功率NPN型晶体管，在正方形的低掺杂N型硅的集电区上的正方形区域内，设有高掺杂P型硅的基区，基区上设有高掺杂N型硅的发射区，所述发射区由若干横向和竖向排列的指状小发射区组成，横向和竖向排列的指状小发射区沿晶圆片的对角线对称设置，基区和所述发射区间隔分布，呈叉指状；每个所述小发射区的上设有窄于小发射区的发射区接触孔，发射区接触孔通过发射极金属化电极条连接至发射极电极；在相邻两个所述小发射区之间基区上设有基区接触孔，基区接触孔由基极金属化电极条连接至基极电极；基极金属化电极条和发射极电极条之间设有绝缘槽。本实用新型专利技术的版图，采用横排和竖排叉指状的发射区分布，不仅开关速度快，分布限流效果好。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及双极型功率晶体，特别涉及功率NPN型晶体管。
技术介绍
功率NPN型晶体管，一般耐压很高，Vcbo^ 700V，功率很大，放大倍数不大，常用于电子镇流器、节能灯、充电器及各类功率开关电路。双极型功率晶体管通过硅三重扩散平面工艺，输出特性好、电流容量大。反向电压和集电区的掺杂杂质浓度，be结的深度，基区的宽度，电极的宽度有关。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种高反压，开关特性好，暗电流小的双极型功率晶体管。实现本技术目的的技术方案是:功率NPN型晶体管，在正方形的低掺杂N型硅的集电区上的正方形区域内，设有高掺杂P型硅的基区，基区上设有高掺杂N型硅的发射区，所述发射区由若干横向和竖向排列的指状小发射区组成，所述横向和竖向排列的指状小发射区沿晶圆片的对角线对称设置，所述基区和所述发射区间隔分布，呈叉指状；每个所述小发射区的上设有窄于小发射区的发射区接触孔，发射区接触孔通过发射极金属化电极条连接至发射极电极；在相邻两个所述小发射区之间基区上设有基区接触孔，基区接触孔由基极金属化电极条连接至基极电极；基极金属化电极条和发射极电极条之间设有绝缘槽。作为本技术的进一步改进，所述双极型功率晶体管的芯片厚度为252 ± 15 μ m，集电结深度为62 μ m，发射结的深度为18 μ m，所述集电区的电阻率为65Ω.cm。作为本技术的进一步改进，所述发射区接触孔的宽为48 μ m，发射区接触孔上覆盖的金属化电极条的宽度为112 μm。作为本技术的进一步改进，所述基区接触孔的宽为15 μ m，基区接触孔上覆盖的基区金属化电极条的宽度为45 μm。作为本技术的进一步改进，所述基区的外围的集电区上设有高掺杂P型硅的保护环，用于减小暗电流。作为本技术的进一步改进，所述基极电极和发射极电极设置在晶圆片的对角线上，节约晶圆片的面积。作为本技术的进一步改进，所述绝缘槽的宽度为13μπι。本技术采用低掺杂的集电区，获得高反压。本技术的版图，采用横排和竖排叉指状的发射区分布，不仅开关速度快，分布限流效果好，而且面积利用率高。【附图说明】图1为本技术实施例1的结构示意图；图2为本技术实施例1的晶体管边缘局部剖视图。【具体实施方式】如图1和图2所示，功率NPN型晶体管100，长、宽、高为1700 μ mX 1700 μ mX 252 μ m的、电阻率为65 Ω.cm的低掺杂N型硅的集电区I上，设有高掺杂P型硅的基区2，基区2上设有高掺杂N型硅的发射区3，基区2和发射区3上设有二氧化硅膜11。发射区3由4个横向和4个竖向排列的指状小发射区31组成，横向和竖向排列的指状小发射区31沿晶圆片的对角线对称设置，基区2和小发射区31间隔分布，呈叉指状；每个小发射区31上的二氧化硅膜11上设有长方形的发射区接触孔32，由发射区金属化电极条4连接至发射极电极5。相邻两个小发射区31之间的基区的二氧化硅膜11上设有基区接触孔21，由基区金属化电极条6连接至基极电极8。绝缘槽10将发射区金属化电极条4和基区金属化电极条6分割开。如图2所示，功率NPN型晶体管的芯片，厚度为252 μ m，集电结深度为62 μ m。小发射区31的深度为18 μ m，小发射区31接触孔的宽为48 μ m，发射区金属化电极条4的宽度为48 μ m。基区2的厚度为62 μ m，基区接触孔21的宽为15 μ m，基区金属化电极条6的宽度为45 μ m。