本实用新型专利技术是关于一种433MHz无线发射器，其特征包括：12V直流电源、高通滤波电路、DF数据接口及高放电路、高频振荡及发射电路，声表面谐振器SAW选用的型号为NDR433-F11，NPN型晶体管VT1选用的型号为RF01。由于无线电发射器件都工作于射频范围，因此对器件的要求很高，一般业余条件下很难完成制作与调试工作，而目前无线电技术的应用越来越广泛，为了克服这些实际情况，本实用新型专利技术的所述的433MHz无线发射器电路采用声表面谐振器SAW稳频，声表面谐振器的频率稳定度仅次于晶体，其频率稳定度较高，适合无线DF数据无线传输及遥控系统。
【技术实现步骤摘要】
本技术属于无线数据通讯
，是关于一种433MHz无线发射器。
技术介绍
无线数据传输广泛地运用在车辆监控、遥控、遥测、无线网络、无线抄表、门禁系统、工业数据采集、无线标签、身份识别、非接触RF智能卡、无线数据终端、安全防火系统、无线遥控系统、水文气象监控、机器人控制、无线232数据通信、无线485/422数据通信、数字图像传输等领域中。由于无线电发射器件都工作于射频范围，因此对器件的要求很高，一般业余条件下很难完成制作与调试工作，而目前无线电技术的应用越来越广泛，要想拥有价格昂贵的高频仪器设备调试多不现实。针对这些实际情况，许多专业生产厂家专门生产了用于无线数据传输的无线收、发模块，将高频部分的安装与调试工作全部放在专业场所内完成，用户只需为其提供工作电源和所要发送的数据编码，就可在接收端的数据输出端得到发送端发射的原始数据。本技术的所述的433MHz无线发射器电路采用声表面谐振器SAW稳频，声表面谐振器的频率稳定度仅次于晶体，其频率稳定度较高，适合无线DF数据无线传输及遥控系统。以下详细说明本技术所述的433MHz无线发射器在实施过程中所涉及的必要的、关键性
技术实现思路
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技术实现思路
专利技术目的及有益效果:由于无线电发射器件都工作于射频范围，因此对器件的要求很高，一般业余条件下很难完成制作与调试工作，而目前无线电技术的应用越来越广泛，为了克服这些实际情况，本技术的所述的433MHz无线发射器电路采用声表面谐振器SAff稳频，声表面谐振器的频率稳定度仅次于晶体，其频率稳定度较高，适合无线DF数据无线传输及遥控系统。电路工作原理:本技术考虑到电路微功耗和传输DF数据的要求，特别采用了ASK方式调制，当数据信号停止时发射器工作电流基本降至为零，DF数据信号与电路输入端使用电阻或者直接连接，而不能使用电容耦合，否则DF数据将不能可靠发射。DF数据电平可接近DF数据的实际工作电压，以便获得较好的调制效果。电路中有两只晶体管，NPN型晶体管VTl作为高频振荡管，NPN型晶体管VT2作为高放管。本技术所述的433MHz无线发射器具有较大发射功率。为了提高433MHz无线发射器的稳定性，选定电阻Rl阻值为22K Ω。433MHz无线发射器与普通433MHz超再生接收模块配合，可靠通讯距离达1000米以上。技术方案:433MHz无线发射器，它包括12V直流电源、高通滤波电路、DF数据接口及高放电路、高频振荡及发射电路，其特征在于:DF数据接口及高放电路:它由DF数据输入端子IN、电阻R2和NPN型晶体管VT2组成，DF数据输入端子IN通过电阻R2接NPN型晶体管VT2的基极，NPN型晶体管VT2的集电极接NPN型晶体管VTl的发射极，NPN型晶体管VT2的发射极与电路地GND相连；高频振荡及发射电路:它由NPN型晶体管VT1、声表面谐振器SAW、电阻R1、高频振荡线圈L2、电容Cl和电容C2及发射天线ANT组成，NPN型晶体管VTl选用的型号为RF01，声表面谐振器SAW选用的型号为NDR433-F11，NPN型晶体管VTl的基极接声表面谐振器SAW第3脚和电阻Rl的一端，声表面谐振器SAW的第I脚接电阻Rl的另一端和电容Cl的一端，NPN型晶体管VTl的发射极接电容Cl的另一端，声表面谐振器SAW第2脚接电路地GND，声表面谐振器SAW第I脚接高频振荡线圈L2的一端，高频振荡线圈L2的另一端接NPN型晶体管VTl的集电极，NPN型晶体管VTl的集电极通过电容C2接发射天线ANT ；高通滤波电路中高通滤波线圈LI的一端接电路正极VCC，声表面谐振器SAW第I脚接高通滤波线圈LI的另一端，12V直流电源正极接电路正极VCC，12V直流电源负极与电路地GND相连。【附图说明】附图1是本技术提供的433MHz无线发射器一个实施例的电路工作原理图。【具体实施方式】按照附图1所示的433MHz无线发射器电路工作原理图和【附图说明】，并按照
