【技术实现步骤摘要】
本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置、显示装置、显示模块及电子设备。注意,本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的
涉及一种物体、方法或制造方法。另外,本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。由此,更具体地,作为本说明书所公开的本专利技术的一个方式的
的一个例子,可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、这些装置的驱动方法或者这些装置的制造方法。
技术介绍
近年来,对由具有相同极性的晶体管构成的移位寄存器的开发得到积极地开展。专利文献1及专利文献2公开了上述那样的移位寄存器的技术。[专利文献1]日本专利申请公开2004-103226号公报[专利文献2]日本专利申请公开2005-050502号公报在专利文献1的图7所示的移位寄存器中,通过晶体管M2开启,输出电压VOFF。但是,由于在GOUT[N-1]为高电平的期间,晶体管M2关闭,所以输出电压VOFF的期间较短。此外,由于晶体管M2的栅极与晶体管M4的栅极连接,所以在晶体管M2开启时晶体管M4也开启。因此,在GOUT[N-1]为高电平的期间,在晶体管M2开启时,移位寄存器不发挥作用。在专利文献2的图7所示的移位寄存器中,通过晶体管Q53或晶< ...
【技术保护点】
一种半导体装置,包括:第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管及第四晶体管;以及第一布线及第二布线,其中,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管及所述第四晶体管具有相同的导电类型,所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接,所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个及所述第三晶体管的栅极与所述第一布线电连接,所述第一晶体管的栅极与所述第四晶体管的源极和漏极中的一个电连接,所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个及所述第三晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二布线电连接,所述第二晶体管的栅极与所述第四晶体管的栅极电连接,并且,所述第三晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个与所述第四晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接。
【技术特征摘要】
2014.02.21 JP 2014-0315011.一种半导体装置,包括:
第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管及第四晶体管;以及
第一布线及第二布线,
其中,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管及所述
第四晶体管具有相同的导电类型,
所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二晶体管的源极
和漏极中的一个电连接,
所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个及所述第三晶
体管的栅极与所述第一布线电连接,
所述第一晶体管的栅极与所述第四晶体管的源极和漏极中的一个
电连接,
所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个及所述第三晶
体管的源极和漏极中的一个与所述第二布线电连接,
所述第二晶体管的栅极与所述第四晶体管的栅极电连接,
并且,所述第三晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个与所述
第四晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第四晶体管的沟
道宽度与沟道长度之比高于所述第三晶体管的沟道宽度与沟道长度之
比。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,
其中所述第三晶体管包括第一半导体层及第一栅电极,
所述第四晶体管包括第二半导体层及第二栅电极,
并且所述第二半导体层与所述第二栅电极彼此重叠的区域大于所
述第一半导体层与所述第一栅电极彼此重叠的区域。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第一晶体管、所
\t述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管中的至少一个的沟
道形成区域包含氧化物半导体。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,
其中所述第一布线将时钟信号供应给所述第一晶体管的所述源极
和所述漏极中的另一个及所述第三晶体管的所述栅极,
并且所述第二布线将电压供应给所述第二晶体管的所述源极和所
述漏极中的另一个及所述第三晶体管的所述源极和所述漏极中的一个。
6.一种半导体装置,包括:
第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管及第四晶体管;以及
第一布线、第二布线及第三布线,
其中,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管及所述
第四晶体管具有相同的导电类型,
所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二晶体管的源极
和漏极中的一个电连接,
所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个与所述第一布
线电连接,
所述第一晶体管的栅极与所述第四晶体管的源极和漏极中的一个
电连接,
所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个及所述第三晶
体管的源极和漏极中的一个与所述第二布线电连接,
所述第二晶体管的栅极与所述第四晶体管的栅极电连接,
所述第三晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个与所述第四晶
体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接,
并且,所述第三晶体管的栅极与所述第三布线电连接。
7.根据权利要求6所述的半导体装置,其中所述第四晶体管的沟
道宽度与沟道长度之比高于所述第三晶体管的沟道宽度与沟道长度之
比。
8.根据权利要求6所述的半导体装置,
其中所述第三晶体管包括第一半导体层及第一栅电极,
所述第四晶体管包括第二半导体层及第二栅电极,
并且所述第二半导体层与所述第二栅电极彼此重叠的区域大于所
述第一半导体层与所述第一栅电极彼此重叠的区域。
9.根据权利要求6所述的半导体装置,其中所述第一晶体管、所
述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管中的至少一个的沟
道形成区域包含氧化物半导体。
10.根据权利要求6所述的半导体装置,
其中所述第一布线将第一时钟信号供应给所述第一晶体管的所述
源极和所述漏极中的另一个,
所述第二布线将电压供应给所述第二晶体管的所述源极...
【专利技术属性】
技术研发人员:梅崎敦司,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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