IPS型In Cell触控显示面板及其制作方法技术

技术编号:12021197 阅读:196 留言:0更新日期:2015-09-09 18:26
本发明专利技术提供一种IPS型In Cell触控显示面板及其制作方法。该IPS型In Cell触控显示面板在触控发射电极(4)与触控接收电极(5)的交叉处设有绝缘光阻块(6)进行绝缘。该方法通过灰阶掩膜刻蚀工艺既制得触控发射电极(4),又将对应位于触控发射电极(4)与触控接收电极(5)垂直交叉处的有机光阻保留下来制得绝缘光阻块(6),通过绝缘光阻块(6)对触控发射电极(4)与触控接收电极(5)进行绝缘,省去了专门制作绝缘层的镀膜和掩膜刻蚀工艺,从而简化了触控显示面板的制作工艺,降低了制作成本,提高了生产效率,同时触控发射电极(4)与触控接收电极(5)还能起到对液晶层电容进行电磁屏蔽的作用,不需要专门制作保护电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种IPS型In Cell触控显示面板及其制作 方法。
技术介绍
随着显示技术的飞速发展,触控显示面板已经广泛地被人们所接受及使用,如智 能手机、平板电脑等均使用了触控显示面板。触控显示面板采用嵌入式触控技术将触控面 板和液晶显示面板结合为一体,并将触控面板功能嵌入到液晶显示面板内,使得液晶显示 面板同时具备显示和感知触控输入的功能。 液晶显示面板通常是由一彩膜基板(Color Filter,CF)、一薄膜晶体管阵列基 板(Thin Film Transistor Array Substrate,TFT Array Substrate)以及一配置于两 基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成,其工作原理是通过在两片玻璃基板上 施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转,将背光模组的光线折射出来产生画面。按 照液晶的取向方式不同,目前主流市场上的液晶显示面板可以分为以下几种类型:垂直配 向(Vertical Alignment,VA)型、扭曲向列(Twisted Nematic,TN)或超扭曲向列(Super Twisted Nematic,STN)型、平面转换(In-Plane Switching,IPS)型、及边缘场开关(Fringe Field Switching,FFS)型。 其中IPS型液晶显示面板中的液晶分子相对于基板表面平行取向,通过对液晶层 施加横向电场来控制液晶分子的旋转。如图1所示,传统的IPS型液晶显示面板通常包括 相对设置的TFT阵列基板100、CF基板200及夹设于二者之间的液晶层300。所述TFT阵 列基板100设置有:下衬底基板110、栅极121、扫描线122、栅极绝缘层130、半导体层140、 源/漏极151、数据线152、氧化铟锡(IT0)像素电极160、绝缘保护层170、梳形的IT0公共 电极180、以及下配向膜190 ;所述CF基板200设置有:上衬底基板210、彩膜光阻220、黑色 矩阵230、光阻间隔物240、及上配向膜250 ;为了对该传统IPS型液晶显示面板进行电磁保 护,在CF基板200的上衬底基板210远离液晶层300 -侧的表面上设有一层整片式的IT0 透明电极260。 触控显示面板依感应技术不同可分为电阻式、电容式、光学式、音波式四种,目前 主流的触控技术为电容式,其中电容式又分为自电容式和互电容式,目前市场上的电容式 触控显示面板为主要为互电容式,互电容的优点在于可实现多点触控。触控显示面板根据 结构不同可划分为:触控电极覆盖于液晶盒上式(On Cell),触控电极内嵌在液晶盒内式 (In Cell)、以及外挂式。其中,In cell式具有成本低、超薄、和窄边框的优点,主要应用在 高端触控产品中,已演化为未来触控技术的主要发展方向,但是现有的In Cell触控显示面 板的制作工艺较为复杂,制作成本较高,生产效率较低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种IPS型In Cell触控显示面板,其制作工艺较为简单, 制作成本较低,生产效率较高。 本专利技术的目的还在于提供一种IPS型InCell触控显示面板的制作方法,能够简 化触控显示面板的制作工艺,降低制作成本,提高生产效率。 为实现上述目的,本专利技术提供了一种IPS型In Cell触控显示面板,包括TFT阵列 基板、与所述TFT阵列基板相对设置的CF基板、夹设于所述TFT阵列基板与CF基板之间的 液晶层、设于所述CF基板靠近液晶层一侧的数条相互平行的触控发射电极、及数条相互平 行且与触控发射电极在空间上垂直交叉的触控接收电极;对应于所述触控发射电极与触控 接收电极的交叉处设有将二者间隔开的绝缘光阻块进行绝缘; 所述CF基板包括衬底基板,所述数条触控发射电极设于该衬底基板靠近液晶层 一侧的表面上,所述数条触控接收电极经由绝缘光阻块与触控发射电极在空间上垂直交 叉。 