低电阻高膨胀半导电单面阻水带制造方法技术

技术编号:12102570 阅读:94 留言:0更新日期:2015-09-23 20:57
低电阻高膨胀半导单面阻水带制造方法,涉及一种阻水带制造方法,低电阻高膨胀半导电单面阻水带,由基材层、半导电材料层和半导电吸水材料层组成。低电阻高膨胀半导电单面阻水带的制造方法包括,制作基材,在基材上施半导电胶液和半导电阻水粉、烘干、分切、包装。本发明专利技术制备的产品膨胀速度快,电性能好,且生产工艺简单,技术性能稳定,实用性强。适用于电缆使用,提高绝缘层、内外屏蔽层的防水渗入,阻水效果理想。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】
本专利技术涉及一种电缆阻水带制造方法,特别是涉及一种。
技术介绍
电缆运行中,由于缆芯强大的电流作用,绝缘层内的杂质、气孔以及内外屏蔽层的凸刺和损坏部位都会由于水的渗入发生水树现象,使绝缘层内部产生放电甚至击穿电缆,这就需要一种具有阻水功能的半导电材料来缓冲电场。为解决上述问题,目前通常采用半导电阻水带。虽然起到了半导电屏蔽缓冲电场的作用,但由于有覆盖层,大大延缓了膨胀过程,阻水效果不理想。而采用单面半导电阻水带一般体积电阻较大,表面容易积聚电荷,产生放电现象而带来隐患。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种,本专利技术制备的阻水带产品集电场缓冲、机械缓冲和阻水功能于一体,提高了产品的膨胀速度,使得阻水效果更可靠,同时降低了表面电阻和体积电阻,使得电性能增强。本专利技术是通过以下技术方案实现的: 低电阻高膨胀半导电单面阻水带的制造方法,所述方法包括下列工艺步骤: (1)基材的制作,按产品的规格要求制成符合要求的基材; (2)施半导电胶;半导电胶液施于待加工基材的一面上,线速10-30米/min; (3)施半导电阻水粉;半导电阻水粉自制,在三口瓶中先后加入氢氧化钠、丙烯酸经中和反应生成丙烯酸盐;加入由分散剂壬基酚聚氧乙烯醚硫酸钠、失水山梨醇脂肪酸酯S-40和导电剂炉黑组成的导电性浆料;加入交联剂聚乙二醇二丙烯酸酯、N,N-亚甲基双丙烯酰胺,通氮气30min,置换出反应器内部氧气,再加入引发剂过硫酸钠、亚硫酸氢钠静态聚合后得到水凝胶;经烘干、粉碎、筛分得半导电高阻水粉。上述半导电阻水粉施于上述步骤(2)所得的产品的一面上,线速10-30米/min。(4)烘干;将上述步骤(3)所制得的的产品在120_200°C下烘干,整理得低电阻高膨胀半导电单面阻水带。本专利技术制备的阻水带半导电材料层附着在基材层的一个表面上,通过粘接、涂覆、浸渍等方式与基材层结合,半导电吸水材料层附着于半导电材料层的另一个表面上,半导电吸水材料层通过粘接、涂覆、浸渍等方式与半导电材料层结合。本专利技术的优点与效果是:本专利技术的产品膨胀速度快,阻水效果可靠,降低了产品的表面电阻和体积电阻,提高了电性能,起到屏蔽和缓冲电场的作用,且生产工艺简单,技术性能稳定,实用性强。【具体实施方式】实施例1 (1)基材的制作:粘合布,单重:40g/m2,厚度0.16mm ; (2)施半导电胶;通过复合方式涂覆在步骤I的粘合布的一面上,线速15米/min; (3)施半导电阻水粉;在三口瓶中先后加入3.2Kg的氢氧化钠、7.2Kg丙烯酸经部分中和反应生成丙烯酸盐;加入由分散剂壬基酚聚氧乙烯醚硫酸钠0.4kg,0.4kg失水山梨醇脂肪酸酯S-40和4Kg导电剂炉黑组成的导电性浆料;加入交联剂聚乙二醇二丙烯酸酯0.005kg、N,N-亚甲基双丙烯酰胺0.005kg,通氮气30min,置换出反应器内部氧气;再加入引发剂过硫酸钠0.15kg、亚硫酸氢钠0.05kg静态聚合后得到水凝胶;经烘干、粉碎、筛分得半导电高阻水粉。上述半导电阻水粉施于上述步骤(2)所得的产品的一面上,线速15米/mino(4)将步骤3所的产品材料在150°C下烘干,整理得低电阻高膨胀半导电单面阻水带。产品性能测试结果如下: 单重:120g/m2厚度:0.30mm 抗张强度:45N/cm延伸率:16% 表面电阻:420 Ω体积电阻:2.4*104Ω.cm 膨胀速度:12mm/lstmin膨胀高度:20mm/3mino【主权项】1.低电阻高膨胀半导电单面阻水带的制造方法:其特征在于,所述方法包括下列工艺步骤: (1)基材的制作,按产品的规格要求制成符合要求的基材; (2)施半导电胶;半导电胶液施于待加工基材的一面上,线速10-30米/min; (3)施半导电阻水粉;半导电阻水粉自制,在三口瓶中先后加入氢氧化钠、丙烯酸经中和反应生成丙烯酸盐;加入由分散剂壬基酚聚氧乙烯醚硫酸钠、失水山梨村脂肪酸酯S-40和导电剂炉黑组成的导电性浆料;加入交联剂聚乙二醇二丙烯酸酯、N,N-亚甲基双丙烯酰胺,通氮气30min,置换出反应器内部氧气,再加入引发剂过硫酸钠、亚硫酸氢钠静态聚合后得到水凝胶;经烘干、粉碎、筛分得半导电高阻水粉;所得半导电阻水粉施于上述步骤(2)所制得产品的一面上,线速10-30米/min ; (4)烘干;将上述步骤(3)所制得产品在120-200°C下烘干,整理得低电阻高膨胀半导电单面阻水带。【专利摘要】低电阻高膨胀半导单面阻水带制造方法,涉及一种阻水带制造方法,低电阻高膨胀半导电单面阻水带,由基材层、半导电材料层和半导电吸水材料层组成。低电阻高膨胀半导电单面阻水带的制造方法包括,制作基材,在基材上施半导电胶液和半导电阻水粉、烘干、分切、包装。本专利技术制备的产品膨胀速度快,电性能好,且生产工艺简单,技术性能稳定,实用性强。适用于电缆使用,提高绝缘层、内外屏蔽层的防水渗入,阻水效果理想。【IPC分类】H01B7/288, H01B7/17【公开号】CN104934120【申请号】CN201510311945【专利技术人】俞飞, 张侠, 杨宏艳 【申请人】沈阳天荣电缆材料有限公司【公开日】2015年9月23日【申请日】2015年6月9日本文档来自技高网...

