大容量电子开关电路制造技术

本实用新型专利技术提供的大容量电子开关电路，具有这样的特征，包括：第一电容C1、第一电阻R1、第一三极管Q1、第二电阻R2、第三电阻R3、第二电容C2、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四电阻R4、推挽放大后驱动MOS管Q4、第一二极管D1、第五电阻R5、第三电容C3、第二二极管D2、第六电阻R6、第四电容C4、稳压二极管W、磁珠A、电容器C、第五电容C5、变压器B、第八电阻R8、第九电阻R9、第六电容C6、可控硅组T、二极管组D、第七电容C7以及第十电阻R10。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种开关电路，特别涉及一种大容量电子开关电路。
技术介绍
现有的厂商在生产EMC设备中，此处以雷击浪涌为例，由于需要较高的耐压以及较大的峰值电流，往往选择进口的水银继电器(这种占大多数)或者大容量的IGBT作为仪器的高压开关，因此也会存在很多的缺陷。由于国内高压开关厂商生产的高压开关在性能上不能达到要求，很多厂商会选择购买进口的水银开关，这种开关的单只的价格往往都在一千元到几千元之间，如果电压更高，费用还会增加，从而导致仪器生产的成本大大升高，也会间接影响了产品的市场竞争力。由于水银开关属于机械开关，因此在性能上面也会有很多缺陷。首先，机械开关由于其本身的结构从而导致其不能快速的实现闭合以及断开，因此要想实现较高的脉冲触发速度难以实现，即难以实现较高的重复频率；其次作为机械开关，在闭合瞬间难免会有机械震荡，从而使输出波形会出现瑕疵。由于水银开关是通过给线圈一定的电流候实现体内的水银振动来实现闭合，因此这种结构导致了开关必须在正立的情况下使用，侧放或者倒放则不能实现其通断功能，加上体积较大，安装起来较为不方便；同时，在驱动方面，功耗较其他电子开关都会比较大。
技术实现思路
本技术是为了解决上述问题而进行的，目的在于提供一种耐压高、重复频率高、安全、可靠、稳定的大容量电子开关电路。本技术提供的大容量电子开关电路，具有这样的特征，包括:第一电容Cl、第一电阻R1、第一三极管Ql、第二电阻R2、第三电阻R3、第二电容C2、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四电阻R4、推挽放大后驱动MOS管Q4、第一二极管D1、第五电阻R5、第三电容C3、第二二极管D2、第六电阻R6、第四电容C4、稳压二极管W、磁珠A、电容器C、第五电容C5、变压器B、第八电阻R8、第九电阻R9、第六电容C6、可控硅组T、二极管组D、第七电容C7以及第十电阻R10，第一电容Cl的一端接地，第一电容Cl的另一端与第一电阻Rl的一端相连、第一电阻Rl的另一端与第一三极管Ql的基级相连，第一三极管Ql的发射极接地，第一三极管Ql的集电极、第二电阻R2的一端、第三电阻R3的一端连接于同一点，第二电阻R2的另一端连接24V进线，第三电阻R3的另一端、第二三极管Q2的基级、第三三极管Q3的基级、第二电容C2的一端连接于同一点，第二电容C2的另一端接地，第二三极管Q2的集电极连接24V进线，第三三极管Q3的集电极接地，第二三极管Q2的发射极、第三三极管Q3的发射极、第四电阻R4的一端连接于同一点，第四电阻R4的另一端与推挽放大后驱动MOS管Q4的栅极相连，推挽放大后驱动MOS管Q4的漏极、第一二极管Dl的正极、第二二极管D2的正极、第五电阻的一端变压器B的第一端链接于同一点，推挽放大后驱动MOS管Q4的源极、推挽放大后驱动MOS管Q4的衬底、第三电容C3的一端链接于同一点并接地，第一二极管Dl的负极、第五电阻R5的另一端、第三电容C3的另一端连接于同一点，第二二极管D2的负极、第六电阻R6的一端、第电容C4的一端、稳压二极管W的负极连接于同一点，变压器B的第二端、第六电阻R6的另一端、第四电容C4