AMOLED像素驱动电路制造技术

本发明专利技术提供AMOLED像素驱动电路，通过在有机发光二极管(D1)与直流电源电压(VDD)之间加入由发光控制信号(EM)控制的薄膜晶体管(M2)的方式、或采用交流电源电压(VDD)的方式来控制有机发光二极管(D1)是否发光，设置所述发光控制信号(EM)或交流电源电压(VDD)仅在驱动发光阶段(Drive)提供高电位，其余阶段均提供低电位，使OLED在非必要发光时间处于关闭状态，阻止OLED在非必要发光时间发光，解决了现有的AMOLED像素驱动电路在补偿驱动薄膜晶体管阈值电压漂移过程中会产生非必要发光的问题，能够延长OLED寿命，优化面板的实际显示效果。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种AMOLED像素驱动电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管(M1)、第二薄膜晶体管(M2)、第三薄膜晶体管(M3)、第四薄膜晶体管(M4)、第五薄膜晶体管(M5)、第六薄膜晶体管(M6)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、及有机发光二极管(D1)；所述第六薄膜晶体管(M6)的栅极电性连接于第n级第二扫描控制信号(Gate2(n))，源极电性连接于数据信号(Data)，漏极电性连接于第三薄膜晶体管(M3)的漏极及第一电容(C1)的一端；所述第三薄膜晶体管(M3)的栅极经由第一节点(D)电性连接于第四薄膜晶体管(M4)的栅极，源极电性连接于第一薄膜晶体管(M1)的源极，漏极电性连接于第六薄膜晶体管(M6)的漏极及第一电容(C1)的一端；所述第一薄膜晶体管(M1)的栅极电性连接于第n级第一扫描控制信号(Gate1(n))，源极电性连接于第三薄膜晶体管(M3)的源极，漏极电性连接于第一节点(D)；所述第五薄膜晶体管(M5)的栅极与漏极均电性连接于第n‑1级第二扫描控制信号(Gate2(n‑1))，源极电性连接于第一节点(D)；所述第二薄膜晶体管(M2)的栅极电性连接于发光控制信号(EM)，源极电性连接于直流电源电压(VDD)，漏极电性连接于有机发光二极管(D1)的阳极；所述第四薄膜晶体管(M4)的栅极电性连接于第一节点(D)，源极电性连接于接地端(GND)，漏极电性连接于有机发光二极管(D1)的阴极；所述第一电容(C1)的一端电性连接于第六薄膜晶体管(M6)的漏极及第三薄膜晶体管(M3)的漏极，另一端电性连接于接地端(GND)；所述第二电容(C2)的一端电性连接于第一节点(D)，另一端电性连接于接地端(GND)；所述有机发光二极管(D1)的阳极电性连接于第二薄膜晶体管(M2)的漏极，阴极电性连接于第四薄膜晶体管(M4)的漏极；所述直流电源电压(VDD)提供高电位；所述发光控制信号(EM)按照时序提供高、低交替电位，控制所述有机发光二极管(D1)是否发光。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：聂诚磊，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44