【技术实现步骤摘要】
本专利技术专利申请涉及电子设备,具体而言涉及一种谐振器。
技术介绍
声谐振器可用于实施各种电子应用中的信号处理功能。举例来说,一些蜂窝式电话和其它通信装置使用声谐振器来实施用于所传输和/或所接收信号的频率滤波器。可根据不同应用来使用若干不同类型的声谐振器,其中实例包含体声波(BAW)谐振器,例如薄膜体声谐振器(FBAR)、固态安装型谐振器(SMR)、耦合谐振器滤波器(CRF)、堆叠体声谐振器(SBAR)和双体声谐振器(DBAR)。典型声谐振器包括夹于被称为声堆叠的结构中的两个板状电极之间的压电材料层。当在电极之间施加输入电信号时,互反或反向压电效应致使声堆叠取决于压电材料的极化而机械膨胀或收缩。当输入电信号随时间的过去而变化时,声堆叠的膨胀和收缩产生在各个方向上传播穿过声谐振器且通过压电效应而被转换成输出电信号的声波。一些声波跨越声堆叠达成谐振,其中谐振频率由例如声堆叠的材料、尺寸和操作条件的因素来确定。声谐振器的这些和其它机械特性确定它的频率响应。用于评估声谐振器的性能的一个量度是它的机电耦合系数(kt2),所述机电耦合系数指示电极与压电材料之间的能量转移的效率。在其它各项相同的情况下,具有高kt2的声谐振器大体上被视为具有优于具有较低kt2的声谐振器的性能。因此,在例如4G和LTE应用的高性能无线应用中使用具有较高kt2水平的声谐振器大体上是合乎需要的。声谐振器的kt2受若干因素的影响,例如压电材料与电极的尺 ...
【技术保护点】
一种体声波BAW谐振器,其包括:第一电极;第二电极;安置于所述第一电极与所述第二电极之间的压电层,所述压电层包括掺杂有至少一种稀土元素的压电材料;以及安置于所述第一电极和所述第二电极中的至少一者的表面上的凹陷框架元件。
【技术特征摘要】
2014.02.26 US 14/190,3611.一种体声波BAW谐振器,其包括:
第一电极;
第二电极;
安置于所述第一电极与所述第二电极之间的压电层,所述压电层包括掺杂有至少
一种稀土元素的压电材料;以及
安置于所述第一电极和所述第二电极中的至少一者的表面上的凹陷框架元件。
2.根据权利要求1所述的BAW谐振器,其中所述凹陷框架元件是沿所述第二电极的
周边而安置。
3.根据权利要求1所述的BAW谐振器,其中所述凹陷框架元件安置于所述第一电极
内且直接与所述第二电极的周边对立。
4.根据权利要求1所述的BAW谐振器,其中所述凹陷框架元件整合到所述第一电极
和所述第二电极中的所述者中。
5.根据权利要求1所述的BAW谐振器,其进一步包括安置于所述第一电极、所述第
二电极和所述压电层下方的反射元件,其中所述反射元件、所述第一电极、所述第
二电极和所述压电层的重叠部分界定所述声谐振器的作用区域。
6.根据权利要求1所述的BAW谐振器,其中所述反射元件包括安置于其上安置有所
述第一电极、所述第二电极和所述压电层的基板中的腔。
7.根据权利要求1所述的BAW谐振器,其中所述反射元件包括具有交替的高声阻抗
和低声阻抗的多个层。
8.根据权利要求1所述的BAW谐振器,其中所述压电材料包括氮化铝AlN。
9.根据权利要求8所述的BAW谐振器,其中所述至少一种稀土元素并入到所述AlN
\t压电材料的晶格中。
10.根据权利要求8所述的BAW谐振器,其中所述至少一种稀土元素包括钪Sc。
11.根据权利要求8所述的BAW谐振器,其中所述至少一种稀土元素包括并入到所述
AlN压电材料的晶格中的两种或两种以上稀土元素。
12.根据权利要求11所述的BAW谐振器,其中所述至少两种稀土元素包括钪Sc和铒
Er。
13.根据权利要求12所述的BAW谐振器,其中所述至少两种稀土元素进一步包括钇Y。
14.根据权利要求1所述的BAW谐振器,其进一步包括安置于所述第一电极和所述第
二电极中的至少一者的表面上的凸起框架元件。
15.根据权利要求14所述的BAW谐振器,其中所述压电材料包括氮化铝AlN。
16.根据权利要求15所述的BAW谐振器,其中所述至少一种稀土元素并入到所述AlN
压电材料的晶格中。
17.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:克里斯·冯,约翰·克伊,菲尔·尼克尔,凯文·J·格伦纳,蒂娜·L·拉梅尔斯,
申请(专利权)人:安华高科技通用IP新加坡公司,
类型:发明
国别省市:新加坡;SG
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