本发明专利技术涉及一种二极管。二极管(1)包括碳化硅衬底(11)、停止层(12)、漂移层(13)、保护环(14)、肖特基电极(15)、欧姆电极(16)和表面保护膜(17)。在25℃的测量温度下，二极管(1)的正向导通电阻R和二极管(1)的响应电荷Q的乘积R·Q满足R·Q≤0.24×V阻断2的关系。正向导通电阻R表示当在向二极管(1)施加正向电压时产生的指定电流密度(Jf)时的电压与电流的变化率。将反向阻断电压V阻断定义为产生与指定电流密度(Jf)的10-5倍一样高的电流密度Jr时的二极管(1)的反向电压。响应电荷Q通过在从0V至V阻断的范围中对二极管(1)的反向电容-电压特性中得到的电容(C)积分来获得。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种二极管，并且尤其涉及要求击穿电压高和导通电阻低的二极管。
技术介绍
通常已经采用硅（Si)作为制造功率半导体元件的半导体材料。然而，低损耗、高 击穿电压和高操作速度的这种性能已接近于硅半导体元件的理论极限。 将带隙大于硅的半导体称为"宽带隙半导体"。由于宽带隙半导体，所以期望 显著改善功率半导体元件的性能。例如，诸如碳化硅（SiC)或者氮化镓（GaN)的宽带 隙半导体作为功率半导体的材料已引起注意。例如，YoshitomoHatakeyama,Kazuki Nomoto,NaokiKaneda,ToshihiroKawano,TomoyoshiMishima,TohruNakamura，在 2011 年 12 月IEEEELECTONDEVICELETTERS,Vol. 32,No. 12,pp. 1674-1676 中"Over3. 0GW/ cm2Figure-〇f-MeritGaNp-nJunctionDiodesonFree-StandingGaNSubstrates, 〃中 已报告了形成在无支撑GaN衬底上的p-n结二极管的导通电阻特性。
技术实现思路
尤其是，关于功率二极管，主要评估导通电阻特性。导通电阻可以用于在二极管操 作期间评估二极管中的传导损耗。然而，基于导通电阻难以评估二极管中的开关损耗。通 过用适当的方法评估二极管的开关特性，能够实现具有更好开关特性的二极管。 本专利技术的目的在于提供一种具有优良开关特性的二极管。 根据本专利技术的一个方面的二极管包括有源层和用于向该有源层施加正向电压和 反向电压的第一和第二电极。在经由第一和第二电极向有源层施加正向电压时的二极管的 正向电流-电压特性中，在与电流密度Jf对应的电流值中的电压关于电流的变化被定义为 正向导通电阻R，电流密度Jf通过将有源层的电导率0 (单位：S/mm)乘以电场强度50(单 位：V/mm)得到。在经由第一和第二电极向有源层施加反向电压时的二极管的反向电流-电 压特性中，与电流密度Jr对应的电压被定义为反向阻断电压(单位：V)，电流密度Jr 与电流密度Jf的1(T5倍一样高。根据经由第一和第二电极向二极管施加反向电压时的二 极管的反向电容-电压特性，通过在从0至V_的反向电压的范围中对反向电容积分得到 的电荷被定义为二极管的响应电荷Q。在25°C的测量温度下，正向导通电阻R和响应电荷 Q的乘积R?Q满足R?Q彡0. 24XV_ 2的关系。在这里，R的单位是，Q的单位是nC。 根据本专利技术的另一个方面的二极管包括有源层和用于向该有源层施加正向电压 和反向电压的第一和第二电极。在经由第一和第二电极向有源层施加正向电压时的二极管 的正向电流-电压特性中，在电流密度Jf为3(单位：A/mm2)时的电压关于电流的变化被定 义为正向导通电阻R，电流密度Jf通过将正向电流的值除以结界面面积得到。在经由第一 和第二电极向有源层施加反向电压时的二极管的反向电流-电压特性中，与密度Jr对应的 电压被定义为反向阻断电压(单位：V)，密度Jr与电流密度Jf的1(T5倍一样高。根据 在经由第一和第二电极向二极管施加反向电压时的二极管的反向电容-电压特性，通过在 从〇至的反向电压的范围中对反向电容积分得到的电荷被定义为二极管的响应电荷Q。 在25°C的测量温度下，正向导通电阻R和响应电荷Q的乘积R?Q满足R?Q彡0. 24X 2的关系。在这里，R的单位是mD，Q的单位是nC。 根据本专利技术，能够提供具有优良开关特性的二极管。 结合附图，从本专利技术的下面的详细描述，本专利技术的前述的和其它目的、特征、方面 和优势将变得更加明显。【附图说明】 图1是示意性示出根据第一实施例的二极管的结构的截面图。 图2是示出二极管的正向电流-电压特性的一个实例的图。 图3是示出用于测量二极管的正向电流-电压特性的配置的一个实例的图。 图4是示出二极管的反向电流-电压特性的一个实例的图。 图5是示出用于测量二极管的反向电流-反向电压特性的配置的一个实例的图。 