器还包括输入电容，所述输入电容连接于所述电压输入端和接地端之间。进一步的，所述第一开关为PMOS晶体管或NMOS晶体管。进一步的，所述二极管为肖特基二极管。进一步的，所述降压型转换器的输出电压VO = V0P-V0N，则VO = D*VIN，其中，VO为输出电压的电压值，VIN为电压输入端VIN的电压值，D为驱动信号的占空比，VOP为所述输出端正极的电压值，VON所述输出端负极VON的电压值。为了解决上述问题，本技术提供另一种降压型转换器，其包括电压输入端、输出端正极、输出端负极、第一开关、第二开关、电感、输出电容和占空比控制电路，所述电感连接于所述电压输入端和输出端正极之间；所述输出电容连接于所述输出端正极和输出端负极之间；所述第一开关连接于所述输出端负极和接地端之间；第二开关连接于所述输出端负极和所述电压输入端之间，所述占空比控制电路输出驱动信号控制第一开关和第二开关交替导通。进一步的，所述降压型转换器还包括输入电容，所述输入电容连接于所述电压输入端和接地端之间。进一步的，所述第一开关SI为PMOS晶体管或NMOS晶体管；或所述第二开关S2为PMOS晶体管或NMOS晶体管。进一步的，所述占空比控制电路输出的驱动信号包括第一驱动信号和第二驱动信号，所述第一驱动信号与第一开关的控制端相连，以控制第一开关的导通或关断；所述第二驱动信号与第二开关的控制端相连，以控制第二开关的导通或关断，所述第一驱动信号和第二驱动信号之间存在死区时间，以避免第一开关和第二开关同时导通。进一步的，所述降压型转换器的输出电压VO = V0P-V0N，则VO = D*VIN，其中，VO为输出电压的电压值，VIN为电压输入端VIN的电压值，D为第一驱动信号的占空比，VOP为所述电压输出端正极VOP的电压值，VON所述电压输出端负极VON的电压值。与现有技术相比，本技术调整了现有的降压型转换器中的开关和二极管在电路中的位置，以在实现降压功能的同时，降低开关导通或关断时需要的驱动信号的电压值，从而使本技术的降压型转换器中的开关可以直接采用NMOS晶体管实现，且不需要额外设置可产生较高电压驱动信号的自举电路，从而使电路结构简单、成本低。【【附图说明】】为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。其中:图1为现有技术中的一种降压型转换器的电路示意图；图2为本技术在第一个实施例中的降压型转换器的电路示意图；图3为本技术在第二个实施例中的降压型转换器的电路示意图。【【具体实施方式】】为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和【具体实施方式】对本技术作进一步详细的说明。此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指可包含于本技术至少一个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本说明书中不同地方出现的“在一个实施例中”并非均指同一个实施例，也不是单独的或选择性的与其他实施例互相排斥的实施例。除非特别说明，本文中的连接、相连、相接的表示电性连接的词均表示直接或间接电性相连。请参考图2所示，其为本技术在第一个实施例中的降压型转换器的电路示意图。图2中的降压型转换器与图1的区别在于，调整了图1中的降压型转换器中的开关SI和二极管Dl在电路中的位置。图2所示的降压型转换器包括电压输入端VIN、输出端正极VOP、输出端负极VON、第一开关S1、二极管D1、电感L1、输入电容Cl、输出电容C2和占空比控制电路210。所述输入电容Cl连接于所述电压输入端VIN和接地端GND之间:所述电感LI连接于所述电压输入端VIN和输出端正极VOP之间；所述输出电容C2连接于所述输出端正极VOP和输出端负极VON之间；所述第一开关SI连接于所述输出端负极VON和接地端GND之间；所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种降压型转换器，其特征在于，包括电压输入端、输出端正极、输出端负极、第一开关、二极管、电感、输出电容和占空比控制电路，所述电感连接于所述电压输入端和输出端正极之间；所述输出电容连接于所述输出端正极和输出端负极之间；所述第一开关连接于所述输出端负极和接地端之间；所述二极管的正极与所述输出端负极相连，所述二极管的负极与所述电压输入端相连，所述占空比控制电路输出驱动信号给第一开关的控制端，以控制第一开关导通或关断。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王钊，
申请(专利权)人：无锡中星微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32