一种光电耦合器制造技术

本实用新型专利技术涉及电子技术领域，具体的，是一种受光器由两个光敏单向可控硅并联组成的交流输出的光电耦合器。本实用新型专利技术公开了一种光电耦合器，它包括至少一个发光二极管、两个触发电路和两个光敏单向可控硅，发光二极管为输入端，两个触发电路和两个光敏单向可控硅连接为输出端，且两个光敏单向可控硅反向并联，输入端与输出端之间光电隔离。本实用新型专利技术可实现高断态阻断电压，高dv/dt耐受能力，还可有效防止输出端误触发，输入输出光电隔离，隔离电压大于2500Vac。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子
，具体的，是一种受光器由两个光敏单向可控硅并联组成的交流输出的光电親合器。
技术介绍
光电親合器是以光为媒介传输电信号的一种电-光-电转换器件。它由发光源和受光器两部分组成，发光源和受光器共同封装在一个密闭的壳体内，彼此间用透明绝缘体隔离。发光源的引脚为输入端，受光器的引脚为输出端。将电信号接入输入端，发光源发出光线，受光器接收到光线后产生光电流，从受光器的输出端流出。参阅图1所示，为市场上比较常见的交流输出光电耦合器的电路结构图，输入端为砷化镓发光二极管，输出端采用光敏双向可控硅作为输出器件实现交流开关，并将两者封装在一个塑封体内，输入输出通过光隔离。该光电耦合器常用做大功率可控硅的光电隔离触发器，且是即时触发的。由于上述光电耦合器输出端的光敏双向可控硅制作在一个晶体上，断态阻断电压一般在600Vdc-900Vdc，但难于达到100Vdc以上。此外，该光电耦合器的dv/dt承受能力较弱，在电磁干扰较强的环境下容易出现误触发和击穿失效的情况。在一些应用场合，为达到更高的断态阻断电压，通常采用2只或多只光电耦合器串联使用，因不同光电耦合器输出阻抗的差异及接通关断时间的差异，易产生电压分压不均及接通不同步的问题。
技术实现思路
针对现有交流输出的光电耦合器断态阻断电压不高和dv/dt承受能力较弱的问题，本技术提出了一种光电耦合器，其输出端采用两个光敏单向可控硅并联。本技术采用如下技术方案:—种光电耦合器，它包括至少一个发光二极管、两个触发电路和两个光敏单向可控硅，发光二极管为输入端，两个触发电路和两个光敏单向可控硅连接为输出端，且两个光敏单向可控硅反向并联，输入端与输出端之间光电隔离。进一步的，发光二极管是一个，通过发光二极管来触发这两个光敏单向可控硅。进一步的，发光二极管是两个，这两个发光二极管串联，通过每一个发光二极管来分别触发每一个光敏单向可控硅。进一步的，还包括封装壳体，整个电路封装在封装壳体内。 更进一步的，封装壳体为四脚结构或六脚结构。更进一步的，封装壳体为塑料封装壳体。本技术提出一种高可靠的交流输出光电耦合器，该光电耦合器输入端连接发光二极管，输出由两只光敏单向可控硅并联组成交流开关，并将其封装在一个塑封体内，输入输出通过光隔离。本技术可实现高断态阻断电压，高dv/dt耐受能力，还可有效防止输出端误触发，输入输出光电隔离，隔离电压大于2500Vac。【附图说明】图1是光电耦合器的电路结构图；图2是本技术光电耦合器的电路结构图。【具体实施方式】为进一步说明各实施例，本技术提供有附图。这些附图为本技术揭露内容的一部分，其主要用以说明实施例，并可配合说明书的相关描述来解释实施例的运作原理。配合参考这些内容，本领域普通技术人员应能理解其他可能的实施方式以及本技术的优点。图中的组件并未按比例绘制，而类似的组件符号通常用来表示类似的组件。现结合附图和【具体实施方式】对本技术进一步说明。参阅图2所示，本技术优选一实施例的光电耦合器，它包括发光二极管102、触发电路100和光敏单向可控硅101。其中，触发电路100与光敏可控硅101电连接。该实施例的电路封装在封装壳体内，封装壳体为六脚结构，但只用了四脚，另外两脚都是悬空的。本领域的技术人员可知，该实施例的封装壳体还可为四脚结构。该实施例的封装壳体为塑料封装壳体。该实施例的光电親合器设置有输入端1、2、3，输入端为发光二极管102，发光二极管102的两端分别连接I端和2端，输入端3悬空。输出端电路包括两个光敏单向可控硅101和两个触发电路100，光敏单向可控硅101与触发电路101连接，其中两个光敏单向可控硅101反向并联，分别连接输出端4和输出端6，输出端5悬空。