本发明专利技术公开了一种效率高、加工成本低、均匀性好的LED硅基板研磨技术；采用的技术方案为：采用砂轮式研磨机对硅基板进行研磨，切削速率为0.2um/s，将硅基板的厚度从450um研磨到350um，研磨完成后，对研磨后的硅基板厚度进行测量；继续对硅基板进行研磨，这次研磨机的切削速率为0.15um/s，将硅基板的厚度从350um研磨到250um，并对硅基板厚度再次进行测量；继续对硅基板进行研磨，在研磨时自动进行厚度补偿，这次研磨机的切削速率为0.15um/s，将硅基板的厚度从250um研磨到200um；本发明专利技术可广泛应用于硅基板研磨领域。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术LED硅基板的研磨技术，属于硅基板研磨
技术介绍
目前同业使用的成熟量产技术为使用半自动上蜡机与研磨机使用研磨液进行作 业，以达到减薄硅基板厚度的功能。一般最常用的硅基板的研磨方法是用市场上主流的 SPEEDFAM机台进行，该方法的研磨速度为2um/min，最主要的是研磨后的芯片厚度均匀性 在±5um。对后续的切割劈裂作业有一定的影响。
技术实现思路
本专利技术克服了现有技术存在的不足，提供了一种效率高、加工成本低、均匀性好的 LED硅基板研磨技术。 为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为：LED硅基板的研磨技术，按下 述步骤进行： 第一步：采用砂轮式研磨机对硅基板进行研磨，砂轮式研磨机的切削速率为〇. 2um/s， 将硅基板的厚度从450um研磨到350um，研磨完成后，对研磨后的硅基板厚度进行测量； 第二步：继续用砂轮式研磨机对第一步研磨后的硅基板进行研磨，并根据第一步中对 硅基板厚度的测量结果，在研磨时自动进行厚度补偿，砂轮式研磨机的切削速率为〇. 15um/ s，将硅基板的厚度从350um研磨到250um，研磨完成后，对研磨后的硅基板厚度再次进行测 量； 第三步：继续用砂轮式研磨机对第二步研磨后的硅基板进行研磨，并根据第二步中对 硅基板厚度的测量结果，在研磨时自动进行厚度补偿，砂轮式研磨机的切削速率为〇. 15um/ s，将娃基板的厚度从250um研磨到200um。 优选地，所述砂轮式研磨机为蓝宝石砂轮研磨机。 优选地，所述第三步中研磨好的硅基板厚度范围为200±2um。 优选地，所述第一步至第三步的研磨时间总计不超过25min。 优选地，所述第一步至第三步的研磨过程中使用纯水作为研磨液。 本专利技术与现有技术相比具有的有益效果是：本专利技术主要在于使用目前市场上常见 的蓝宝石砂轮研磨机对硅片进行研磨作业，以达到LED硅基板的厚度均匀性在±2um之内。 通过砂轮式研磨机对硅基板分三阶段研磨，且每段研磨后对芯片厚度进行量测，这样在进 行下一阶段研磨时自动进行厚度补偿，使整盘芯片的均匀性在最后一段研磨后达到±2um。 本专利技术与现有同行业的研磨机相比具有下列三个优点： 1、 使作业时间从之前的两小时缩短到现在的25min ; 2、 使用纯水进行作业，无需使用研磨液节约成本； 3、 研磨后的硅基板芯片的均匀性在±2um，较普通研磨机的±5um均匀性好。【具体实施方式】 本专利技术LED硅基板的研磨技术，按下述步骤进行： 第一步：采用砂轮式研磨机对硅基板进行研磨，砂轮式研磨机的切削速率为〇. 2um/s， 将硅基板的厚度从450um研磨到350um，研磨完成后，对研磨后的硅基板厚度进行测量； 第二步：继续用砂轮式研磨机对第一步研磨后的硅基板进行研磨，并根据第一步中对 硅基板厚度的测量结果，在研磨时自动进行厚度补偿，砂轮式研磨机的切削速率为〇. 15um/ s，将硅基板的厚度从350um研磨到250um，研磨完成后，对研磨后的硅基板厚度再次进行测 量； 第三步：继续用砂轮式研磨机对第二步研磨后的硅基板进行研磨，并根据第二步中对 硅基板厚度的测量结果，在研磨时自动进行厚度补偿，砂轮式研磨机的切削速率为〇. 15um/ s，将娃基板的厚度从250um研磨到200um。 所述砂轮式研磨机为蓝宝石砂轮研磨机。 所述第三步中研磨好的硅基板厚度范围为200±2um。 所述第一步至第三步的研磨时间总计不超过25min。 所述第一步至第三步的研磨过程中使用纯水作为研磨液。 