具有高出光率的发光二极管制造技术

一种具有高出光率的发光二极管，包括基板、反射杯、发光二极管芯片、电极、封装体及荧光层。反射杯及电极安装于基板上，发光二极管芯片固定于电极上。封装体设置于反射杯内并覆盖于电极及发光二极管芯片上。荧光层设置于反射杯的出口并覆盖于封装体上。电极包括有彼此隔离的两电极，两电极包括有承载部、嵌入部、及限位部，嵌入部与限位部均嵌于基板内，限位部横向宽度大于嵌入部横向宽度，承载部延伸出基板上表面，两电极承载部均设置有凹槽。封装体填充于两电极的凹槽内，与电极形成一卡持结构，提高了封装的可靠度。荧光层包括荧光粉涂布区和荧光粉未涂布区，该荧光层的设计，大大提高了发光二极管的出光率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种发光二极管，尤其涉及一种具有高出光率的发光二极管。
技术介绍
目前产业上常见的发光二极管包括基板、电极、发光二极管芯片及封装体。然而，现有技术中，基板、封装体以及电极通常采用不同材质制成，以致基板与封装体、电极之间的接合力欠佳，导致封装体从基板上松脱甚至掉落等现象。发光二极管通过在封装体上涂布荧光粉层以转换发光颜色，由于封装体和荧光粉层的折射率均较空气的大，当发光二极管光线由封装体或荧光粉层射向外界空气时，若入射角大于临界角度就会发生全反射而无法射出。而此种结构中的发光二极管发出的光需经过封装体和荧光粉层的两次折射才能到达外界空间，使得发生全反射的概率更大，因而影响到发光二极管的发光效率。
技术实现思路
因此，本技术的目的在于提供一种具有高出光率的发光二极管。—种具有高出光率的发光二极管，包括基板、反射杯、发光二极管芯片、电极、封装体及荧光层；该基板上开设有两非规则通孔，该两通孔于基板底面分别开设有限位槽，该限位槽横向宽度大于通孔其它部位宽度；该反射杯及电极安装于基板上，该电极包括有彼此隔离的两电极，该两电极分别包括有承载部、嵌入部、及限位部，该嵌入部收容于通孔内，该限位部卡榫于限位槽，该限位部横向宽度大于嵌入部横向宽度，该承载部延伸出基板上表面，该两电极承载部均设置有截面为圆弧形的凹槽；该发光二极管芯片固定于电极上，该封装体设置于反射杯内并覆盖于电极及发光二极管芯片上，该荧光层设置于反射杯的出口并覆盖于封装体上，其包括荧光粉涂布区和荧光粉未涂布区，该荧光粉涂布区设置于发光二极管芯片的正上方位置，且其面积小于发光二极管芯片发出的光透过封装体时的出光面积。进一步地，所述两电极承载部的对应面与远离面均设有凹槽，所述封装体填充于凹槽内。进一步地，所述荧光粉未涂布区围绕于荧光粉涂布区周围。进一步地，所述反射杯的上表面内侧设置有阶梯部，使得反射杯的出口形成一“回”字形结构。与现有技术相比，该发光二极管的封装体与基板之间的结合度得到了有效加强，提高了封装可靠度，有效防止封装体脱落，以及，其荧光层的设计，提高了发光二极管的出光率。【附图说明】图1为本技术的具有高出光率的发光二极管的立体示意图。图2为本图1中的具有高出光率的发光二极管的1-1剖面示意图。【具体实施方式】为了使本技术的技术方案能更清晰地表示出来，下面结合附图对本技术作进一步说明。如图1至图2所示，为本技术的一较佳实施例的具有高出光率的发光二极管100，包括基板10、反射杯20、发光二极管芯片40、电极30、封装体60及荧光层50。该反射杯20及电极30安装在基板10上，所述发光二极管芯片40固定在电极30上，所述封装体60设置于反射杯20内并覆盖于电极30及发光二极管芯片40上；所述荧光层50设置于反射杯20的出口并覆盖于封装体60上。该基板10包括上表面11及下表面12。该基板10上设置有贯通上表面11及下表面12的非规则通孔；在本实施例中，该非规则通孔包括有第一通孔71和第二通孔72，该第一通孔71和第二通孔72间距设置。该第一通孔71包括有第一限位槽711，该第二通孔72包括第二限位槽721，该第一限位槽711及第二限位槽721均设置于基板下表面12，其横向宽度大于第一通孔71和第二通孔72的其他位置的宽度。可以理解的，所述非规则通孔也可包括有多个限位槽。该反射杯20设置于基板上表面11上，并与基板上表面11形成一容置空间，该反射杯20的上表面内侧形成有阶梯部21，使得反射杯20的开口处形成一“回”字形结构。该电极30设置于反射杯20内的基板10上，该电极分为第一电极31和第二电极32，分别对应安装在基板10上的第一通孔71和第二通孔72上。