【技术实现步骤摘要】
本技术涉及本技术涉及外延生长设备
，特别涉及碳化硅外延炉的进气装置。
技术介绍
碳化硅半导体具有大禁带宽度、优良的稳定性、高热导率、高临界击穿场强、高饱和电子漂移速度等优良特性，是制作高温、高频、大功率和强辐射电力电子器件的理想半导体材料。与传统的硅器件相比，碳化硅器件能够在10倍于硅器件的电场强度下正常工作。用于制作碳化硅器件的碳化硅材料通常是生长在碳化硅衬底上的碳化硅外延晶片。碳化硅外延炉是用来生长碳化硅外延晶片的反应室，通常采用CVD (化学气相沉积)的方法来生长碳化硅外延晶片。在水平行星式反应室内，反应气体是通过一个名为“injector”的进气装置进入反应室进行物理化学反应的。当前碳化硅外延炉的进气装置如图1所示，该结构的出气孔采用的是菱形出气孔5，菱形出气孔5的长度虽然较长，但宽度较窄，容易堵塞，此外，由于该装置没有气体预加热功能，出气孔附近的温度较低，容易产生一些反应异物，导致出气孔易被堵塞。因此本专利技术人对上述碳化硅外延炉的进气装置进行改进，特别研制出一种能够防止堵塞的碳化硅外延炉的进气装置，本案由此产生。
技术实现思路
本技术的目的在于提供碳化硅外延炉的进气装置，有效防止出气孔堵塞，提高碳化娃外延生长反应的稳定性。为了实现上述目的，本技术的技术方案如下:碳化硅外延炉的进气装置，包括进气管和主腔体；主腔体呈圆柱形，主腔体侧边开设多个圆形出气孔，进气管上开设进气口，进气管插置在主腔体上。所述圆形出气孔直径大小为1-2.5cm。采用上述方案后，本技术通过将主腔体出气孔设置为圆形，增加了出气孔的宽度，同时圆形出气孔的边界光滑没有死角...
【技术保护点】
碳化硅外延炉的进气装置，其特征在于：包括进气管和主腔体；主腔体呈圆柱形，主腔体侧边开设多个圆形出气孔，进气管上开设进气口，进气管插置在主腔体上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：钱卫宁，冯淦，赵建辉，
申请(专利权)人：瀚天天成电子科技厦门有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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