本专利技术是通过砂轮式研磨机对硅基板分三阶段研磨，且每段研磨后对芯片厚度进 行量测，这样在进行下一阶段研磨时自动进行厚度补偿，使整盘硅基板芯片的均匀性在最 后一段研磨后达到误差±2um。 本专利技术使用三段式研磨，研磨厚度分别为450um到350um，350um到250um，250um 到200um，三段研磨后总计耗时25min。较市场主流机台耗时两小时来算，充分节约作业时 间，三段研磨的切削速率分别为0. 2um/s，0. 15um/s，0. 15um/s，最终硅基板芯片研磨厚度为 200±2um。 本专利技术主要比同行业的研磨机有三个优点： 1、 使作业时间从之前的两小时缩短到现在的25min ; 2、 使用纯水进行作业，无需使用研磨液节约成本； 3、 研磨后的芯片的均匀性在±2um，较普通研磨机的±5um均匀性好。 下表为同一台研磨机5次研磨后的数据统计：【主权项】1. LED硅基板的研磨技术，其特征在于，按下述步骤进行： 第一步：采用砂轮式研磨机对硅基板进行研磨，砂轮式研磨机的切削速率为〇. 2um/s， 将硅基板的厚度从450um研磨到350um，研磨完成后，对研磨后的硅基板厚度进行测量； 第二步：继续用砂轮式研磨机对第一步研磨后的硅基板进行研磨，并根据第一步中对 硅基板厚度的测量结果，在研磨时自动进行厚度补偿，砂轮式研磨机的切削速率为〇. 15um/ s，将硅基板的厚度从350um研磨到250um，研磨完成后，对研磨后的硅基板厚度再次进行测 量； 第三步：继续用砂轮式研磨机对第二步研磨后的硅基板进行研磨，并根据第二步中对 硅基板厚度的测量结果，在研磨时自动进行厚度补偿，砂轮式研磨机的切削速率为〇. 15um/ s，将娃基板的厚度从250um研磨到200um。2. 根据权利要求1所述的LED硅基板的研磨技术，其特征在于，所述砂轮式研磨机为蓝 宝石砂轮研磨机。3. 根据权利要求1所述的LED硅基板的研磨技术，其特征在于，所述第三步中研磨好的 硅基板厚度范围为200±2um〇4. 根据权利要求1所述的LED硅基板的研磨技术，其特征在于，所述第一步至第三步的 研磨时间总计不超过25min。5. 根据权利要求1所述的LED硅基板的研磨技术，其特征在于，所述第一步至第三步的 研磨过程中使用纯水作为研磨液。【专利摘要】本专利技术公开了一种效率高、加工成本低、均匀性好的LED硅基板研磨技术；采用的技术方案为：采用砂轮式研磨机对硅基板进行研磨，切削速率为0.2um/s，将硅基板的厚度从450um研磨到350um，研磨完成后，对研磨后的硅基板厚度进行测量；继续对硅基板进行研磨，这次研磨机的切削速率为0.15um/s，将硅基板的厚度从350um研磨到250um，并对硅基板厚度再次进行测量；继续对硅基板进行研磨，在研磨时自动进行厚度补偿，这次研磨机的切削速率为0.15um/s，将硅基板的厚度从250um研磨到200um；本专利技术可广泛应用于硅基板研磨领域。【IPC分类】B24B37-07, B24B37-04【公开号】CN104827384【申请号】CN201510147199【专利技术人】张正来 【申请人】山西南烨立碁光电有限公司【公开日】2015年8月12日【申请日】2015年3月31日本文档来自技高网...
【技术保护点】
LED硅基板的研磨技术，其特征在于，按下述步骤进行：第一步：采用砂轮式研磨机对硅基板进行研磨，砂轮式研磨机的切削速率为0.2um/s，将硅基板的厚度从450um研磨到350um，研磨完成后，对研磨后的硅基板厚度进行测量；第二步：继续用砂轮式研磨机对第一步研磨后的硅基板进行研磨，并根据第一步中对硅基板厚度的测量结果，在研磨时自动进行厚度补偿，砂轮式研磨机的切削速率为0.15um/s，将硅基板的厚度从350um研磨到250um，研磨完成后，对研磨后的硅基板厚度再次进行测量；第三步：继续用砂轮式研磨机对第二步研磨后的硅基板进行研磨，并根据第二步中对硅基板厚度的测量结果，在研磨时自动进行厚度补偿，砂轮式研磨机的切削速率为0.15um/s，将硅基板的厚度从250um研磨到200um。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张正来，
申请(专利权)人：山西南烨立碁光电有限公司，
类型：发明
国别省市：山西;14
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