本实用新型专利技术涉及一种大功率输出MCU调压电路，包括升降压拓扑电路、MOS驱动电路、MCU和电源电路，所述MOS驱动电路与所述升降压拓扑电路连接，所述MOS驱动电路和所述升降压拓扑电路分别与所述MCU连接，所述升降压拓扑电路、MOS驱动电路和MCU分别与所述电源电路连接。本实用新型专利技术的一种大功率输出MCU调压电路，相比于现有技术中通过升降压IC和数字电位器调压方案，只需调整MCU输出的PWM占空比就能方便调压，并通过改变MOS型号和电感规格就能方便调整最大输出功率，使得最大输出功率能轻松超过50W，整个电路成本较低，控制比较简单。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电子电源领域，尤其涉及一种大功率输出MCU调压电路。
技术介绍
电路中，需要电池或其他电源给电路供电，以实现电路的功能。当前，单电池供电(3.3到4.2V供电)调压方案是用升降压IC配合数字电位器。虽然可以实现调压，但是如果IC集成MOS，输出功率较小，一般不超过15W，如果外接MOS配合电位器调压，电路复杂，成本高，并且不容易控制。为此，需要开发一种较大功率的调压电路，并且能保证电路的成本不会太高。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足，提供一种大功率输出MCU调压电路。本技术解决上述技术问题的技术方案如下:一种大功率输出MCU调压电路，包括升降压拓扑电路、MOS驱动电路、MCU和电源电路，所述MOS驱动电路与所述升降压拓扑电路连接，所述MOS驱动电路和所述升降压拓扑电路均与所述MCU连接，所述升降压拓扑电路、MOS驱动电路和MCU分别与所述电源电路连接。本技术的有益效果是:本技术的一种大功率输出MCU调压电路，相比于现有技术中通过升降压IC和数字电位器调压方案，只需调整MCU输出的PWM占空比就能方便调压，并能方便调整最大输出功率，使得最大输出功率能轻松超过50W，整个电路成本较低，控制比较简单。在上述技术方案的基础上，本技术还可以做如下改进:进一步:所述电源电路包括电池、LDO稳压电路和泵压电路，所述升降压拓扑电路、LDO稳压电路和泵压电路分别与所述电池连接，所述LDO稳压电路与所述MCU连接，用于给所述MCU提供3V稳定电压，所述泵压电路与所述MOS驱动电路连接，用于给所述MOS驱动电路提供5V稳定电压。上述进一步方案的有益效果是:通过所述LDO稳压电路和泵压电路，能分别给所述MCU和MOS驱动电路提供正常的工作电压。进一步:还包括电池电压检测电路，所述电池电压检测电路的输入端与所述电池连接，输出端与所述MCU连接。所述电池电压检测电路包括电阻R3、电阻R6和电容C6，所述电池的正负极之间顺次串联有所述电阻R3和电阻R6，所述电阻R3和电阻R6的公共端通过所述电容C6与所述电池的负极连接，所述电池的负极与地连接。上述进一步方案的有益效果是:通过所述电池电压检测电路可以实时监测电池的电压，这样就可以知道电池的实时电量。进一步:所述MOS驱动电路包括三极管Q5、三极管Q6、三极管Q7、三极管Q8、电阻R44、电阻R45和电阻R46，所述三极管Q5的发射极与所述三极管Q6的发射极连接，且二者的公共端与所述MCU的PWM输出端连接，所述三极管Q7的集电极与所述三极管Q8的集电极连接，且二者的公共端与所述升降压拓扑电路的输入端连接，所述三极管Q5的集电极与所述三极管Q7的基极连接，所述三极管Q6的集电极与所述三极管Q8的基极连接，所述三极管Q7的发射极与所述泵压电路的输出端连接，所述三极管Q8的发射极与地连接，所述电阻R44和电阻R454顺次串联在所述泵压电路的输出端与地之间，所述三极管Q5的基极与所述三极管Q6的基极连接，且二者的公共端与所述电阻R44和电阻R454的公共端连接，所述三极管Q5的集电极与发射极之间通过所述电阻R46连接。上述进一步方案的有益效果是:通过所述MOS驱动电路，能加速MOS管的导通与关断，提高电源效率；由5V供电，减小MOS导通电阻，增强MOS通流能力从而提高整个电路最大输出功率。