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发光二极管封装结构制造技术

技术编号:12085581 阅读:143 留言:0更新日期:2015-09-20 01:30
一种发光二极管封装结构,包括基板、发光二极管芯片、反射层及封装体;该基板包括第一表面及与第一表面相对的第二表面,该基板的第一表面上设置有凹槽,该凹槽包括有间距设置的第一凹槽和第二凹槽,且第一凹槽和第二凹槽的截面分别呈反向背对的正L形结构和反L形结构,并第一凹槽和第二凹槽的深度小于基板第一表面和第二表面之间的厚度;该发光二极管芯片设置于基板的第一表面上,该封装体形成于基板第一表面,封装体覆盖所述发光二极管芯片并填充于所述基板上的第一凹槽、第二凹槽内;此封装结构大大增加封装体与基板之间的密合度,提高发光二极管封装结构的可靠度,达到了防止封装体从封装基板上脱落之目的。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体封装结构,尤其涉及一种发光二极管的封装结构。
技术介绍
相比于传统的发光源,发光二极管(Light Emitting D1de,LED)具有重量轻、体积小、节能环保、发光效率高等优点,其作为一种新型的发光源,已经被越来越多地广泛应用于指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。现有的发光二极管封装结构通常包括基板、设置于基板上的电极、位于基板上并与电极电性连接的发光二极管芯片以及设置于基板上并覆盖发光二极管芯片的封装体;然而,在实际应用中还存在一些不足,例如:封装体与基板结合度不够而导致封装体从基板上松脱甚至掉落等现象。
技术实现思路
因此,本技术的目的在于提供一种封装体与基板紧密结合的发光二极管封装结构。一种发光二极管封装结构,包括基板、发光二极管芯片、反射层及封装体;该基板包括第一表面及与第一表面相对的第二表面,该基板的第一表面上设置有凹槽,该凹槽包括有间距设置的第一凹槽和第二凹槽,且第一凹槽和第二凹槽的截面分别呈反向背对的正向L形结构和反向L形结构,并第一凹槽和第二凹槽的深度小于基板第一表面和第二表面之间的厚度;该发光二极管芯片设置于基板的第一表面上,该封装体形成于基板第一表面,封装体覆盖所述发光二极管芯片并填充于所述基板上的第一凹槽、第二凹槽内。进一步地,所述第一凹槽和第二凹槽均呈环形设置,且第一凹槽围绕于第二凹槽外周。与现有技术相比,发光二极管的封装结构更有利于增加封装体与基板之间的密合度,提高发光二极管封装结构的可靠度,可有效防止封装体从封装基板上脱落。【附图说明】图1为本技术的第一实施方式提供的一种发光二极管封装结构的剖视图。图2为本图1中的发光二极管封装结构的俯视图。【具体实施方式】为了使本技术的技术方案能更清晰地表示出来,下面结合附图对本技术作进一步说明。如图1至图2所示,为本技术的一较佳实施方式的发光二极管封装结构100,其包括一基板10、设置在基板10上的一发光二极管芯片20、二电极30、二金属导线50、覆盖该发光二极管芯片20的封装体40、及设置在封装体40顶部的反射层60。所述基板10用于支撑发光二极管芯片20及封装体40,其包括有第一表面11、及与该第一表面11对应的第二表面12。所述基板10上形成有凹槽70于第一表面11上,该凹槽70朝向基板10的第二表面12方向延伸,该凹槽70的深度小于基板10第一表面11和第二表面12之间的厚度;在本实施例中,该凹槽70包括间隔设置的第一凹槽71及第二凹槽72,该第一凹槽71及第二凹槽72均呈环形设置。该第一凹槽71及第二凹槽72的横截面分别呈L形设置,其中第一凹槽71呈反向L形设置,第二凹槽72的呈正向L形设置,第一凹槽71围绕于第二凹槽72 ;该凹槽70呈环形围绕电极30及发光二极管芯片20。所述电极30设置于基板10上并与所述发光二极管芯片20电性连接;该电极30包括相互间隔的第一电极31以及第二电极32,该第一电极31、第二电极32设置于基板第一表面11上并延伸贯穿基板10至第二表面11。所述发光二极管芯片20设置于所述基板10的第一表面11上,其通过金属导线50分别与第一电极31、第二电极32电性连接。所述封装体40设置于基板10上,该封装体40覆盖于发光二极管芯片20上并填满基板10上的凹槽70。在本实施例中,该封装体40填满所述第一凹槽71及第二凹槽72。该封装体40的顶部向下形成有一凹陷,所述反射层60设置于凹陷内。当发光二极管芯片20发光时,其发出一部分光线射向反射层60,在反射层底面61的反射作用下,将发光二极管芯片20发出的朝向正上方的光线导向发光二极管芯片的侧边,如此,可增加发光二极管的出光范围。本技术的发光二极管封装结构大大增加封装体与基板之间的密合度,提高发光二极管封装结构的可靠度,达到了防止封装体从封装基板上脱落的目的。以上所述实施例仅表达了本技术的一种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本技术构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本技术的保护范围。因此,本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。【主权项】1.一种发光二极管封装结构,其特征在于:包括基板、发光二极管芯片、反射层及封装体;该基板包括第一表面及与第一表面相对的第二表面,该基板的第一表面上设置有凹槽,该凹槽包括有间距设置的第一凹槽和第二凹槽,且第一凹槽和第二凹槽的截面分别呈反向背对的正向L形结构和反向L形结构,并第一凹槽和第二凹槽的深度小于基板第一表面和第二表面之间的厚度;该发光二极管芯片设置于基板的第一表面上,该封装体形成于基板第一表面,封装体覆盖所述发光二极管芯片并填充于所述基板上的第一凹槽、第二凹槽内。2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述第一凹槽和第二凹槽均呈环形设置,且第一凹槽围绕于第二凹槽外周。【专利摘要】一种发光二极管封装结构,包括基板、发光二极管芯片、反射层及封装体;该基板包括第一表面及与第一表面相对的第二表面,该基板的第一表面上设置有凹槽,该凹槽包括有间距设置的第一凹槽和第二凹槽,且第一凹槽和第二凹槽的截面分别呈反向背对的正L形结构和反L形结构,并第一凹槽和第二凹槽的深度小于基板第一表面和第二表面之间的厚度;该发光二极管芯片设置于基板的第一表面上,该封装体形成于基板第一表面,封装体覆盖所述发光二极管芯片并填充于所述基板上的第一凹槽、第二凹槽内;此封装结构大大增加封装体与基板之间的密合度,提高发光二极管封装结构的可靠度,达到了防止封装体从封装基板上脱落之目的。【IPC分类】H01L33/48, H01L33/54, H01L33/60【公开号】CN204651345【申请号】CN201520269343【专利技术人】吴玉霞 【申请人】吴玉霞【公开日】2015年9月16日【申请日】2015年4月29日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管封装结构,其特征在于:包括基板、发光二极管芯片、反射层及封装体;该基板包括第一表面及与第一表面相对的第二表面,该基板的第一表面上设置有凹槽,该凹槽包括有间距设置的第一凹槽和第二凹槽,且第一凹槽和第二凹槽的截面分别呈反向背对的正向L形结构和反向L形结构,并第一凹槽和第二凹槽的深度小于基板第一表面和第二表面之间的厚度;该发光二极管芯片设置于基板的第一表面上,该封装体形成于基板第一表面,封装体覆盖所述发光二极管芯片并填充于所述基板上的第一凹槽、第二凹槽内。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:吴玉霞
申请(专利权)人:吴玉霞
类型:新型
国别省市:湖南;43

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