本实用新型专利技术公开一种碳化硅外延炉的半圆形盖片，包括大盖片和小盖片；大盖片和小盖片均为圆环形状，大盖片由两个半圆环盖片拼接而成，大盖片中间形成一个圆环形凹槽，小盖片由复数个扇形圆环盖片拼接而成，小盖片安装在大盖片的圆环形凹槽内；本实用新型专利技术能够提高碳化硅外延炉的半圆形盖片的利用率和碳化硅外延晶片的生产效率，降低生产成本。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及外延生长设备
，特别涉及一种碳化硅外延炉的半圆形盖片。
技术介绍
目前，碳化硅外延生长已经实现了商业化，通常采用CVD (化学气相沉积)的方法来生长碳化硅外延晶片。随着碳化硅半导体技术的进步，产业应用对碳化硅功率器件性能的要求越来越高，成本要求越来越低，大功率电力电子器件对碳化硅晶体和外延材料提出更高的要求和需求，提高备件利用率，降低生产成本成为碳化硅晶体发展的当务之急。碳化硅外延炉是用来生长碳化硅外延晶片的反应室，目前主流的商业碳化硅外延炉，为了配合生产的需要，通常需要储备很多易损备件以及增加备件清理人员，这无形中增加了生产成本，给企业带来了较大负担。例如德国Aixtron公司的2400或2800系列碳化硅外延炉，其反应室内部的备件多达上百个，而易损备件就有三十多个，其中之一的易损备件一一半圆形盖片(cover disc outside)，参照图1所示，主要用于反应室进气端及衬底片之间，由于所处温区温场跨度较大，进出气体在半圆形盖片上会留下沉积的附着物，这些附着物的主份复杂，并且半圆形盖片材质为石墨，在备件维护时沉积附着物的区域难以彻底清理干净，导致其使用寿命约40?50炉，而且每次更换新的半圆形盖片时，都要对备件的进行烘烤以除去其表面附着的水汽等杂质，这无疑降低了生产效率，同时也增加的生产的成本。有鉴于此，本专利技术人对上述碳化硅外延炉的半圆形盖片进行改进，特别研制出一种便于清洗且更耐用的碳化硅外延炉的半圆形盖片，本案由此产生。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种碳化硅外延炉的半圆形盖片，其能够提高碳化硅外延炉的半圆形盖片的利用率和碳化硅外延晶片的生产效率，降低生产成本。为了实现上述目的，本技术的技术方案如下:一种碳化娃外延炉的半圆形盖片，包括大盖片和小盖片；大盖片和小盖片均为圆环形状，大盖片由两个半圆环盖片拼接而成，大盖片中间形成一个圆环形凹槽，小盖片由复数个扇形圆环盖片拼接而成，小盖片安装在大盖片的圆环形凹槽内。所述小盖片材质为碳化娃。所述小盖片直径小于或等于大盖片直径。采用上述方案后，本技术在大盖片上对应的杂质沉积区域设置便于揭取的小盖片，使沉积物覆盖着小盖片上，在清洗盖片是只需将小盖片取出，替换为新的小盖片，对取出的小盖片全面清洗，小盖片中扇形圆环盖片可根据需要设定其数量，使盖片的清洗效率最大化，同时对小盖片的清洗更为彻底，进而半圆形盖片备件的使用寿命更长，不需要经常更换，降低了碳化硅外延炉的维护成本。【附图说明】为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是现有半圆形盖片的结构示意图；图2是本技术实施例一的俯视图；图3是本技术实施例二的俯视图。标号说明大盖片I，圆环形凹槽11，半圆环盖片2，小盖片3，扇形圆环盖片4。【具体实施方式】下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。实施例一:如图2所示，本技术揭示的一种碳化硅外延炉的半圆形盖片，包括大盖片I和小盖片2 ;大盖片I和小盖片2均为圆环形状，大盖片I由两个半圆环盖片2拼接而成，大盖片I中间形成一个圆环形凹槽11，小盖片3由复数个扇形圆环盖片4拼接而成，本实施例的小盖片3由扇形圆环盖片4拼接而成，由两个小盖片3安装在大盖片I的圆环形凹槽内。小盖片材质为碳化硅，因为碳化硅可以直接进行清洗处理和烘干，则碳化硅小盖片能够进一步提高半圆形盖片的清洗效率。小盖片3直径小于或等于大盖片I直径，本实施例小盖片3的直径小于大盖片I的直径，在半圆形盖片沉积物覆盖区域集中在中间时，小盖片3只需两个扇形圆环盖片4组成，以节省材料及清洗时间。实施例二:如图3所示，本实施例与实施例一的区别在于:小盖片3直径等于大盖片I直径，小盖片3将大盖片I全面覆盖，本实施例适用于半圆形盖片全部被沉积物覆盖时的情况，同时小盖片3由四个扇形圆环盖片4组成，分成更多等分的扇形圆环盖片4可使小盖片清洗更快速彻底，还可以将只将有沉积物的扇形圆环盖片4单独取出更换，方便快捷。本技术对原有碳化硅外延炉的半圆形盖片的改进，通过在原来半圆形盖片上增设碳化硅小盖片3，提高清洗效率，碳化硅小盖片3可重复使用，降低了生产成本，避免半圆形盖片备件的清洗维护过于频繁，从而延长了其使用寿命。上述实施例和图式并非限定本技术的产品形态和式样，任何所属
的普通技术人员对其所做的适当变化或修饰，皆应视为不脱离本技术的专利范畴。【主权项】1.一种碳化娃外延炉的半圆形盖片，其特征在于:包括大盖片和小盖片；大盖片和小盖片均为圆环形状，大盖片由两个半圆环盖片拼接而成，大盖片中间形成一个圆环形凹槽，小盖片由复数个扇形圆环盖片拼接而成，小盖片安装在大盖片的圆环形凹槽内。2.如权利要求1所述的一种碳化硅外延炉的半圆形盖片，其特征在于:所述小盖片材质为碳化娃。3.如权利要求1所述的一种碳化硅外延炉的半圆形盖片，其特征在于:所述小盖片直径小于或等于大盖片直径。【专利摘要】本技术公开一种碳化硅外延炉的半圆形盖片，包括大盖片和小盖片；大盖片和小盖片均为圆环形状，大盖片由两个半圆环盖片拼接而成，大盖片中间形成一个圆环形凹槽，小盖片由复数个扇形圆环盖片拼接而成，小盖片安装在大盖片的圆环形凹槽内；本技术能够提高碳化硅外延炉的半圆形盖片的利用率和碳化硅外延晶片的生产效率，降低生产成本。【IPC分类】C30B25-02, C30B29-36【公开号】CN204491031【申请号】CN201520024756【专利技术人】孙强, 冯淦, 赵建辉 【申请人】瀚天天成电子科技（厦门）有限公司【公开日】2015年7月22日【申请日】2015年1月14日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种碳化硅外延炉的半圆形盖片，其特征在于：包括大盖片和小盖片；大盖片和小盖片均为圆环形状，大盖片由两个半圆环盖片拼接而成，大盖片中间形成一个圆环形凹槽，小盖片由复数个扇形圆环盖片拼接而成，小盖片安装在大盖片的圆环形凹槽内。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙强，冯淦，赵建辉，
申请(专利权)人：瀚天天成电子科技厦门有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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