反应管及采用该反应管的硅芯生长炉制造技术

本实用新型专利技术提出了一种反应管，用于设于一硅芯生长炉内，该反应管为氮化硅管，其包括一管体及设于该管体顶端的端部，该管体的底部为封闭状态，顶部为开口状态，所述端部连接设于管体的顶部，且为漏斗状结构。本实用新型专利技术中反应管，由于其端部的设置，所放置的硅料除放满管体内外还设于端部内，硅料于管体内熔化成液体而体积变小，该端部内的硅料弥补于管体内，最终使熔化成液态的硅料完全处于管体内，从而防止管体内硅料不足而影响产品的问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种硅材料制作工业
，特别是指一种反应管及采用该反应管的硅芯生长炉。
技术介绍
多晶硅是制备半导体器件和太阳能电池的原材料，是全球电子工业及光伏产业的基石。目前制备多晶硅主要利用化学气相沉积技术，采用反应管，将硅芯作为发热体及硅的沉积载体，用三氯氢硅作为反应气体，氢气作还原气体，待硅芯升高到一定温度后，三氯氢硅与氢气在硅芯表面反应生成硅并沉积在硅芯表面，最终得到想要的多晶硅。然而，现有的反应管通常为一直筒状的管体，由于硅料熔化后体积会变小，常常使得硅料不足而影响产品质量。
技术实现思路
本技术提出一种反应管及采用该反应管的硅芯生长炉，解决了现有技术中硅料不足的问题。本技术的技术方案是这样实现的:一种反应管，用于设于一硅芯生长炉内，该反应管为氮化硅管，其包括一管体及设于该管体顶端的端部，该管体的底部为封闭状态，顶部为开口状态，所述端部连接设于管体的顶部，且为漏斗状结构。优选方案为，所述反应管内还可设有一层氮化硅涂层。优选方案为，所述端部的内径由其顶端向其底端逐渐缩小，且底端的内径与管体的内径相同，所述管体的内径由上向下各处均相等。一种硅芯生长炉，包括底座、设于该底座上的保温炉及设于该保温炉内的反应管，该保温炉上分别设有进气口及出气口，该反应管包括一管体及设于该管体顶端的端部，该管体的底部为封闭状态，顶部为开口状态，所述端部连接设于管体的顶部，且为漏斗状结构。优选方案为，所述保温炉内由下向上依次设有衬板、第一限位板及第二限位板，所述第一限位板与第二限位板上分别对应设有若干限位孔，所述反应管依次穿设于第一限位板与第二限位板的限位孔内，并使其底端抵靠于衬板上。优选方案为，所述保温炉内壁在竖直方向排列有多个且彼此相互独立的发热体。本技术的有益效果为:本技术中的反应管，由于其端部的设置，所放置的硅料除放满管体内外还设于端部内，硅料于管体内熔化成液体而体积变小，该端部内的硅料弥补于管体内，最终使熔化成液态的硅料完全处于管体内，从而防止管体内硅料不足而影响产品的问题。【附图说明】为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术反应管的剖视图；图2为设有图1反应管的硅芯生长炉的剖视图。图中:10、反应管；11、管体；13、端部；110、卡槽；20、硅芯生长炉；21、底座；22、保温炉；23、衬板；24、第一限位板；25、第二限位板；26、进气口 ；27、出气口 ；28、发热体；29、限位孔。【具体实施方式】下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图1所示，该反应管10用于设于一硅芯生长炉20内，包括一管体11及设于该管体11顶端的端部13。该反应管10为氮化硅管。该管体11的横截面为“U”字形，其底部为封闭状态，顶部为开口状态。该管体11的内径由上向下各处均相等。该管体11底端的外周面上设有一卡槽110，用以固定卡设反应管10。该端部13连接设于管体11的顶部，其为漏斗状结构，即端部13的内径由其顶端向其底端逐渐缩小，其底端的内径与管体11的内径相同。该反应管10内还可设有一层氮化硅涂层，以便于后续反应管10于硅芯的分离。