提供一种包括具有长度方向和宽度方向的表面的磁记录介质。该表面上的算术平均糙度Ra、PSDMD,短/PSDTD,短比以及PSDMD,长/PSDTD,长比满足Ra≤3.0nm，PSDMD,短/PSDTD,短≤0.65，以及1.3≤PSDMD,长/PSDTD,长≤2.3，其中，PSDMD,短为该表面的长度方向上0.15μm至0.4μm范围内的PSD值的平均值，PSDTD,短为表面的宽度方向上0.15μm至0.4μm范围内的PSD值的平均值，PSDMD,长为该表面的长度方向上0.4μm至5.0μm范围内的PSD值的平均值，PSDTD,长为该表面的宽度方向上0.4μm至5.0μm范围内的PSD值的平均值。
【技术实现步骤摘要】
【专利说明】磁记录介质 本申请要求2014年1月7日提出的日本在先专利申请JP2014-001233的优先权， 其全部内容已通过引用合并入本文。
技术介绍
本专利技术涉及磁记录介质。具体而言，本专利技术涉及包括具有长度方向和宽度方向的 表面的磁记录介质。 近年来，由于IT(信息技术）社会、图书馆电子化、公共档案机关（Public Record Offices)等的发展以及商务文件的长期储存，因此对增加用于数据储存的磁带介质的记录 密度的需求不断增大。 作为一种高记录密度磁带（tape)，现在已经开发出一种磁记录介质，其中利用派 射法等方法将多个薄膜形成于非磁性基材上。例如，JP2005-196885A公开了一种磁记录介 质，其中在非磁性基材上相继形成至少非结晶层、晶种层、基础层（foundation layer)、磁 性层和保护层。
技术实现思路
在高记录密度磁带中，要求磁带表面平滑，以获得良好的记录和再现特性。但是， 当磁带表面平滑时，摩擦力增大，所以行进性（travelling properties)会劣化，因此存在 可靠性降低的趋势。更具体地，同时获得记录和再现特性以及可靠性是困难的。 因此，需要提供一种能够同时获得记录和再现特性以及可靠性的磁记录介质。 根据本专利技术的一个实施方式，提供一种包括具有长度方向和宽度方向的表面的磁 记录介质。该表面的算术平均糙度Ra、PSD動，短/PSD td，短比以及PSDffil，长/PSDtd，长比满足以下 关系式：Ra 彡 3. Onm，PSDffil，短/PSDtd，短彡 0· 65,1. 3 彡 PSDffil，长/PSDtd，长彡 2· 3,其中，PSDffil，短 是该表面的长度方向上的0. 15 ym以上至0. 4 ym以下的范围内的PSD值的平均值，PSDm 短是该表面的宽度方向上的0. 15 ym以上至0. 4 ym以下的范围内的PSD值的平均值，PSDm， 长是该表面的长度方向上的0.4 ym以上至5. Oym以下的范围内的PSD值的平均值，PSDm 长是该表面的宽度方向上的0. 4 μπι以上至5. Ομπι以下的范围内的PSD值的平均值。 如上所述，本专利技术能够同时获得记录和再现特性和可靠性。【附图说明】 图1为示意性地显示按照本专利技术第一实施方式的垂直磁记录介质的结构示例的 横截面图； 图2为显示用于制造按照本专利技术的第一实施方式的垂直磁记录介质的溅射装置 的结构示例的示意图； 图3为示意性地显示按照本专利技术的第二实施方式的垂直磁记录介质的结构示例 的横截面图； 图4为示意性地显示按照本专利技术的第三实施方式的垂直磁记录介质的结构示例 的横截面图； 图5为示意性地显示按照本专利技术的第四实施方式的垂直磁记录介质的结构示例 的横截面图； 图6为示意性地显示按照本专利技术的第五实施方式的垂直磁记录介质的结构示例 的横截面图； 图7为显示示例1至7与比较示例1至10的每种磁带在MD方向上的功率谱密度 的波长相关性的视图； 图8为显示示例1至7与比较示例1至10的每种磁带在TD方向上的功率谱密度 波长相关性的视图； 图9为显示示例1至7与比较示例1至10的每种磁带的比率Rpsd，短（=PSD md，短/ PSDtd,短）以及比率Rpsd,长（=PSD動,长/PSDtd,长）的视图；和 图10为显示示例1至7与比较示例1至10的每种磁带的算术平均糙度Ra的视 图。【具体实施方式】 下文将参考附图详细描述本专利技术的优选实施方式。应注意的是，在本说明书和附 图中，使用相同的参考数字来标注实质上具有相同功能和结构的结构单元，并省略了对这 些结构单元的重复解释。 本专利技术中，优选地，在基质（base substance)和基础层之间提供具有非晶态且含 有包含钛（Ti)和铬（Cr)的合金的晶种层。因此，能够抑制基质表面所吸收的氧（O 2)和水 (H2O)等物质的影响，并改善基质表面的平滑度。 