一种射频放大器电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种射频放大器电路，包括输入端、DECI420 MOSFET场效应管，DE357-102N12A场效应管，滤波电路以及输出端，所述DECI420 MOSFET场效应管设置在所述输入端和所述DE357-102N12A场效应管之间，所述DE357-102N12A场效应管右端与所述输出端相连，所述滤波电路包括电容C1、电容C2和电感L1，所述输出端左侧还设置有一隔离变压器T1，还包括取样电路，所述取样电路包括电流取样传感线圈T2。本实用新型专利技术的有益效果在于，本实用新型专利技术提供一种输出功率稳定、功率值准确且高频漏电流小的射频放大器电路。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种射频放大器电路。
技术介绍
目前美国ellman公司生产的电刀功率放大器部分，是采用老式的电子管方式进行功率放大的；它的缺点是由于输出频率高，功率输出不稳定，功率值不准确，高频漏电大等问题。
技术实现思路
鉴于现有技术中存在的上述问题，本技术的主要目的在于解决现有技术的缺陷，本技术提供一种输出功率稳定、功率值准确且高频漏电流小的射频放大器电路。本技术提供了一种射频放大器电路，包括输入端、DECI420 MOSFET场效应管，DE357-102N12A场效应管，滤波电路以及输出端，所述DECI420 MOSFET场效应管设置在所述输入端和所述DE357-102N12A场效应管之间，所述DE357-102N12A场效应管右端与所述输出端相连，所述输入端与所述DECI420 MOSFET场效应管的管脚I之间连接有电阻R13、电容C47、电容C48、电容C49、电容C19、电容C20、电容C15、电容C14、电容C13，所述输入端与所述DECI420 MOSFET场效应管的管脚3之间连接有电阻R1、电容C52、电容C51、电容C50、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7，所述DECI420 MOSFET场效应管的管脚5与所述DE357-102N12A场效应管的管脚2相连，所述滤波电路与所述DE357-102N12A场效应管的管脚5相连，所述滤波电路包括电容Cl、电容C2和电感LI，所述DE357-102N12A场效应管的管脚5与输出端之间分别设置有电容C8、电容C9、电容ClO和电容16，所述输出端左侧还设置有一隔离变压器TI，还包括取样电路，所述取样电路包括电流取样传感线圈T2。可选的，所述电容C19为低通滤波电容。可选的，所述电容C3为低通滤波电容。本技术具有以下优点和有益效果:本技术提供一种射频放大器电路，在所述输入端与所述DECI420 MOSFET场效应管的管脚I之间连接有电阻R13和所述输入端与所述DECI420 MOSFET场效应管的管脚3之间连接有电阻Rl可减少因电源带来干扰；由于输入的频率高，要保持输入信号的绝对干净，不受寄生电容和磁场的干扰，在所述输入端与所述DECI420 MOSFET场效应管的管脚I之间连接有电容C47、电容C48、电容C49、电容C19、电容C20、电容C15、电容C14、电容C13，其中C19为低通滤波；在所述输入端与所述DECI420M0SFET场效应管的管脚3之间连接有电阻R1、电容C52、电容C51、电容C50、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7，其中C3为低通滤波；被放大的电流信号直接通过DECI420M0SFET场效应管的管脚5输入给DE357-102N12A场效应管的管脚2进行功率放大；电容Cl、电容C2和电感LI组成了功率放大电源的滤波；被放大的高频信号通过电容C8、电容C9、电容ClO和电容16输出一个稳定的功率信号，再经隔离变压器Tl输出，如此使其输出功率更稳定，功率更准确，高频漏电流更小。【附图说明】图1为本技术提供的一种射频放大器电路原理图。【具体实施方式】下面将参照附图和具体实施例对本技术作进一步的说明。如图1所示:本技术实施例的一种射频放大器电路，包括输入端、DECI420 MOSFET场效应管，DE357-102N12A场效应管，滤波电路100以及输出端，所述DECI420 MOSFET场效应管设置在所述输入端和所述DE357-102N12A场效应管之间，所述DE357-102N12A场效应管右端与所述输出端相连，所述输入端与所述DECI420M0SFET场效应管的管脚I之间连接有电阻R13、电容C47、电容C48、电容C49、电容C19、电容C20、电容C15、电容C14、电容C13，所述输入端与所述DECI420M0SFET场效应管的管脚3之间连接有电阻R1、电容C52、电容C51、电容C50、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7，所述DECI420 MOSFET场效应管的管脚5与所述DE357-102N12A场效应管的管脚2相连，所述滤波电路100与所述DE357-102N12A场效应管的管脚5相连，所述滤波电路包括电容Cl、电容C2和电感LI，所述DE357-102N12A场效应管的管脚5与输出端之间分别设置有电容C8、电容C9、电容ClO和电容16，所述输出端左侧还设置有一隔离变压器Tl，还包括取样电路200，所述取样电路包括电流取样传感线圈T2。