半导体晶片清洗槽制造技术

技术编号:12014202 阅读:88 留言:0更新日期:2015-09-05 17:28
一种半导体晶片清洗槽,包括清洗槽本体,其特殊之处是:所述清洗槽本体侧面下部固设有支撑块,在清洗槽本体内部位于支撑块上设有镂空隔板,所述镂空隔板上设有晶片花篮,所述清洗槽本体内部位于镂空隔板下面设有搅拌轴,所述清洗槽本体上对应支撑块位置设置定位块。该半导体晶片清洗槽结构简单、成本低、使用方便,将晶片花篮放在镂空隔板上,利用搅拌轴上的搅拌杆使液体流动,整个清洗过程中晶片花篮静止,防止清洗过程晶片损坏,从而提高晶片的成品率,避免晶片二次污染。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体晶片清洗槽
技术介绍
现有的半导体晶片清洗槽在清洗时,晶片花篮静止会造成晶片表面反应不均匀,且清洗掉的沾污物质会重新附着到晶片表面,产生二次沾污的问题。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种结构简单、使用方便、成本低,防止清洗过程晶片损坏,提高成品率,避免二次污染的半导体晶片清洗槽。本技术的技术解决方案是:半导体晶片清洗槽,包括清洗槽本体,其特殊之处是:所述清洗槽本体侧面下部固设有支撑块,在清洗槽本体内部位于支撑块上设有镂空隔板,所述镂空隔板上设有晶片花篮,所述清洗槽本体内部位于镂空隔板下面设有搅拌轴,所述清洗槽本体上对应支撑块位置设置定位块。该半导体晶片清洗槽结构简单、成本低、使用方便,将晶片花篮放在镂空隔板上,利用搅拌轴上的搅拌杆使液体流动,整个清洗过程中晶片花篮静止,防止清洗过程晶片损坏,从而提尚晶片的成品率,避免晶片一次污染。【附图说明】图1是本技术的结构示意图。图中:1-洗槽本体,101-销孔,2-支撑块,3-镂空隔板,4-晶片花篮,5_搅拌轴,6-定位块,7 一搅拌杆。【具体实施方式】如图所示,一种半导体晶片清洗槽,包括清洗槽本体1,所述清洗槽本体I侧面下部固设有支撑块2,在清洗槽本体I内部位于支撑块2上设有镂空隔板3,所述镂空隔板3上设有晶片花篮4,所述清洗槽本体I侧壁位于镂空隔板3下面设有销孔101,在销孔101内放置搅拌轴5,所述搅拌轴5两侧设有由镂空隔板3穿出的搅拌杆7,所述清洗槽本体I上对应支撑块2位置设置定位块6,将镂空隔板3卡住。操作时,将晶片放入晶片花篮中,用手摇摆,搅拌杆7晃动后开始搅拌,通过清洗液流动清洗晶片。【主权项】1.半导体晶片清洗槽,包括清洗槽本体,其特征是:所述清洗槽本体侧面下部固设有支撑块,在清洗槽本体内部位于支撑块上设有镂空隔板,所述镂空隔板上设有晶片花篮,所述清洗槽本体内部位于镂空隔板下面设有搅拌轴,所述清洗槽本体上对应支撑块位置设置定位块。【专利摘要】一种半导体晶片清洗槽,包括清洗槽本体,其特殊之处是:所述清洗槽本体侧面下部固设有支撑块,在清洗槽本体内部位于支撑块上设有镂空隔板,所述镂空隔板上设有晶片花篮,所述清洗槽本体内部位于镂空隔板下面设有搅拌轴,所述清洗槽本体上对应支撑块位置设置定位块。该半导体晶片清洗槽结构简单、成本低、使用方便,将晶片花篮放在镂空隔板上,利用搅拌轴上的搅拌杆使液体流动,整个清洗过程中晶片花篮静止,防止清洗过程晶片损坏,从而提高晶片的成品率,避免晶片二次污染。【IPC分类】H01L21-02【公开号】CN204303754【申请号】CN201420861353【专利技术人】谭鑫, 华冠男, 张华 , 陈鹏 【申请人】锦州华昌光伏科技有限公司【公开日】2015年4月29日【申请日】2014年12月31日本文档来自技高网...

【技术保护点】
半导体晶片清洗槽,包括清洗槽本体,其特征是:所述清洗槽本体侧面下部固设有支撑块,在清洗槽本体内部位于支撑块上设有镂空隔板,所述镂空隔板上设有晶片花篮,所述清洗槽本体内部位于镂空隔板下面设有搅拌轴,所述清洗槽本体上对应支撑块位置设置定位块。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:谭鑫华冠男张华陈鹏
申请(专利权)人:锦州华昌光伏科技有限公司
类型:新型
国别省市:辽宁;21

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