绝缘槽10的宽度为13 μ m。基区2的外围的集电区I上设有高掺杂P型硅的保护环，保护环上覆盖有二氧化硅膜11和金属7。保护环9包括最外层的高掺杂N型硅的第一保护环91，高掺杂P型硅的第二保护环92，第一保护环91外侧与基区2的横向距离为190 μ m，宽度为40 μ m，深度为18 μ m。第二保护环92内侧与基区2的横向距离为55 μ m，宽度为15 μ m，深度为62 μ m。本实施例的功率NPN 型晶体管 100 的 Vc；BQ=700V，VCEO=450V, Ic=L 5A。【主权项】1.功率NPN型晶体管，在正方形的低掺杂N型硅的集电区上的正方形区域内，设有高掺杂P型硅的基区，基区上设有高掺杂N型硅的发射区，其特征是，所述发射区由若干横向和竖向排列的指状小发射区组成，所述横向和竖向排列的指状小发射区沿晶圆片的对角线对称设置，所述基区和所述发射区间隔分布，呈叉指状；每个所述小发射区的上设有窄于小发射区的发射区接触孔，发射区接触孔通过发射极金属化电极条连接至发射极电极；在相邻两个所述小发射区之间基区上设有基区接触孔，基区接触孔由基极金属化电极条连接至基极电极；基极金属化电极条和发射极电极条之间设有绝缘槽。2.根据权利要求1所述的功率NPN型晶体管，其特征是，所述功率NPN型晶体管的芯片厚度为252 ± 15 μ m，集电结深度为62 μ m，发射结的深度为18 μ m，所述集电区的电阻率为65Ω.cm03.根据权利要求1所述的功率NPN型晶体管，其特征是，所述发射区接触孔的宽为48 μ m，发射区接触孔上覆盖的金属化电极条的宽度为112 μ m。4.根据权利要求1所述的功率NPN型晶体管，其特征是，所述基区接触孔的宽为15 μ m，基区接触孔上覆盖的基区金属化电极条的宽度为45 μ mo5.根据权利要求1所述的功率NPN型晶体管，其特征是，所述基区的外围的集电区上设有高掺杂P型硅的保护环。6.根据权利要求1所述的功率NPN型晶体管，其特征是，所述基极电极和发射极电极设置在晶圆片的对角线上。【专利摘要】功率NPN型晶体管，在正方形的低掺杂N型硅的集电区上的正方形区域内，设有高掺杂P型硅的基区，基区上设有高掺杂N型硅的发射区，所述发射区由若干横向和竖向排列的指状小发射区组成，横向和竖向排列的指状小发射区沿晶圆片的对角线对称设置，基区和所述发射区间隔分布，呈叉指状；每个所述小发射区的上设有窄于小发射区的发射区接触孔，发射区接触孔通过发射极金属化电极条连接至发射极电极；在相邻两个所述小发射区之间基区上设有基区接触孔，基区接触孔由基极金属化电极条连接至基极电极；基极金属化电极条和发射极电极条之间设有绝缘槽。本技术的版图，采用横排和竖排叉指状的发射区分布，不仅开关速度快，分布限流效果好。【IPC分类】H01L29-73, H01L29-06【公开号】CN204538032【申请号】CN201520177374【专利技术人】崔峰敏 【申请人】傲迪特半导体(南京)有限公司【公开日】2015年8月5日【申请日】2015年3月26日本文档来自技高网...
【技术保护点】
功率NPN型晶体管，在正方形的低掺杂N型硅的集电区上的正方形区域内，设有高掺杂P型硅的基区，基区上设有高掺杂N型硅的发射区，其特征是，所述发射区由若干横向和竖向排列的指状小发射区组成，所述横向和竖向排列的指状小发射区沿晶圆片的对角线对称设置，所述基区和所述发射区间隔分布，呈叉指状；每个所述小发射区的上设有窄于小发射区的发射区接触孔，发射区接触孔通过发射极金属化电极条连接至发射极电极；在相邻两个所述小发射区之间基区上设有基区接触孔，基区接触孔由基极金属化电极条连接至基极电极；基极金属化电极条和发射极电极条之间设有绝缘槽。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：崔峰敏，
申请(专利权)人：傲迪特半导体南京有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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