CMOS低温低噪声运放电路制造技术

技术编号:11697350 阅读:177 留言:0更新日期:2015-07-08 19:33
本发明专利技术公开了一种CMOS低温低噪声运放电路,其偏置电路部分采用多级电流镜套构的方式,参考电流基准采用两个二极管连接的MOS管有源电阻生成,使放大器的参考电流具有较好的温度特性;放大部分采用差分输入的折叠共源共栅结构,一级放大就能使放大器的开环增益大于80dB,克服了传统的二级放大使用的米勒补偿电容在低温77K下容易引起振荡的缺点;差分输入对管采用宽长比大于100的大管子,有利于CMOS放大器噪声性能地提高,该差分运算放大器在常温和低温77K之间都能正常工作,可作为低温CMOS电路设计的标准放大器模块使用,既可以应用在光伏红外探测器电路,也可应用在长波红外光导探测器电路。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种CMOS低温低噪声运放电路,包括放大电路模块和偏置电路模块,其特征在于:所述放大电路模块采用差分输入的折叠共源共栅结构的放大电路,其中差分输入对管采用宽长比等于100的PMOS管;所述放大电路模块中的差分输入由两个宽长比为1500μm/1.5μm PMOS管构成,用72个41.7μm/1.5μm的管子组成输入对管PM7、PM8,采用叉指晶体管,保证上下和左右对称,且在输入对管的外面使用保护环;所述的放大电路模块中,PM7、PM8、NM4、NM5构成差分输入的共源共栅结构,PM4、PM5为差分输出的有源负载,NM6、NM7给共源共栅提供电流源,Bias1、Bias2、Bias3为偏置电压端口,其电压由偏置电路模块供应,In‑、In+为差分运算放大器的正负输入端;所述的偏置电路模块采用多级电流镜套构方式,其基准电流部分采用二极管连接方式的有源电阻组成;所述的偏置电路由八个管子构成,NM3与NM0构成第一级电流镜,PM0与PM1构成第二级电流镜,NM1与放大部分的NM6、NM7构成电流镜,PM0与放大部分的PM3构成电流镜;采用二级管连接的PM2、NM3形成基准电流源,由NM3镜像到NM0产生一路电流,再由PM0镜像到PM1产生另外一路电流。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:袁红辉陈永平陈世军宋伟清
申请(专利权)人:中国科学院上海技术物理研究所
类型:发明
国别省市:上海;31

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