本专利技术中，晶种层、基础层和记录层中的每一层可具有单层结构或多层结构。从进 一步改善磁记录介质的磁性和/或记录和再现特性的角度来看，优选采用多层结构。在考 虑制造效率时，在多层结构中还优选采用双层结构。 本专利技术中进一步优选的是，磁记录介质还具有在晶种层和基础层之间提供的软磁 层。软磁层的结构可以使用单层结构和多层结构，并且从改善记录和再现特性的角度来看， 优选采用多层结构。当软磁层具有多层结构时，优选提供第一软磁层、中间层和第二软磁 层，且中间层被设置在第一软磁层和第二软磁层之间。当磁记录介质还具有软磁层时，优选 地在软磁层和基础层之间还具有另一晶种层。 本专利技术中，优选利用卷对卷（Roll to Roll)法连续形成晶种层、基础层和记录层 中的至少两层，并且进一步优选的是，利用该方法连续形成该全部三层。当磁记录介质还具 有软磁层时，优选利用卷对卷法连续形成晶种层、软磁层、基础层和记录层中的至少两层， 并且进一步优选的是，利用该方法连续形成该全部四层。 下面将按照以下顺序描述本专利技术的实施方式。 1第一实施方式（包含具有单层结构的晶种层的垂直磁记录介质的示例） I. 1 概述 1.2垂直磁记录介质的结构 1. 3溅射装置的结构 1.4垂直磁记录介质的制造方法 1.5 效果 2第二实施方式（包含具有双层结构的晶种层的垂直磁记录介质的示例） 2. 1垂直磁记录介质的结构 2.2 效果 3第三实施方式（包含具有双层结构的基础层的垂直磁记录介质的示例） 3. 1垂直磁记录介质的结构 3.2 效果 3. 3 变形 4第四实施方式（进一步包含具有单层结构的软磁底层的垂直磁记录介质的示 例） 4. 1垂直磁记录介质的结构 4.2 效果 4. 3 变形 5第五实施方式（进一步包含具有多层结构的软磁底层的垂直磁记录介质的示 例） 5. 1垂直磁记录介质的结构 5.2 效果 5. 3 变形 1.第一实施方式 L 1 概述 为了同时获得记录和再现特性以及可靠性（耐用性），本专利技术的专利技术人进行了大 量的测试。首先，对磁记录介质表面上的算术平均糙度Ra进行测试的结果是，专利技术人发现， 当算术平均糙度Ra不满足Ra < 3. Onm时，不能获得良好的记录和再现特性。 然后，在假定Ra满足Ra彡3. Onm的基础上，专利技术人尝试同时获得记录和再现特 性以及可靠性，关键在于通过对磁记录介质的表面轮廓进行快速傅里叶变换（FFT)而获得 的功率谱密度（PSD)。由于对于磁记录介质而言，在行进方向上的特性是特别重要的，因此 没有必要在所有方向上获得相同的表面特性，表面特性在长度方向（MD方向）和宽度方向 (TD方向）中的每个上可以不同。然后，专利技术人对介质表面在MD方向上的PSD(下文中称为 "PSD m"）和介质表面在TD方向上的PSD (下文中称为"PSDTD1"）进行了测试。在本说明书 中，磁记录介质的长度方向有时被称为MD(机器方向）方向，而磁记录介质的宽度方向有时 被称为TD (宽度方向）方向。 首先，专利技术人对短波长区域中的PSDmdP PSD TD1之间的平衡进行了以下测试。具体 而言，专利技术人对介质表面的MD方向上的短波长区域中的PSD值的平均值PSDm，s和介质表面 的TD方向上的短波长区域中的PSD值的平均值P本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种磁记录介质，包括：具有长度方向和宽度方向的表面，其中，所述表面上的算术平均糙度Ra、PSDMD,短/PSDTD,短比以及PSDMD,长/PSDTD,长比满足以下关系式Ra≤3.0nm，PSDMD,短/PSDTD,短≤0.65，以及1.3≤PSDMD,长/PSDTD,长≤2.3，其中，PSDMD,短为所述表面的所述长度方向上0.15μm至0.4μm的范围内的PSD值的平均值，PSDTD,短为所述表面的所述宽度方向上0.15μm至0.4μm的范围内的PSD值的平均值，PSDMD,长为所述表面的所述长度方向上0.4μm至5.0μm的范围内的PSD值的平均值，PSDTD,长为所述表面的所述宽度方向上0.4μm至5.0μm的范围内的PSD值的平均值。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：关口昇，尾崎知恵，立花淳一，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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