低介电常数聚酰亚胺膜及其制造方法技术

技术编号:11876998 阅读:122 留言:0更新日期:2015-08-13 03:30
本发明专利技术公开了一种单层聚酰亚胺膜及其制法,该膜包括:一第一子层,其包括第一聚酰亚胺,以及分布于其中的含氟高分子的颗粒,其中,该第一聚酰亚胺由第一二胺与第一二酐反应所得,且该第一二胺及该第一二酐的至少之一在其化学式中含有氟原子;及一第二子层,其由第二聚酰亚胺所构成,该第二聚酰亚胺由第二二胺与第二二酐反应所得,且该第二二胺和/或该第二二酐在其化学式中含有氟原子;其中,该第一聚酰亚胺与该第二聚酰亚胺相近似或相同。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种聚酰亚胺膜,包括:一第一子层,其包括第一聚酰亚胺,以及分布于其中的含氟高分子的颗粒,其中,该第一聚酰亚胺由第一二胺与第一二酐反应而得,且该第一二胺和/或该第一二酐在其化学式中含有氟原子;以及一第二子层,其由第二聚酰亚胺所构成并与该第一子层相连接,该第二聚酰亚胺是由第二二胺与第二二酐反应而得,且该第二二胺和/或该第二二酐在其化学式中含有氟原子;其中,该第一聚酰亚胺与该第二聚酰亚胺相近似或相同。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:林志维赖俊廷
申请(专利权)人:达迈科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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