作为上述实施例的优选实施方式，所述电容C19为低通滤波电容。作为上述实施例的优选实施方式，所述电容C3为低通滤波电容。本技术的工作原理为:在所述输入端与所述DECI420 MOSFET场效应管的管脚I之间连接有电阻R13和所述输入端与所述DECI420 MOSFET场效应管的管脚3之间连接有电阻Rl可减少因电源带来干扰；由于输入的频率高，要保持输入信号的绝对干净，不受寄生电容和磁场的干扰，在所述输入端与所述DECI420 MOSFET场效应管的管脚I之间连接有电容C47、电容C48、电容C49、电容C19、电容C20、电容C15、电容C14、电容C13，其中C19为低通滤波；在所述输入端与所述DECI420 MOSFET场效应管的管脚3之间连接有电阻R1、电容C52、电容C51、电容C50、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7，其中C3为低通滤波；被放大的电流信号直接通过DECI420 MOSFET场效应管的管脚5输入给DE357-102N12A场效应管的管脚2进行功率放大；电容Cl、电容C2和电感LI组成了功率放大电源的滤波；被放大的高频信号通过电容C8、电容C9、电容ClO和电容16输出一个稳定的功率信号，再经隔离变压器Tl输出，如此使其输出功率更稳定，功率更准确，高频漏电流更小。后应说明的是:以上所述的各实施例仅用于说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或全部技术特征进行等同替换；而这些修改或替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的范围。【主权项】1.一种射频放大器电路，其特征在于:包括输入端、DECI420M0SFET场效应管，DE357-102N12A场效应管，滤波电路以及输出端，所述DECI420M0SFET场效应管设置在所述输入端和所述DE357-102N12A场效应管之间，所述DE357-102N12A场效应管右端与所述输出端相连，所述输入端与所述DECI420M0SFET场效应管的管脚I之间连接有电阻R13、电容C47、电容C48、电容C49、电容C19、电容C20、电容C15、电容C14、电容C13，所述输入端与所述DECI420M0SFET场效应管的管脚3之间连接有电阻R1、电容C52、电容C51、电容C50、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7，所述DECI420M0SFET场效应管的管脚5与所述DE357-102N12A场效应管的管脚2相连，所述滤波电路与所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种射频放大器电路，其特征在于：包括输入端、DECI420MOSFET场效应管，DE357‑102N12A场效应管，滤波电路以及输出端，所述DECI420MOSFET场效应管设置在所述输入端和所述DE357‑102N12A场效应管之间，所述DE357‑102N12A场效应管右端与所述输出端相连，所述输入端与所述DECI420MOSFET场效应管的管脚1之间连接有电阻R13、电容C47、电容C48、电容C49、电容C19、电容C20、电容C15、电容C14、电容C13，所述输入端与所述DECI420MOSFET场效应管的管脚3之间连接有电阻R1、电容C52、电容C51、电容C50、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7，所述DECI420MOSFET场效应管的管脚5与所述DE357‑102N12A场效应管的管脚2相连，所述滤波电路与所述DE357‑102N12A场效应管的管脚5相连，所述滤波电路包括电容C1、电容C2和电感L1，所述DE357‑102N12A场效应管的管脚5与输出端之间分别设置有电容C8、电容C9、电容C10和电容16，所述输出端左侧还设置有一隔离变压器T1，还包括取样电路，所述取样电路包括电流取样传感线圈T2。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马广军，
申请(专利权)人：北京康威电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11