当输入端的发光二极管102有正向电流时，Dl发光二极管102被点亮发出光线。输出端的触发电路100在光的作用下触发光敏单向可控硅101，使光敏单向可控硅101导通。由于光敏单向可控硅101的单向导电性，当输出端4为正、输出端6为负时，Q2光敏单向可控硅101导通，Ql光敏单向可控硅101截止；当输出端6为正、输出端4为负时，Ql光敏单向可控硅101导通，Q2光敏单向可控硅101截止。当输入端的发光二极管102熄灭时，输出端的触发电路100关闭从而使Ql和Q2同时截止，从而实现交流开关。该实施例是以一个发光二极管102为例，通过一个发光二极管102来触发两个光敏单向可控硅。本技术还可采用两个发光二极管102，两个发光二极管102串联，通过每一个发光二极管102来分别触发每一个光敏单向可控娃101。由于采用两个光敏单向可控硅101并联作为输出端，两个光敏单向可控硅101在两个独立的晶片上，其断态的阻断电压可以做的很高，超过100Vdc以上。并且，光敏单向可控硅101的dv/dt承受能力远远大于市场上的光敏双向可控硅。该实施例的输出端作为交流开关时，因正向和反向的切换时分别通过Ql和Q2来实现的，每个光敏单向可控硅101负责一个方向的通断，所以消除了切换交流信号时正向和反向的相互影响，提升了切换的dv/dt承受能力。为达到更高的断态阻断电压，利用该实施例的高阻断能力，使用多只光电耦合器组成的串联电路代替单个光电耦合器，消除了串联电路产生的分压不均问题和接通关断同步性问题，同时能够减少体积。此外，利用该实施例的高dv/dt承受能力特性，应用时可简化电路设计，如去除并联在光电親合器两端的RC电路等。尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本技术，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本技术的精神和范围内，在形式上和细节上可以对本技术做出各种变化，均为本技术的保护范围。【主权项】1.一种光电耦合器，其特征在于:它包括至少一个发光二极管、两个触发电路和两个光敏单向可控硅，所述发光二极管为输入端，两个触发电路和两个光敏单向可控硅连接为输出端，且两个光敏单向可控硅反向并联，输入端与输出端之间光电隔离。2.如权利要求1所述的光电耦合器，其特征在于:所述发光二极管是一个，通过所述发光二极管来触发这两个光敏单向可控硅。3.如权利要求1所述的光电耦合器，其特征在于:所述发光二极管是两个，这两个发光二极管串联，通过每一个发光二极管来分别触发每一个光敏单向可控娃。4.如权利要求1或2或3所述的光电耦合器，其特征在于:还包括封装壳体，整个电路封装在封装壳体内。5.如权利要求4所述的光电耦合器，其特征在于:所述封装壳体为四脚结构或六脚结构。6.如权利要求4所述的光电耦合器，其特征在于:所述封装壳体为塑料封装壳体。【专利摘要】本技术涉及电子
，具体的，是一种受光器由两个光敏单向可控硅并联组成的交流输出的光电耦合器。本技术公开了一种光电耦合器，它包括至少一个发光二极管、两个触发电路和两个光敏单向可控硅，发光二极管为输入端，两个触发电路和两个光敏单向可控硅连接为输出端，且两个光敏单向可控硅反向并联，输入端与输出端之间光电隔离。本技术可实现高断态阻断电压，高dv/dt耐受能力，还可有效防止输出端误触发，输入输出光电隔离，隔离电压大于2500Vac。【IPC分类】H03K19-14【公开号】C本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电耦合器，其特征在于：它包括至少一个发光二极管、两个触发电路和两个光敏单向可控硅，所述发光二极管为输入端，两个触发电路和两个光敏单向可控硅连接为输出端，且两个光敏单向可控硅反向并联，输入端与输出端之间光电隔离。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曾志铭，
申请(专利权)人：库顿电子科技厦门有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35