所述触控发射电极与触控接收电极的材料为ITO。 所述触控发射电极与触控接收电极的厚度为400~1000 A。 所述CF基板还包括设于所述数条触控接收电极与衬底基板上的彩膜光阻、将所 述彩膜光阻间隔开的黑色矩阵、设于所述黑色矩阵上的光阻间隔物、及覆盖所述彩膜光阻、 黑色矩阵、与光阻间隔物的配向膜。 本专利技术还提供了一种IPS型In Cell触控显示面板的制作方法,包括如下步骤: 步骤1、提供一衬底基板,在所述衬底基板的一侧表面上镀一层透明导电膜,通过 灰阶掩膜刻蚀工艺制得数条相互平行的触控发射电极、及位于每一条触控发射电极上的多 个独立的绝缘光阻块; 步骤2、对所述触控发射电极进行高温退火; 步骤3、再镀一层透明导电膜,通过普通掩膜刻蚀工艺制得数条经由绝缘光阻块与 触控发射电极在空间上垂直交叉的触控接收电极; 步骤4、通过普通掩膜刻蚀工艺依次在所述触控接收电极与衬底基板上制作出黑 色矩阵、彩膜光阻、及光阻间隔物; 其中,所述黑色矩阵将彩膜光阻间隔开,所述光阻间隔物设于所述黑色矩阵上; 步骤5、在所述彩膜光阻、黑色矩阵、与光阻间隔物上涂布配向液,形成配向膜,完 成CF基板的制作; 步骤6、提供一 TFT阵列基板,将TFT阵列基板与CF基板对组,使所述触控接收电 极朝向TFT阵列基板,向TFT阵列基板与CF基板之间灌入液晶,形成液晶层。 所述步骤1具体包括: 步骤11、在所述透明导电膜上涂布一层有机光阻; 步骤12、使用灰阶掩膜对有机光阻对应于每相邻两条触控发射电极之间间断的区 域进行全曝光,对有机光阻对应于每个绝缘光阻块的区域不进行曝光,对有机光阻对应于 一条触控发射电极上每相邻两个绝缘光阻块之间的区域进行半曝光;然后进行显影; 步骤13、以有机光阻为遮蔽层对所述透明导电膜进行刻蚀,相应制得数条相互平 行的触控发射电极; 步骤14、对有机光阻进行灰化处理,去除半曝光的有机光阻,保留下未曝光的有机 光阻,相应制得位于每一条触控发射电极上的多个独立的绝缘光阻块。 所述步骤11中的透明导电膜的材料为ITO,厚度为400~1000人,所述有机光阻 的厚度为4000~20000A。 所述步骤3中的透明导电膜的材料为IT0,厚度为>400 1000 A。 所述步骤2中,高温退火的环境为氮气或干燥空气,高温退火的温度为250°C,退 火时间为30分钟。 所述衬底基板为玻璃基板。 本专利技术的有益效果:本专利技术提供的一种IPS型In Cell触控显示面板,在触控发 射电极与触控接收电极的交叉处设有将二者间隔开的绝缘光阻块进行绝缘,使得其制作工 艺较为简单,制作成本较低,生产效率较高,且触控发射电极与触控接收电极还能起到对液 晶层电容进行电磁屏蔽的作用。本专利技术提供的一种IPS型In Cell触控显示面板的制作方 法,通过灰阶掩膜刻蚀工艺既制得触控发射电极,又将对应位于触控发射电极与触控接收 电极垂直交叉处的有机光阻保留下来制得绝缘光阻块,通过绝缘光阻块对触控发射电极与 触控接收电极进行绝缘,省去了专门制作绝缘层的镀膜和掩膜刻蚀工艺,从而简化了触控 显示面板的制作工艺,降低了制作成本,提高了生产效率,同时触控发射电极与触控接收电 极还能起到对液晶层电容进行电磁屏蔽的作用,不需要在CF基板本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种IPS型In Cell触控显示面板,其特征在于,包括TFT阵列基板(1)、与所述TFT阵列基板(1)相对设置的CF基板(2)、夹设于所述TFT阵列基板(1)与CF基板(2)之间的液晶层(3)、设于所述CF基板(2)靠近液晶层(3)一侧的数条相互平行的触控发射电极(4)、及数条相互平行且与触控发射电极(4)在空间上垂直交叉的触控接收电极(5);对应于所述触控发射电极(4)与触控接收电极(5)的交叉处设有将二者间隔开的绝缘光阻块(6)进行绝缘;所述CF基板(2)包括衬底基板(21),所述数条触控发射电极(4)设于该衬底基板(21)靠近液晶层(3)一侧的表面上,所述数条触控接收电极(5)经由绝缘光阻块(6)与触控发射电极(4)在空间上垂直交叉。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:徐向阳
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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