【技术实现步骤摘要】
本申请享有以日本专利申请2014-52765号(申请日:2014年3月14日)作为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及半导体装置。
技术介绍
具备高绝缘击穿强度、能够减少电力损失的GaN系半导体装置在向功率电子学用半导体装置或高频功率半导体装置中等的应用受到期待。但是,在GaN系半导体装置中,存在若干电气特性方面的课题。作为电气特性方面的课题之一,存在“电流崩塌”。电流崩塌是指:在对晶体管施加高漏极电压后,当再次施加漏极电压时,导通电阻上升的现象。作为电流崩塌的主要因素之一,认为是在沟道中移动的电子在GaN系半导体表面等被捕获。
技术实现思路
本专利技术提供一种抑制了电气特性的变动的半导体装置。实施方式的半导体装置具备:GaN系半导体层;设置在GaN系半导体层上的源极;设置在GaN系半导体层上的漏极;在源极与漏极之间的、设置在GaN系半导体层上的栅极;以及在栅极与漏极之间与GaN系半导体层接触设置的第1导电层。附图说明图1是第1实施方式的半导体装置的示意剖视图。图2是第1实施方式的半导体装置的示意俯视图。图3是第2实施方式的半导体装置的示意剖视图。图4是第2实施方式的半导体装置的示意俯视图。图5是第3实施方式的半导体装置的示意剖视图。图6是第4实施方式的半导体装置的示意剖视图。图7是第4实施方式的半 ...
【技术保护点】
一种半导体装置,其特征在于,具备:GaN系半导体层;设置在所述GaN系半导体层上的源极;设置在所述GaN系半导体层上的漏极;在所述源极与所述漏极之间的、设置在所述GaN系半导体层上的栅极;以及在所述栅极与所述漏极之间与所述GaN系半导体层接触地设置的第1导电层。
【技术特征摘要】
2014.03.14 JP 2014-0527651.一种半导体装置,其特征在于,具备:
GaN系半导体层;
设置在所述GaN系半导体层上的源极;
设置在所述GaN系半导体层上的漏极;
在所述源极与所述漏极之间的、设置在所述GaN系半导体层上的栅极;
以及
在所述栅极与所述漏极之间与所述GaN系半导体层接触地设置的第1
导电层。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述第1导电层具有与所述栅极的伸长方向平行的多个线状部。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述第1导电层是金属。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
所述第1导电层与所述漏极连接。
5.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于,
在所述第1导电层与所述漏极之间还具备电阻率比所述第1导电层高
的第1电阻体。
6.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
还具备接地端子,所述第1导电层与所述接地端子连接。
7.根据权利要求4~6中任一项所述的半导体装置,其特征在于,
所述GaN系半导体层与所述第1导电层肖特基接触。
8.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,
所述多个线状部具有不同的线宽,距所述栅极最近的线状部的线宽最
宽。
9.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,
还具备在所述源极与所述栅极之间与所述GaN系半导体层接触地设置
的第2导电层。
10.根据权利要求9所述的半导体装置,其特征在于,
所述第2导电层与所述源极连接。
11.一种半导体装置,其特征在于,具备:
GaN系半导体层;
设置在所述GaN系半导体层上的源极;
设置在所述GaN系半导体层上的漏极;
在所述源极与所述漏极之间的、设置在所述GaN系半导体层上的栅极;
在所述栅极与所述漏极之间与所述GaN系半导体层接触地设置的第1
保护膜;以及
设置在所述第1保护膜上、且电阻率比...
【专利技术属性】
技术研发人员:安本恭章,梁濑直子,阿部和秀,内原士,齐藤泰伸,仲敏行,吉冈启,小野祐,大野哲也,藤本英俊,增子真吾,古川大,八木恭成,汤元美树,饭田敦子,村上友佳子,罇贵子,
申请(专利权)人:株式会社东芝,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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