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所述的各部分电路中元器件之间连接关系，以及实施方式中所述的元器件技术参数要求和电路制作要点进行实施即可实现本技术，以下结合实施例对本技术的相关技术要求作进一步的描述。元器件的技术参数及其选择要求VTl为NPN型晶体管，选用的型号为RF01、要求β彡60 ;VT2为NPN型晶体管，要求晶体管的特征频率f T大于300MHz，选用的型号为2SC8050中功率晶体管，要求β彡110 ;SAff为声表面谐振器，选用的型号为NDR433-F11、标称频率为433.92ΜΗ ；电阻Rl的阻值为22Κ Ω，电阻R2的阻值为27Κ Ω ；C1、C2为瓷片电容，其容量均为5PF;DC为12V直流电源，可用8节5#碱性电池串联组成。电路制作要点及电路调试LI为高通滤波线圈、L2为高频振荡线圈，两者均使用0.8mm漆包线，在直径0 3mm的钻头上平绕4圈脱胎而成；ANT为发射天线，因为声表面谐振器的频率高于其他元件的频率，故可利用印刷版上的铜箔制作发射天线，而不再需要单独设置发射天线；要求各元器件引线应尽量留短一些，先检查印刷电路板和元件焊接情况，应无短路和虚假焊等现象；433MHz无线发射器与接收机之间拉开距离，仔细调整高频振荡线圈L2线圈的间距，直到距离达到100m时，仍可以收到信号为止；当电路工作电压为12V时，发射器具有较好的发射效果；当电压大于12V功耗明显增大，有效发射功率不再明显提高。要想获得更好的发射效果和传输距离，就必须接上发射天线，发射天线ANT选用长20cm的拉杆天线，使用时最好将发射天线ANT竖立起来；注意:在433MHz无线发射器工作时，切不可用手指去碰触发射天线ANT，否则NPN型晶体管VTl高频振荡管容易因过热而烧毁。本技术的电路元器件布局、电路结构设计、它的外观的形状及尺寸大小等均不是本技术的关键技术，也不是本技术要求保护的
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，因不影响本技术具体实施过程，故不在说明书中一一说明。【主权项】1.一种433MHz无线发射器，它包括12V直流电源、高通滤波电路、DF数据接口及高放电路、高频振荡及发射电路，其特征在于: 所述的DF数据接口及高放电路由DF数据输入端子IN、电阻R2和NPN型晶体管VT2组成，DF数据输入端子IN通过电阻R2接NPN型晶体管VT2的基极，NPN型晶体管VT2的集电极接NPN型晶体管VTl的发射极，NPN型晶体管VT2的发射极与电路地GND相连； 所述的高频振荡及发射电路由NPN型晶体管VTl、声表面谐振器SAW、电阻R1、高频振荡线圈L2、电容Cl和电容C2及发射天线ANT组成，NPN型晶体管VTl选用的型号为RF01，声表面谐振器SAW选用的型号为NDR433-F11，NPN型晶体管VTl的基极接声表面谐振器SAW第3脚和电阻Rl的一端，声表面谐振器SAW的第I脚接电阻Rl的另一端和电容Cl的一端，NPN型晶体管VTl的发射极接电容Cl的另一端，声表面谐振器SAW第2脚接电路地GND，声表面谐振器SAW第I脚接高频振荡线圈L2的一端，高频振荡线圈L2的另一端接NPN型晶体管VTl的集电极，NPN型晶体管VTl的集电极通过电容C2接发射天线ANT ； 所本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种433MHz无线发射器，它包括12V直流电源、高通滤波电路、DF数据接口及高放电路、高频振荡及发射电路，其特征在于：所述的DF数据接口及高放电路由DF数据输入端子IN、电阻R2和NPN型晶体管VT2组成，DF数据输入端子IN通过电阻R2接NPN型晶体管VT2的基极，NPN型晶体管VT2的集电极接NPN型晶体管VT1的发射极，NPN型晶体管VT2的发射极与电路地GND相连；所述的高频振荡及发射电路由NPN型晶体管VT1、声表面谐振器SAW、电阻R1、高频振荡线圈L2、电容C1和电容C2及发射天线ANT组成，NPN型晶体管VT1选用的型号为RF01，声表面谐振器SAW选用的型号为NDR433‑F11，NPN型晶体管VT1的基极接声表面谐振器SAW第3脚和电阻R1的一端，声表面谐振器SAW的第1脚接电阻R1的另一端和电容C1的一端，NPN型晶体管VT1的发射极接电容C1的另一端，声表面谐振器SAW第2脚接电路地GND，声表面谐振器SAW第1脚接高频振荡线圈L2的一端，高频振荡线圈L2的另一端接NPN型晶体管VT1的集电极，NPN型晶体管VT1的集电极通过电容C2接发射天线ANT；所述的高通滤波电路中高通滤波线圈L1的一端接电路正极VCC，声表面谐振器SAW第1脚接高通滤波线圈L1的另一端，12V直流电源正极接电路正极VCC，12V直流电源负极与电路地GND相连。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周玉林，
申请(专利权)人：周玉林，
类型：新型
国别省市：安徽;34
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