开关电源保护电路制造技术

技术编号:12048397 阅读:38 留言:0更新日期:2015-09-13 14:45
本实用新型专利技术涉及了一种开关电源保护电路,包括第一二极管、第二二极管、稳压二极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、电容、三极管、场效应晶体管,所述第一电阻与电容串联后连接电压端的两端,所述电压端的一端通过第二电阻分别连接场效应晶体管的栅极和三极管的集电极,所述电压端的另一端分别连接第三电阻的一端、三极管的发射极和场效应晶体管的源极,所述第三电阻的另一端分别连接三极管的基极和稳压二极管的正极,所述稳压二极管的负极连接第二二极管的负极,所述第二二极管的正极连接在电容与第一电阻之间以及连接第一二极管的正极,所述第一二极管的负极连接场效应晶体管的漏极。本实用新型专利技术过流动作响应速度快、可靠性高、保护效果好。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电源开关
,具体的说是一种开关电源保护电路
技术介绍
开关电源中保护电路,一般利用互感器实现电流一电压的比值转换,当信号的电平高于稳压管稳定电压是,采用输入PWM芯片的保护脚截止振荡工作的保护方式。这种保护电路的缺点是响应速度慢、动作迟缓、对短路性电流增长过快可能来不及动作。
技术实现思路
针对上述现有技术不足,本技术提供一种过流动作响应速度快、可靠性高、保护效果好的开关电源保护电路。本技术提供的开关电源保护电路是通过以下技术方案实现的:一种开关电源保护电路,其特征在于:包括第一二极管D1、第二二极管D2、稳压二极管ZD、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、电容C、三极管Q、场效应晶体管VT,所述第一电阻R1与电容C串联后连接电压端U的两端,所述电压端U的一端通过第二电阻R2分别连接场效应晶体管VT的栅极G和三极管Q的集电极,所述电压端U的另一端分别连接第三电阻R3的一端、三极管Q的发射极和场效应晶体管VT的源极S,所述第三电阻R3的另一端分别连接三极管Q的基极和稳压二极管ZD的正极,所述稳压二极管ZD的负极连接第二二极管D2的负极,所述第二二极管D2的正极连接在电容C与第一电阻Rl之间以及连接第一二极管Dl的正极,所述第一二极管Dl的负极连接场效应晶体管VT的漏极。本技术的有益效果是:过流动作响应速度快、可靠性高、保护效果好。【附图说明】图1是本技术的结构示意图。【具体实施方式】为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚,以下结合附图及具体实施例,对本申请作进一步地详细说明。如图1所示的一种开关电源保护电路,其特征在于:包括第一二极管D1、第二二极管D2、稳压二极管ZD、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、电容C、三极管Q、场效应晶体管VT,所述第一电阻Rl与电容C串联后连接电压端U的两端,所述电压端U的一端通过第二电阻R2分别连接场效应晶体管VT的栅极G和三极管Q的集电极,所述电压端U的另一端分别连接第三电阻R3的一端、三极管Q的发射极和场效应晶体管VT的源极S,所述第三电阻R3的另一端分别连接三极管Q的基极和稳压二极管ZD的正极,所述稳压二极管ZD的负极连接第二二极管D2的负极,所述第二二极管D2的正极连接在电容C与第一电阻Rl之间以及连接第一二极管Dl的正极,所述第一二极管Dl的负极连接场效应晶体管VT的漏极D。开关电源保护电路在正常工作时,场效应晶体管VT导通,场效应晶体管VT的漏源极电压U处于低电平,第二二极管D2的正极的电位通过第一二极管Dl回流至场效应晶体管VT的漏极D处,因为场漏极D处于低电位,所以第二二极管D2的正极也处于低电位,不对三极管Q产生偏置;当场效应晶体管VT过流时,场效应晶体管VT的漏源极电压U迅速上升,第一二极管Dl承受反向电压截止,因为第一电阻Rl和电容C的差点作用,第二二极管D2的正极电位开始升高,直到三极管Q导通,场效应晶体管VT可靠关断而处于截止状态,限制了过电流。以上所述实施例仅表示本技术的实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能理解为对本技术范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本技术构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本技术保护范围。【主权项】1.一种开关电源保护电路,其特征在于:包括第一二极管、第二二极管、稳压二极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、电容、三极管、场效应晶体管,所述第一电阻与电容串联后连接电压端的两端,所述电压端的一端通过第二电阻分别连接场效应晶体管的栅极和三极管的集电极,所述电压端的另一端分别连接第三电阻的一端、三极管的发射极和场效应晶体管的源极,所述第三电阻的另一端分别连接三极管的基极和稳压二极管的正极,所述稳压二极管的负极连接第二二极管的负极,所述第二二极管的正极连接在电容与第一电阻之间以及连接第一二极管的正极,所述第一二极管的负极连接场效应晶体管的漏极。【专利摘要】本技术涉及了一种开关电源保护电路,包括第一二极管、第二二极管、稳压二极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、电容、三极管、场效应晶体管,所述第一电阻与电容串联后连接电压端的两端,所述电压端的一端通过第二电阻分别连接场效应晶体管的栅极和三极管的集电极,所述电压端的另一端分别连接第三电阻的一端、三极管的发射极和场效应晶体管的源极,所述第三电阻的另一端分别连接三极管的基极和稳压二极管的正极,所述稳压二极管的负极连接第二二极管的负极,所述第二二极管的正极连接在电容与第一电阻之间以及连接第一二极管的正极,所述第一二极管的负极连接场效应晶体管的漏极。本技术过流动作响应速度快、可靠性高、保护效果好。【IPC分类】H02H7/10【公开号】CN204633318【申请号】CN201520391498【专利技术人】何激扬, 戈建利 【申请人】成都锐思灵科技有限公司【公开日】2015年9月9日【申请日】2015年6月9日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种开关电源保护电路,其特征在于:包括第一二极管、第二二极管、稳压二极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、电容、三极管、场效应晶体管,所述第一电阻与电容串联后连接电压端的两端,所述电压端的一端通过第二电阻分别连接场效应晶体管的栅极和三极管的集电极,所述电压端的另一端分别连接第三电阻的一端、三极管的发射极和场效应晶体管的源极,所述第三电阻的另一端分别连接三极管的基极和稳压二极管的正极,所述稳压二极管的负极连接第二二极管的负极,所述第二二极管的正极连接在电容与第一电阻之间以及连接第一二极管的正极,所述第一二极管的负极连接场效应晶体管的漏极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:何激扬戈建利
申请(专利权)人:成都锐思灵科技有限公司
类型:新型
国别省市:四川;51

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