在制备硅芯过程中，需向反应管10内放置硅料，所放置的硅料除放满管体11内外还设于端部13内，在反应管10于硅芯生长炉20内反应时，硅料于反应管10内熔化成液体而体积变小，该端部13内的硅料弥补于管体11内，最终使熔化成液态的硅料完全处于管体11内，从而防止反应管10内娃料不足而影响产品的问题。如图2所示，该硅芯生长炉20包括底座21、设于该底座21上的保温炉22、设于该保温炉22内的衬板23、第一限位板24、第二限位板25及设于第一限位板24与第二限位板25上的反应管10。所述保温炉22为采用保温层做成中空状的腔体结构，其顶端设有一进气口 26，侧壁于靠近其底端位置设有一出气口 27。该保温炉22的内壁在竖直方向设有多个排列且彼此相互独立的发热体28。所述衬板23水平设于保温炉22的底部。所述第一限位板24与第二限位板25相互平行间隔设于保温炉22中部，该第一限位板24与第二限位板25的两侧与保温炉22的炉体内壁相连接，该第一限位板24与第二限位板25上分别对应设有若干限位孔29，所述限位孔29内用于固定反应管10，使得反应管10处于竖直状态并使其底部抵靠与衬板23上，也可通过卡槽110卡设于衬板23内。该娃芯生长炉20可一次生产较多数量的硅芯，从而提高硅芯的制备效率，且硅芯的制备过程简单，不会造成硅料的浪费。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。【主权项】1.一种反应管，用于设于一硅芯生长炉内，其特征在于:该反应管为氮化硅管，其包括一管体及设于该管体顶端的端部，该管体的底部为封闭状态，顶部为开口状态，所述端部连接设于管体的顶部，且为漏斗状结构。2.如权利要求1所述的反应管，其特征在于:所述反应管内还可设有一层氮化硅涂层。3.如权利要求1所述的反应管，其特征在于:所述端部的内径由其顶端向其底端逐渐缩小，且底端的内径与管体的内径相同，所述管体的内径由上向下各处均相等。4.一种硅芯生长炉，包括底座、设于该底座上的保温炉及设于该保温炉内的反应管，该保温炉上分别设有进气口及出气口，其特征在于:该反应管为权利要求1至3中任何一项所述的反应管。5.如权利要求4所述的硅芯生长炉，其特征在于:所述保温炉内由下向上依次设有衬板、第一限位板及第二限位板，所述第一限位板与第二限位板上分别对应设有若干限位孔，所述反应管依次穿设于第一限位板与第二限位板的限位孔内，并使其底端抵靠于衬板上。6.如权利要求4所述的硅芯生长炉，其特征在于:所述保温炉内壁在竖直方向排列有多个且彼此相互独立的发热体。【专利摘要】本技术提出了一种反应管，用于设于一硅芯生长炉内，该反应管为氮化硅管，其包括一管体及设于该管体顶端的端部，该管体的底部为封闭状态，顶部为开口状态，所述端部连接设于管体的顶部，且为漏斗状结构。本技术中反应管，由于其端部的设置，所放置的硅料除放满管体内外还设于端部内，硅料于管体内熔化成液体而体积变小，该端部内的硅料弥补于管体内，最终使熔化成液态的硅料完全处于管体内，从而防止管体内硅料不足而影响产品的问题。【IPC分类】C30B29/06, C30B28/14【公开号】CN204625833【申请号】CN201520197397【专利技术人】李刚 【申请人】新德隆特种陶瓷（大连）有限公司【公开日】2015年9月9日【申请日】2015年4月2日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种反应管，用于设于一硅芯生长炉内，其特征在于：该反应管为氮化硅管，其包括一管体及设于该管体顶端的端部，该管体的底部为封闭状态，顶部为开口状态，所述端部连接设于管体的顶部，且为漏斗状结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李刚，
申请(专利权)人：新德隆特种陶瓷大连有限公司，
类型：新型
国别省市：辽宁;21