【技术实现步骤摘要】
像素电路及驱动方法、显示装置
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种像素电路及驱动方法、显示装置。
技术介绍
现有的有机发光二极管(OLED)像素电路在驱动OLED发光时,发光亮度曲线在起始阶段下降严重。如图1所示,OLED亮度的T95时间(即亮度从峰值下降到峰值的95%所用的时间)较短,在半小时以内。此外,图2a-图2b分别是图1中两条曲线的斜率随时间的变化示意图,可以看出:在0-10h时间段,斜率为负,说明亮度衰减非常快;在10-90h时间段,斜率变化逐渐减小,说明亮度衰减趋于平稳;在90-140h时间段,斜率在0上下浮动,说明噪声干扰较明显。造成OLED亮度曲线在起始阶段急剧下降的原因主要是电路中的存储电容充电不完整,导致驱动管的输出电流不稳定,衰减较快且噪声干扰明显。此外,待OLED的发光亮度稳定后,后续还需要进行各种调试、以及贴偏光片等工序,这些工序也会对发光效率产生影响,使得最终产品的亮度进一步降低。因此,为了保证产品的亮度满足需求,延缓发光二极管的亮度衰减是非常重要的。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种像素电路及驱动方法、显示装置,以延缓发光二极管的亮度衰减,降低噪声干扰。为解决上述技术问题,作为本专利技术的第一个方面,提供一种像素电路,所述像素电路包括高电平输入端和低电平输入端,所述像素电路还包括复位模块、第一充电控制模块、检测驱动模块和存储电容;所述复位模块用于在复位阶段使所述存储电容具有初始电压;所述第一充电控制模块与数据线及所述存储电容的第一端相连,用于在充电阶段将数据电压写入所述存储电容;所述检测驱动模块的第一输入端与所述存 ...
【技术保护点】
一种像素电路,所述像素电路包括高电平输入端和低电平输入端,其特征在于,所述像素电路还包括复位模块、第一充电控制模块、检测驱动模块和存储电容;所述复位模块用于在复位阶段使所述存储电容具有初始电压;所述第一充电控制模块与数据线及所述存储电容的第一端相连,用于在充电阶段将数据电压写入所述存储电容;所述检测驱动模块的第一输入端与所述存储电容的第二端相连,所述检测驱动模块的第二输入端与所述高电平输入端相连,所述检测驱动模块的输出端与发光器件相连,当所述存储电容在充电阶段电量未充满时,在显示阶段,所述检测驱动模块的第二输入端与所述发光器件导通;当所述存储电容在充电阶段电量已充满时,在显示阶段,所述检测驱动模块的第一输入端与所述发光器件导通。
【技术特征摘要】
1.一种像素电路的驱动方法,其特征在于,所述像素电路包括高电平输入端、低电平输入端、复位模块、第一充电控制模块、检测驱动模块和存储电容;所述复位模块用于在复位阶段使所述存储电容具有初始电压;所述第一充电控制模块与数据线及所述存储电容的第一端相连,用于在充电阶段将数据电压写入所述存储电容;所述检测驱动模块的第一输入端与所述存储电容的第二端相连,所述检测驱动模块的第二输入端与所述高电平输入端相连,所述检测驱动模块的输出端与发光器件相连,当所述存储电容在充电阶段电量未充满时,在显示检测阶段,所述检测驱动模块的第二输入端与所述发光器件导通;当所述存储电容在充电阶段电量已充满时,在显示检测阶段,所述检测驱动模块的第一输入端与所述发光器件导通;其中,所述检测驱动模块包括检测晶体管和驱动晶体管,所述检测晶体管为P型晶体管,所述驱动晶体管为N型晶体管,所述检测晶体管和所述驱动晶体管形成为反相器,所述检测晶体管的栅极和所述驱动晶体管的栅极相连形成所述反相器的输入端,该输入端与所述存储电容的第二端相连,所述检测晶体管的第一极与高电平输入端相连,所述驱动晶体管的第一极与所述发光器件相连,所述检测晶体管的第二极和所述驱动晶体管的第二极相连形成所述反相器的输出端;所述反相器的输入端为所述检测驱动模块的第一输入端,所述反相器的输出端为所述检测驱动模块的输出端,所述检测晶体管的阈值电压与所述驱动晶体管的阈值电压相同;在显示检测阶段,当所述反相器输入端的电压高于高电平输入端输入的高电平信号时,所述检测驱动模块判定所述存储电容中的电荷已充满,所述驱动晶体管用于驱动所述发光器件发光,此时所述发光器件的亮度在预设范围内;当所述反相器输入端的电压低于高电平输入端输入的高电平信号时,所述检测驱动模块判定所述存储电容中的电荷未充满,所述高电平输入端与所述发光器件导通,其输入的高电平信号用于驱动所述发光器件发光,此时所述发光器件的亮度未在所述预设范围内;所述像素电路的驱动方法包括以下步骤:复位阶段:对存储电容进行充电,使其具有初始电压;充电阶段:使所述存储电容的第一端与数据线导通,将数据电压写入所述存储电容;显示检测阶段:判断充电阶段的数据电压能否将所述存储电容充满,当充电阶段的数据电压不能将所述存储电容充满时,使高电平输入端与发光器件导通;当充电阶段的数据电压能够将所述存储电容充满时,使存储电容的第二端与发光器件导通;调节阶段:当充电阶段的数据电压不能将所述存储电容充满时,对写入所述存储电容的数据电压进行调节,重复显示检测阶段,直至调...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨凡,申章焕,郭坤,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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