进一步:所述MOS驱动电路还包括PWM反向电路，所述PWM反向电路的输入端与所述MCU的PWM输出端连接，所述PWM反向电路的输出端与所述三极管Q5的发射极连接，所述PWM反向电路包括三极管Q9、电阻R47、电阻R48和电容C48，所述三极管Q9的集电极与所述三极管Q5的发射极连接，所述三极管Q9的发射极与地连接，所述三极管Q9的基极与所述MCU的PWM输出端之间顺次连接有所述电阻R47和电容C48，所述电阻R47和电容C48的公共端通过所述电阻R48接地。上述进一步方案的有益效果是:通过所述PWM反向电路，电容C48起到隔直通交的作用，使得只有MCU正常工作有PWM输出时，MOS才能有效导通与关断，避免MCU死机时其PWM输出口呈随机状态而造成MOS恒导通而烧毁，从而避免电池因长时大电流放电而可能带来安全危害。进一步:所述升降压拓扑电路包括电感L1、电感L2、输出采样电阻R41、电阻R42、电容C41、电容C45、电容C46、M0S管U2、二极管D5和电流采样电阻R09，所述电容C45和电容C46并联，且所述电容C45和电容C46的一个公共端与地之间顺次串联有所述电感LI和电容C41，所述电感LI和电容C41的公共端与所述电池正极连接，所述电容C45和电容C46的另一端与所述二极管D5的正极连接，所述二极管D5的负极与地之间通过所述电阻R41与电阻R42顺次串联，所述二极管D5的负极与所述电阻R41的公共端与外部负载的输入端连接，外部负载的输出端通过所述电阻R09接地，所述MOS管的1、2、3号引脚分别接地，4号引脚与所述MOS驱动电路的输出端连接，5、6、7、8号引脚分别与所述电感LI与电容C45的公共端连接。上述进一步方案的有益效果是:通过调节PWM的占空比，即可非常方便的调节输出电压。进一步:所述升降压拓扑电路还包括用于输出滤波的电容C42和电容C44，所述二极管D5的负极分别通过所述电容C42和电容C44与地连接。上述进一步方案的有益效果是:通过所述电容C42和电容C44，即可对输出的电压进行滤波及降低干扰。进一步:所述升降压拓扑电路还包括稳压二极管Zl和稳压二极管Z2，所述MOS管的4号引脚与地之间通过所述稳压二极管Zl和稳压二极管Z2顺次连接。进一步:还包括电流检测放大电路，所述电流检测放大电路包括电阻R05、电阻R06、电阻R07、电阻R08、电容C01、电容C03和放大芯片U1，所述放大芯片Ul的I号引脚与地之间顺次串联有所述电阻R08和电阻R06，2号引脚与所述电阻R08和电阻R06的公共端连接，3号引脚通过所述电阻R05与外部负载的输出端连接，3号引脚通过所述电容C03与地连接，4号引脚与地连接，8号引脚通过所述电阻R07与所述泵压电路的输出端连接，8号引脚通过所述电容COl与地连接。【附图说明】图1为本技术的一种大功率输出MCU调压电路结构示意图；图2为本技术的一种大功率输出MCU调压电路中LDO稳压电路图；图3为本技术的一种大功率输出MCU调压电路中泵压电路图；图4为本技术的一种大功率输出MCU调压电路中电池电压检测电路图；图5为本技术的一种大功率输出MCU调压电路中MOS驱动电路图；图6为本技术的一种大功率输出MCU调压电路中升降压拓扑电路图；图7为本技术的一种大功率输出MCU调压电路中电流检测放大电路图；图8为本技术的一种大功率输出MCU调压电路中USB充电管理电路图。【具体实施方式】以下结合附图对本技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本技术，并非用于限定本技术的范围当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种大功率输出MCU调压电路，其特征在于：包括升降压拓扑电路、MOS驱动电路、MCU和电源电路，所述MOS驱动电路与所述升降压拓扑电路连接，所述MOS驱动电路和所述升降压拓扑电路均与所述MCU连接，所述升降压拓扑电路、MOS驱动电路和MCU分别与所述电源电路连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：彭玉刚，
申请(专利权)人：彭玉刚，
类型：新型
国别省市：福建;35
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