本实用新型专利技术公开一种碳化硅外延炉的进气装置，包括进气管和主腔体；主腔体呈圆柱形，主腔体下端开设多个出气孔，主腔体上端封闭；进气管一端开设进气口，进气管另一端伸入到主腔体内；本实用新型专利技术对反应气体进行预加热，有效防止出气孔堵塞，减小进气口装置与碳化硅反应室的温度差，延长反应室内配件的使用寿命及提高外延晶片的质量。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及本技术涉及外延生长设备
，特别涉及一种碳化硅外延炉的进气装置。
技术介绍
碳化硅半导体具有大禁带宽度、优良的稳定性、高热导率、高临界击穿场强、高饱和电子漂移速度等优良特性，是制作高温、高频、大功率和强辐射电力电子器件的理想半导体材料。与传统的硅器件相比，碳化硅器件能够在10倍于硅器件的电场强度下正常工作。用于制作碳化硅器件的碳化硅材料通常是生长在碳化硅衬底上的碳化硅外延晶片。碳化硅外延炉是用来生长碳化硅外延晶片的反应室，通常采用CVD(化学气相沉积)的方法来生长碳化硅外延晶片。在水平行星式反应室内，反应气体是通过一个名为“injector”的进气装置进入反应室进行物理化学反应的。当前碳化硅外延炉的进气装置如图1所示，该结构的进气端没有气体预加热功能，由于输入气体温度较低(一般为室温)，因而出气孔附近的温度较低，而炉内一般生长温度达到1500多度，巨大温差导致附近反应气体的分解效率降低，容易产生一些反应异物，严重的情况下会堵塞出气孔；此外进气装置附近的低温与炉内的高温也形成较大的温差，对炉内配件的使用寿命和外延晶片的质量产生不利影响。因此本专利技术人对上述碳化硅外延炉的进气装置进行改进，特别研制出一种能够对气体进行预加热、防止出气孔堵塞的碳化硅外延炉的进气装置，本案由此产生。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种碳化硅外延炉的进气装置，能够对输入气体进行预加热，有效防止出气孔堵塞，延长外延炉配件使用寿命及提高外延晶片的质量。为了实现上述目的，本技术的技术方案如下:一种碳化硅外延炉的进气装置，包括进气管和主腔体；主腔体呈圆柱形，主腔体下端开设多个出气孔，主腔体上端封闭；进气管一端开设进气口，进气管另一端伸入到主腔体内。所述出气孔长度为2_4cm，数量为2-5个。采用上述方案后，本技术的进气管伸入主腔体内，同时主腔体上端对应进气管的位置均为封闭，使进气管中的气体进入到主腔体之前有一段预加热的过程，气体与主腔体下端的出气孔在温度上不会有太大的差别，从而避免了反应气体分解效率的降低及反应异物的产生，此外，反应气体需经过出气孔进入反应室，气体预加热也防止异物堵塞出气孔，减小进气口装置与碳化硅反应室的温度差，延长反应室内配件的使用寿命及提高外延晶片的质量。【附图说明】为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是现有碳化硅外延炉进气装置的结构示意图；图2是本技术的结构示意图。标号说明。主腔体1，出气孔2，进气管3，进气孔4。【具体实施方式】下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图2所示，本技术揭示的一种碳化硅外延炉的进气装置，包括进气管3和主腔体I ;主腔体I呈圆柱形，主腔体I下端开设多个出气孔2，主腔体I上端封闭；进气管3一端开设进气口 4，进气管3另一端伸入到主腔体I内。出气孔2长度为2-4cm，数量为2_5个，本技术出气孔2长度相对于现有出气孔2长度较短，从进气孔4中进入的反应气体依然保持进气速率，因而增加出气孔2的数量，以保证通过出气孔2的反应气体总流量和流速不变。本技术对原有的碳化硅进气装置进行改进，通过加长进气管3使其有一段伸入主体腔I内，从而使进入主体腔I的反应气体有一预加热的过程，减小反应气体与主体腔I的温差及进气装置与碳化硅反应室的温差，避免了反应气体分解率的降低和异物的产生，防止出气孔2被堵塞，减少低气温气体对反应室设备的损耗。本技术预加热后的气体同时还能够促进碳化硅反应室性能的提升，减少降低设备的维护次数，降低生产成本。上述实施例和图式并非限定本技术的产品形态和式样，任何所属
的普通技术人员对其所做的适当变化或修饰，皆应视为不脱离本技术的专利范畴。【主权项】1.一种碳化硅外延炉的进气装置，其特征在于:包括进气管和主腔体；主腔体呈圆柱形，主腔体下端开设多个出气孔，主腔体上端封闭；进气管一端开设进气口，进气管另一端伸入到主腔体内。2.如权利要求1所述的一种碳化硅外延炉的进气装置，其特征在于:所述出气孔长度为2-4cm，数量为2-5个。【专利摘要】本技术公开一种碳化硅外延炉的进气装置，包括进气管和主腔体；主腔体呈圆柱形，主腔体下端开设多个出气孔，主腔体上端封闭；进气管一端开设进气口，进气管另一端伸入到主腔体内；本技术对反应气体进行预加热，有效防止出气孔堵塞，减小进气口装置与碳化硅反应室的温度差，延长反应室内配件的使用寿命及提高外延晶片的质量。【IPC分类】C30B25-14, C30B29-36【公开号】CN204491032【申请号】CN201520024722【专利技术人】钱卫宁, 冯淦, 赵建辉 【申请人】瀚天天成电子科技（厦门）有限公司【公开日】2015年7月22日【申请日】2015年1月14日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种碳化硅外延炉的进气装置，其特征在于：包括进气管和主腔体；主腔体呈圆柱形，主腔体下端开设多个出气孔，主腔体上端封闭；进气管一端开设进气口，进气管另一端伸入到主腔体内。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：钱卫宁，冯淦，赵建辉，
申请(专利权)人：瀚天天成电子科技厦门有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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