【技术实现步骤摘要】
一种高可靠玻璃钝化高压硅堆的制造方法
本专利技术涉及高压硅堆
,尤其涉及一种高可靠玻璃钝化高压硅堆的制造方法。
技术介绍
由于国内大部分高压硅堆均为塑料封装,产品可靠性不高,而且塑料结构的化学性能不稳定,在管芯台面腐蚀成型过程中,容易与混合酸反应,使管芯腐蚀过程不可控,增大了金属杂质离子的对台面的沾污。
技术实现思路
本专利技术主要是解决现有技术中所存在的技术问题,从而提供一种反向峰值电压高,封装体积小,可靠性高的高可靠玻璃钝化高压硅堆的制造方法。本专利技术的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的:本专利技术提供的高可靠玻璃钝化高压硅堆的制造方法,包括以下步骤:a、将若干个管芯采用台面成型机吹砂成型规定尺寸的圆片,b、将所述管芯分极处理后,采用石墨模具叠片烧结的方式将所述管芯进行烧结形成芯片,c、将含有钨电极的电极引线焊接在所述芯片的两端,d、采用混合酸对所述芯片的台面进行腐蚀,腐蚀两次,每次3分钟,然后用大量去离子水冲洗干净,e、在所述芯片的台面上涂覆钝化封装玻璃粉浆,在链式炉下高温成型,完成封装成型。进一步地,所述电极引线与所述芯片焊接所使用的焊料为铝。进一步地,所述步骤c中的混合酸为硝酸、氢氟酸、冰乙酸、硫酸按照:9:4.5:4:10的比例混合制作而成。进一步地,所述钨电极的最大直流电流密度小于2×105A/cm2。本专利技术的有益效果在于:可提高硅堆的抗浪涌电流能力,同时钨电极引线由于其化学性能稳定,在芯片台面腐蚀成型过程中基本不与混合酸反应,使芯片腐蚀过程可控,减少金属杂质离子的对台面的沾污,大大降低了产品的常温、高温反向漏电流,可实现产 ...
【技术保护点】
一种高可靠玻璃钝化高压硅堆的制造方法,其特征在于:包括以下步骤:a、将若干个管芯(1)采用台面成型机吹砂成型规定尺寸的圆片,b、将所述管芯(1)分极处理后,采用石墨模具叠片烧结的方式将所述管芯(1)进行烧结形成芯片(2),c、将含有钨电极(3)的电极引线(4)焊接在所述芯片(2)的两端,d、采用混合酸对所述芯片(2)的台面进行腐蚀,腐蚀两次,每次3分钟,然后用大量去离子水冲洗干净,e、在所述芯片(2)的台面上涂覆钝化封装玻璃粉浆(5),在链式炉下高温成型,完成封装成型。
【技术特征摘要】
1.一种高可靠玻璃钝化高压硅堆的制造方法,其特征在于:包括以下步骤:a、将若干个管芯(1)采用台面成型机吹砂成型规定尺寸的圆片,b、将所述管芯(1)分极处理后,采用石墨模具叠片烧结的方式将所述管芯(1)进行烧结形成芯片(2),c、将含有钨电极(3)的电极引线(4)焊接在所述芯片(2)的两端,d、采用混合酸对所述芯片(2)的台面进行腐蚀,腐蚀两次,每次3分钟,然后用大量去离子水冲洗干净,e、在所述芯片(2)的台面上涂覆钝化封装玻璃粉浆(5),在...
【专利技术属性】
技术研发人员:古进,杨艳,杨辉,迟鸿燕,杨彦闻,
申请(专利权)人:中国振华集团永光电子有限公司国营第八七三厂,
类型:发明
国别省市:贵州;52
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