该第一电极31包括第一嵌入部312、第一承载部313、及第一限位部311，其中该第一嵌入部312收容于第一通孔71，该第一限位部311卡榫于第一限位槽711，该第一承载部313延伸超出基板10的上表面11 ；第一承载部313对应第二电极32面设置有第一凹槽313b，远离第二电极32面设置有第二凹槽313a ;该第二电极32包括第二嵌入部322、第二承载部323、及第二限位部321，其中第二嵌入部322收容于第二通孔72，第二限位部321卡榫于第二限位槽721 ;第二承载部314对应第一电极31面设置有第三凹槽323b，远离第一电极31面设置有第四凹槽323a。该发光二极管芯片40设置于第二电极32上，其分别与第一电极31、第二电极32电性连接。该封装体60设置于反射杯20内并覆盖于第一电极31、第二电极32及发光二极管芯片40上，该封装体60的上表面与反射杯20的阶梯部21平齐，该封装体60填充于第一凹槽313b、第二凹槽313a、第三凹槽323b及第四凹槽323a内，与电极30形成一卡持结构，使得封装体60与基板10结合更稳固。该荧光层50设置于反射杯20出口面的阶梯部21并覆盖于封装体60上，该荧光层50包括荧光粉涂布区51和荧光粉未涂布区52。该荧光粉涂布区51设置于发光二极管芯片40的正上方位置，且其面积小于发光二极管芯片40发出的光透过封装体60时的发光面积。荧光粉未涂布区52为荧光层50除荧光粉涂布区51以外的部分，其围绕于荧光粉涂布区51周边。该荧光粉未涂布区52与发光二极管芯片40之间的距离较荧光粉涂布区51与发光二极管芯片40之间的距离远，到达该荧光粉未涂布区52的光线的入射角较其他位置的大。当入射角度较大的光线进入荧光粉未涂布区52时，因未含荧光粉，可避免该部分光线被荧光粉吸收、反射，提高该部分光线的出光率，从而提高发光二极管的发光效率。本技术的封装稳固且具有高发光率的发光二极管的封装体与基板之间的结合度得到了有效加强，提高了封装可靠度，有效防止封装体脱落，以及，其荧光层的设计，提高了发光二极管的出光率。以上所述实施例仅表达了本技术的一种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。【主权项】1.一种具有高出光率的发光二极管，其特征在于:包括基板、反射杯、发光二极管芯片、电极、封装体及荧光层；该基板上开设有二非规则通孔，该二非规则通孔于基板底面分别开设有限位槽，该限位槽横向宽度大于通孔其它部位宽度；所述反射杯及电极安装于基板上，该电极包括有彼此隔离的二电极，该二电极分别包括有承载部、嵌入部、及限位部，该嵌入部收容于通孔内，该限位部卡榫于限位槽，该限位部横向宽度大于嵌入部横向宽度，该承载部延伸出基板上表面，该二电极承载部均设置有截面为圆弧形的凹槽；该发光二极管芯片固定于电极上，该封装体设置于反射杯内并覆盖于电极及发光二极管芯片上，该荧光层设置于反射杯的出口并覆盖于封装体上，其包括荧光粉涂布区和荧光粉未涂布区，该荧光粉涂布区设置于发光二极管芯片的正上方位置，且其面积小于发光二极管芯片发出的光透过封装体时的出光面积。2.如权利要求1所述的一种具有高出光率的发光二极管，其特征在于:所述两电极承载部的对应面与远本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有高出光率的发光二极管，其特征在于：包括基板、反射杯、发光二极管芯片、电极、封装体及荧光层；该基板上开设有二非规则通孔，该二非规则通孔于基板底面分别开设有限位槽，该限位槽横向宽度大于通孔其它部位宽度；所述反射杯及电极安装于基板上，该电极包括有彼此隔离的二电极，该二电极分别包括有承载部、嵌入部、及限位部，该嵌入部收容于通孔内，该限位部卡榫于限位槽，该限位部横向宽度大于嵌入部横向宽度，该承载部延伸出基板上表面，该二电极承载部均设置有截面为圆弧形的凹槽；该发光二极管芯片固定于电极上，该封装体设置于反射杯内并覆盖于电极及发光二极管芯片上，该荧光层设置于反射杯的出口并覆盖于封装体上，其包括荧光粉涂布区和荧光粉未涂布区，该荧光粉涂布区设置于发光二极管芯片的正上方位置，且其面积小于发光二极管芯片发出的光透过封装体时的出光面积。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴玉霞，
申请(专利权)人：吴玉霞，
类型：新型
国别省市：湖南;43