结构电容及滤波器制造技术

本实用新型专利技术提供一种结构电容及滤波器，该结构电容包括低通杆、连接杆以及固定块，低通杆由盘状的低阻抗段和杆状的高阻抗段交替连接而成，其一端设有第一固定结构；连接杆一端形成中空套管，中空套管的开口端设有第二固定结构，低通杆的一端对接间隔插置于中空套管中；固定块基于第一固定结构和第二固定结构将低通杆与连接杆进行轴向对接固定，固定块包括用于间隔低通杆和连接杆的间隔圈及位于间隔圈两侧的第一配合结构和第二配合结构，第一配合结构与第一固定结构卡置配合，第二配合结构与第二固定结构卡置配合。本实用新型专利技术在低通杆上设置凹槽式的第一固定结构，加工制造更为简便，固定块设有间隔圈使得低通杆和连接杆在结合处的连接更稳定、可靠。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通信
，特别涉及一种结构电容，还涉及一种具有该结构电容的滤波器。
技术介绍
滤波器是一种用来消除干扰杂讯信号的器件，用于对特定频率的频段或该频段以外的频率进行有效滤除的电路元件。滤波器通常包括结构电容、电感和电阻等元件。以低通结构电容为例，其一般由低通杆、固定块、电容套管及连接杆等元件构成。其中，电容套管位于低通杆和连接杆套接形成的缝隙之间，对结构电容起到绝缘作用，低通杆和连接杆设置有互相匹配的法兰，固定块通过固定低通杆和连接杆的法兰，将低通杆与连接杆进行轴向对接固定。在对现有技术的研究和实践过程中，本专利技术的专利技术人发现结构电容包括的元件中，电容套管造价较为昂贵，使得结构电容的制造成本较高，另外，要在低通杆上加工出法兰，需采用一体成型的方式，加工复杂且成本较高，更严重的是，固定块固定低通杆和连接杆的法兰时，低通杆和连接杆的结合处比较薄弱，容易出现扭曲。
技术实现思路
本专利技术提供一种结构电容及滤波器，以解决现有技术中低通杆和连接杆的结合处比较薄弱的问题。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是提供一种结构电容，包括：低通杆，由盘状的低阻抗段和杆状的高阻抗段交替连接而成，其一端设有第一固定结构；连接杆，一端形成中空套管，所述中空套管的开口端设有第二固定结构，所述低通杆的一端对接间隔插置于所述中空套管中；固定块，基于所述第一固定结构和所述第二固定结构将所述低通杆与所述连接杆进行轴向对接固定。根据本专利技术一优选实施例，所述第一固定结构为一或多圈凹槽，所述第二固定结构为一或多圈法兰。根据本专利技术一优选实施例，所述固定块包括间隔圈及位于所述间隔圈两侧的第一配合结构和第二配合结构，所述第一配合结构与所述第一固定结构卡置配合，所述第二配合结构与所述第二固定结构卡置配合。根据本专利技术一优选实施例，所述结构电容还包括绝缘子，所述低通杆的一端对接插置于所述中空套管中通过所述绝缘子间隔。根据本专利技术一优选实施例，所述低通杆上设有装配槽，所述绝缘子套接于所述装配槽。根据本专利技术一优选实施例，所述绝缘子为具有弹性的无断开圆环或设有缺口的断开圆环。根据本专利技术一优选实施例，所述绝缘子采用聚四氟乙烯制成。根据本专利技术一优选实施例，所述结构电容还包括热缩套管，所述低通杆的一端对接插置于所述中空套管中通过所述热缩套管间隔。根据本专利技术一优选实施例，所述热缩套管采用氟化乙烯丙烯共聚物制成。为解决上述技术问题，本专利技术采用的另一个技术方案是：提供一种滤波器，所述滤波器包括上述的结构电容。本专利技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本专利技术提供的结构电容在低通杆上设置凹槽式的第一固定结构，相对法兰式的固定结构而言，低通杆的加工制造更为简便，同时使用绝缘子或热缩套管替代电容套管，可进一步降低成本，固定块设有间隔圈使得低通杆和连接杆在结合处的连接更稳定、可靠。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：图1是本专利技术第一优选实施例的结构电容的简化示意图；图2是图1中所示的结构电容的低通杆的结构示意图；图3是图1中所示的结构电容的连接杆的结构示意图；图4是本专利技术第二优选实施例的结构电容的简化示意图；以及图5是图4中所示的结构电容的低通杆的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请一并参阅图1至图3，其中，图1是本专利技术第一优选实施例的结构电容的简化示意图，图2是图1中所示的结构电容的低通杆的结构示意图，图3是图1中所示的结构电容的连接杆的结构示意图。