【技术实现步骤摘要】
本技术属于一种电子原器件制作装置，具体的是一种硅基稳压管芯片硼扩散后产生的硼硅相玻璃层的去除装置。
技术介绍
稳压管硼扩散后硼硅相玻璃层的去除方法，具体为稳压管进行硼扩散过程中硅片表面在高温过程产生硼硅相玻璃层，该层在稳压管芯片结构中是不希望存在的，必须将其去除。通常的去除方法是使用HF溶液漂洗去除，或先进行热氧化后再使用HF溶液漂洗去除，但有时去除效果不是很理想，会存在去除不彻底的现象，特别是由于环境或人为因素，导致该硼硅相玻璃吸潮，这层硼硅相玻璃层将很难去除。这种采用电解的原理，将硼硅相玻璃电化学分解，以达到去除的目的，且去除效果非常理想，完全没有残留。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决上述问题，提出一种稳压管硼扩散后硼硅相玻璃层的去除装置，该稳压管硼扩散后硼硅相玻璃层的去除装置具有简单、操作方便、快速有效，在室温通风环境下即可实现，可保证高可靠器件的需求，同时避免了由于硅片表面硼硅相玻璃去除不干净导致硅片的报废。本技术的目的是通过以下技术方案来实现的:稳压管硼扩散后硼硅相玻璃层的去除装置，设有石英容器，其特征在于:所述石英容器内盛有CuSO4饱和溶液，所述CuSO 4饱和溶液内放置有一硅片，所述硅片通过导线与与直流电源的正极相连接，所述直流电源的负极通过导线与CuSO4饱和溶液内的电极相连通。本技术的有益效果:在室温、通风环境下即可实现稳压管硅圆片表面在进行各类硼扩散过程中产生的硼硅相玻璃，避免了由于硼硅相玻璃去除不彻底带来的产品可靠性降低，甚至早期失效。该方法可以大大简化和缩短传统硼硅相玻璃去除方法，避免了 HF溶液对氧化层的消耗。可以省...
【技术保护点】
一种稳压管硼扩散后硼硅相玻璃层的去除装置，设有石英容器（6），其特征在于：所述石英容器内盛有CuSO4饱和溶液（5），所述CuSO4饱和溶液内放置有一硅片（4），所述硅片通过导线与与直流电源（1）的正极相连接，所述直流电源的负极通过导线（2）与CuSO4饱和溶液内的电极（3）相连通。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李志福，
申请(专利权)人：朝阳无线电元件有限责任公司，
类型：新型
国别省市：辽宁;21
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