图6是示出用于测量二极管的反向电容-电压（C-V)特性的电路的示意性配置的 图。 图7是示出二极管的反向电容-电压特性的一个实例的图。 图8是示出实例1-1(600V级阻断电压器件）和实例1-2(1200V级阻断电压器件） 中的每一个中的五种样品的导通电阻R-响应电荷Q特性的图。 图9是示出根据实例1-1和1-2的样品的RQ乘积-VPM特性的图。 图10是示出根据实例1-3和1-4的样品的GR宽度-反向阻断电压特性的图。 图11是示出根据实例1-3和1-4的样品的GR宽度-响应电荷Q特性的图。 图12是示出RQ乘积-反向阻断电压V_特性的GR宽度依赖性的图。 图13是示出图12中所示的比例因子A的GR宽度依赖性的图。 图14是示意性示出根据第二实施例的二极管的结构的截面图。 图15是示出根据实例2-1 (150V级阻断电压器件）、实例2-2 (80V级阻断电压器 件）和实例2-3(40V级阻断电压器件）的样品的导通电阻R-响应电荷Q特性的图。 图16是示出根据实例2-1至2-3的样品的RQ乘积-VPM特性的图。 图17是示出RQ乘积-反向阻断电压V_特性的GR宽度依赖性的图。 图18是示意性示出根据第四实施例的二极管的结构的截面图。 图19是示出根据实例4-1 (600V级阻断电压器件）和实例4-2 (1200V级阻断电压 器件）的样品的导通电阻R-响应电荷Q特性的图。 图20是示出根据实例4-1和4-2的样品的RQ乘积-VPM特性的图。 图21是示出根据实例5-1和5-2的样品的FP宽度-反向阻断电压特性的图。 图22是示出根据实例5-1和5-2的样品的FP宽度-响应电荷Q特性的图。 图23是示出RQ乘积-反向阻断电压V_特性的FP宽度依赖性的图。 图24是示出图23中所示的比例因子A的FP宽度依赖性的图。【具体实施方式】 首先将列出并描述本专利技术的实施例。 (1)根据本专利技术的一个实施例的二极管包括有源层和用于向该有源层施加正向电 压和反向电压的第一和第二电极。在经由第一和第二电极向有源层施加正向电压时的二极 管的正向电流_电压特性中，在与电流密度Jf对应的电流值中的电压关于电流的变化被定 义为正向导通电阻R，电流密度Jf通过将有源层的电导率〇 (单位：S/mm)乘以电场强度 50 (单位：V/mm)得到。在经由第一和第二电极向有源层施加反向电压时的二极管的反向电 流-电压特性中，与电流密度Jr对应的电压被定义为反向阻断电压(单位：V)，电流密 度Jr与电流密度Jf的10_5倍一样高。根据在经由第一和第二电极向二极管施加反向电压 时的二极管的反向电容-电压特性，通过在从〇至的反向电压的范围中对反向电容积 分得到的电荷被定义为二极管的响应电荷Q。在25°C的测量温度下，正向导通电阻R和响 应电荷Q的乘积R?Q满足R?Q彡0. 24XV_ 2的关系。在这里，R的单位是mD，Q的单位 是nC〇 根据以上配置，能够提供具有优良开关特性的二极管。RQ乘积是表示二极管中总 损耗的良好指标。此外，RQ乘积与反向阻断电压％w的平方成比例（R?Qv_ 2)。通过 将该比例因子设定为0. 24或更小，能本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种二极管，包括：有源层；和第一和第二电极，所述第一和第二电极用于向所述有源层施加正向电压和反向电压，在经由所述第一和第二电极向所述有源层施加所述正向电压时的所述二极管的正向电流‑电压特性中，电压关于电流的变化被定义为正向导通电阻R，所述电流的电流值与电流密度Jf对应，所述电流密度Jf是通过将所述有源层的电导率σ乘以电场强度50V/mm得到的，其中，所述正向导通电阻R的单位为mΩ，所述电导率σ的单位为S/mm，在经由所述第一和第二电极向所述有源层施加所述反向电压时的所述二极管的反向电流‑电压特性中，与电流密度Jr对应的电压被定义为反向阻断电压V阻断，所述电流密度Jr与所述电流密度Jf的10‑5倍一样高，其中，所述反向阻断电压V阻断的单位为V，并且根据经由所述第一和第二电极向所述二极管施加所述反向电压时的所述二极管的反向电容‑电压特性，通过在从0至V阻断的所述反向电压的范围中对反向电容积分得到的电荷被定义为所述二极管的响应电荷Q，其中，所述响应电荷Q的单位为nC，在25℃的测量温度下，所述正向导通电阻R和所述响应电荷Q的乘积R·Q满足R·Q≤0.24×V阻断2的关系。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：木山诚，松浦尚，岛津充，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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