如图1至图3所示，本专利技术提供一种结构电容10，该结构电容10包括低通杆11、连接杆12、固定块13以及绝缘子14。低通杆11由盘状的低阻抗段和杆状的高阻抗段交替连接而成，其一端设有第一固定结构15，区别于现有技术的情况，第一固定结构15并非法兰，无需通过一体成型方式获得，本实施例中，第一固定结构15为一圈设置在低通杆11的凹槽，当然，本专利技术对凹槽的圈数并不作具体限定，在其他实施例中，第一固定结构15亦可为多圈设置在低通杆11的凹槽。低通杆11上还设有装配槽16，该装配槽16用于设置绝缘子14。连接杆12一端形成中空套管17，中空套管17的开口端设有第二固定结构18，低通杆11的一端对接间隔插置于中空套管17中。本实施例中，第二固定结构18为一圈法兰，当然，本专利技术对第二固定结构18的具体形式不作具体限定，在其他实施例中，第二固定结构18亦可为多圈法兰。固定块13基于第一固定结构15和第二固定结构18将低通杆11与连接杆12进行轴向对接固定。具体地，固定块13包括间隔圈19及位于间隔圈19两侧的第一配合结构和第二配合结构，第一配合结构与第一固定结构15卡置配合，第二配合结构与第二固定结构18卡置配合。举例而言，请继续参阅图1，本实施例中，间隔圈19的两侧分别为两个收容槽，两个收容槽的外侧分别为两个外卡圈，左侧的外卡圈卡置在低通杆11的凹槽上，左侧的收容槽收容凹槽旁边的卡台，右侧的外卡圈卡置在连接杆12的法兰的外侧，右侧的收容槽收容法兰。本实施例中，固定块13可为具有弹性的无断开圆环，或者固定块13可为设有缺口的断开圆环。绝缘子14套接于装配槽16，低通杆11的一端对接插置于中空套管17中通过绝缘子14间隔。类似地，绝缘子14可为具有弹性的无断开圆环，或者绝缘子14可为设有缺口的断开圆环。在本实施例中，绝缘子14采用聚四氟乙烯(PTFE，Polytetrafluoroethylene)制成，其耐电蚀性优异，表面漏电闪络形成不可逆性，对表面不沾湿性及耐电蚀起痕性均无变化，抗老化性能良好。当然，绝缘子14也可采用其它合适的材料制成，在此不作具体的限制。本实施例适于低通杆11插入连接杆12较长的情况。请一并参阅图4和图5，其中，图4是本专利技术第二优选实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种结构电容，其特征在于，包括：低通杆，由盘状的低阻抗段和杆状的高阻抗段交替连接而成，其一端设有第一固定结构；连接杆，一端形成中空套管，所述中空套管的开口端设有第二固定结构，所述低通杆的一端对接间隔插置于所述中空套管中；固定块，基于所述第一固定结构和所述第二固定结构将所述低通杆与所述连接杆进行轴向对接固定；其中，所述固定块包括用于间隔所述低通杆和所述连接杆的间隔圈及位于所述间隔圈两侧的第一配合结构和第二配合结构，所述第一配合结构与所述第一固定结构卡置配合，所述第二配合结构与所述第二固定结构卡置配合。

【技术特征摘要】
1.一种结构电容，其特征在于，包括：
低通杆，由盘状的低阻抗段和杆状的高阻抗段交替连接而成，其一端设有第一固定结构；
连接杆，一端形成中空套管，所述中空套管的开口端设有第二固定结构，所述低通杆的一端对接间隔插置于所述中空套管中；
固定块，基于所述第一固定结构和所述第二固定结构将所述低通杆与所述连接杆进行轴向对接固定；
其中，所述固定块包括用于间隔所述低通杆和所述连接杆的间隔圈及位于所述间隔圈两侧的第一配合结构和第二配合结构，所述第一配合结构与所述第一固定结构卡置配合，所述第二配合结构与所述第二固定结构卡置配合。
2.根据权利要求1所述的结构电容，其特征在于：所述第一固定结构为一或多圈凹槽，所述第二固定结构为一或多圈法兰。
3.根据权利要求1所述的结构电容，其特征在于：所述固定块为具有弹性的无断开圆环套或者设有缺口的断开圆环套。
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【专利技术属性】
技术研发人员：王义参，刘锡垣，
申请(专利权)人：深圳市大富科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44