的另一端、稳压二极管W的正极、磁珠A的一端连接于同一点，磁珠A的另一端与第七电阻R7的一端相连，第七电阻R7的另一端、电容器C的正极、第五电容C5的一端连接于同一点并连接24V进线，电容器C的负极、第五电容C5的另一端连接于同一点并接地，变压器B的第三端与可控硅组T的第一端相连，变压器B的第四端、第八电阻R8的一端、第九电阻R9的一端、可控硅组T的第二端、二极管组D的正极、第七电容C7的一端、第十电阻RlO的一端连接于同一点，第九电阻R9的另一端与第六电容C6的一端相连，第八电阻R8的另一端、第六电容C6的另一端、可控娃组T的第三端、二极管组D的负极、第七电容C7的另一端、第十电阻RlO的另一端连接于同一点，其中，变压器B的第一端和第二端为同侧，第三端和第四端为同侧。本技术提供的大容量电子开关电路，还具有这样的特征:其中，可控硅组T，还具有:可控电路，包含:隔离变压器TR、第一可控硅Tl以及第二可控硅T2，隔离变压器TR的第一端与第一可控硅Tl相连，隔离变压器TR的第二端、隔离变压器TR的第四端、第一可控硅Tl的第二端、第二可控硅T2的第二端连接于同一点，隔离变压器TR的第三端与第二可控硅T2相连，第一可控硅Tl的第三端、第二可控硅T2的第三端连接。本技术提供的大容量电子开关电路，还具有这样的特征:其中，可控硅组T具有13组串联，8组并联的可控电路。本技术提供的大容量电子开关电路，还具有这样的特征:其中，二极管组D由10只同型号的大功率快恢复二极管串联。本技术提供的大容量电子开关电路，还具有这样的特征:其中，隔离变压器TR绕有两组八圈的线圈。技术作用和效果根据本技术所涉及大容量电子开关电路，此采用了可控硅串并的方式以及高压隔离驱动的技术来实现的，首先在成本上大打折扣，其次作为电子开关，其开启与闭合的速度是一般机械开关难以比拟的，也解决了机械开关由于机械振动导致输出波形瑕疵问题，同时优化高压开关驱动部分以及高压部分的稳态与动态保护，使开关的可靠性与稳定性大大提尚。【附图说明】图1是本技术在实施例中的大容量电子开关电路的电路图；图2是本技术在实施例中的可控硅组的电路图；以及图3是本技术在实施例中的隔离变压器的结构示意图。【具体实施方式】以下参照附图及实施例对本技术所涉及的大容量电子开关电路作详细的描述。实施例如图1、图2和图3所示，大容量电子开关电路具有:第一电容Cl、第一电阻R1、第一三极管Q1、第二电阻R2、第三电阻R3、第二电容C2、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四电阻R4、推挽放大后驱动MOS管Q4、第一二极管D1、第五电阻R5、第三电容C3、第二二极管D2、第六电阻R6、第四电容C4、稳压二极管W、磁珠A、电容器C、第五电容C5、变压器B、第八电阻R8、第九电阻R9、第六电容C6、可控硅组T、二极管组D、第七电容C7以及第十电阻R10。第一电容Cl的一端接地。第一电容Cl的另一端与第一电阻Rl的一端相连、第一电阻Rl的另一端与第一三极管Ql的基级相连。第一三极管Ql的发射极接地。第一三极管Ql的集电极、第二电阻R2的一端、第三电阻R3的一端连接于同一点。第二电阻R2的另一端连接24V进线。第三电阻R3的另一端、第二三极管Q2的基级、第三三极管Q3的基级、第二电容C2的一端连接于同一点。第二电容C2的另一端接地。第二三极管Q2的集电极连接24V进线。第三三极管Q3的集电极接地。第二三极管Q2的发射极、第三三极管Q3的发射极、第四电阻R4的一端连接于同一点。第四电阻R4的另一端与推挽放大后驱动MOS管Q4的栅极相连。推挽放大后驱动MOS管Q4的漏极、第一二极管Dl的正极、第二二极管D2的正极、第五电阻的一端、变压器B的第一端链接于同一点。推挽放大后驱动MOS管Q4的源极、推挽放大后驱动MOS管Q4的衬底、第三电容C3的一端链接于同一点并接地。第一二极管Dl的负极、第五电阻R5的另一端、第三电容C3的另一端连接于同一点。