【技术保护点】
低电阻高膨胀半导电单面阻水带的制造方法:其特征在于,所述方法包括下列工艺步骤:(1)基材的制作,按产品的规格要求制成符合要求的基材;(2)施半导电胶;半导电胶液施于待加工基材的一面上,线速10‑30米/min;(3)施半导电阻水粉;半导电阻水粉自制,在三口瓶中先后加入氢氧化钠、丙烯酸经中和反应生成丙烯酸盐;加入由分散剂壬基酚聚氧乙烯醚硫酸钠、失水山梨村脂肪酸酯S‑40和导电剂炉黑组成的导电性浆料;加入交联剂聚乙二醇二丙烯酸酯、N,N‑亚甲基双丙烯酰胺,通氮气30min,置换出反应器内部氧气,再加入引发剂过硫酸钠、亚硫酸氢钠静态聚合后得到水凝胶;经烘干、粉碎、筛分得半导电高阻水粉;所得半导电阻水粉施于上述步骤(2)所制得产品的一面上,线速10‑30米/min;(4)烘干;将上述步骤(3)所制得产品在120‑200℃下烘干,整理得低电阻高膨胀半导电单面阻水带。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:俞飞张侠杨宏艳
申请(专利权)人:沈阳天荣电缆材料有限公司
类型:发明
国别省市:辽宁;21

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