第二二极管D2的负极、第六电阻R6的一端、第电容C4本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大容量电子开关电路，其特征在于，包括：第一电容(C1)、第一电阻(R1)、第一三极管(Q1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第二电容(C2)、第二三极管(Q2)、第三三极管(Q3)、第四电阻(R4)、推挽放大后驱动MOS管(Q4)、第一二极管(D1)、第五电阻(R5)、第三电容(C3)、第二二极管(D2)、第六电阻(R6)、第四电容(C4)、稳压二极管(W)、磁珠(A)、电容器(C)、第五电容(C5)、变压器(B)、第八电阻(R8)、第九电阻(R9)、第六电容(C6)、可控硅组(T)、二极管组(D)、第七电容(C7)以及第十电阻(R10)，所述第一电容(C1)的一端接地，所述第一电容(C1)的另一端与所述第一电阻(R1)的一端相连、所述第一电阻(R1)的另一端与所述第一三极管(Q1)的基级相连，所述第一三极管(Q1)的发射极接地，所述第一三极管(Q1)的集电极、所述第二电阻(R2)的一端、第三电阻(R3)的一端连接于同一点，所述第二电阻(R2)的另一端连接24V进线，所述第三电阻(R3)的另一端、所述第二三极管(Q2)的基级、所述第三三极管(Q3)的基级、所述第二电容(C2)的一端连接于同一点，所述第二电容(C2)的另一端接地，所述第二三极管(Q2)的集电极连接24V进线，所述第三三极管(Q3)的集电极接地，所述第二三极管(Q2)的发射极、所述第三三极管(Q3)的发射极、所述第四电阻(R4)的一端连接于同一点，所述第四电阻(R4)的另一端与所述推挽放大后驱动MOS管(Q4)的栅极相连，所述推挽放大后驱动MOS管(Q4)的漏极、所述第一二极管(D1)的正极、所述第二二极管(D2)的正极、所述第五电阻的一端所述变压器(B)的第一端链接于同一点，所述推挽放大后驱动MOS管(Q4)的源极、 所述推挽放大后驱动MOS管(Q4)的衬底、所述第三电容(C3)的一端链接于同一点并接地，所述第一二极管(D1)的负极、所述第五电阻(R5)的另一端、所述第三电容(C3)的另一端连接于同一点，所述第二二极管(D2)的负极、所述第六电阻(R6)的一端、所述第四电容(C4)的一端、所述稳压二极管(W)的负极连接于同一点，所述变压器(B)的第二端、所述第六电阻(R6)的另一端、所述第四电容(C4)的另一端、所述稳压二极管(W)的正极、所述磁珠(A)的一端连接于同一点，所述磁珠(A)的另一端与所述第七电阻(R7)的一端相连，所述第七电阻(R7)的另一端、所述电容器(C)的正极、所述第五电容(C5)的一端连接于同一点并连接24V进线，所述电容器(C)的负极、所述第五电容(C5)的另一端连接于同一点并接地，所述变压器(B)的第三端与所述可控硅组(T)的第一端相连，所述变压器(B)的第四端、所述第八电阻(R8)的一端、所述第九电阻(R9)的一端、所述可控硅组(T)的第二端、所述二极管组(D)的正极、所述第七电容(C7)的一端、所述第十电阻(R10)的一端连接于同一点，所述第九电阻(R9)的另一端与所述第六电容(C6)的一端相连，所述第八电阻(R8)的另一端、所述第六电容(C6)的另一端、所述可控硅组(T)的第三端、所述二极管组(D)的负极、所述第七电容(C7)的另一端、所述第十电阻(R10)的另一端连接于同一点，其中，所述变压器(B)的第一端和第二端为同侧，第三端和第四端为同侧。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：洪浩，石孝锋，胡涛，钱枫，张君，
申请(专利权)人：上海讴特电磁技术有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31