硬罩幕组成物及使用硬罩幕组成物的图案形成方法技术

揭示硬罩幕组成物以及使用硬罩幕组成物的图案形成方法。硬罩幕组成物包括由下列化学式1表示的高分子、由下列化学式2表示的单体以及溶剂，其中所包含的单体的含量等同于或高于高分子的含量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
揭示一种硬罩幕组成物W及一种图案形成方法。
技术介绍
近年来，半导体产业发展了尺寸在数纳米至数十纳米的图案的超微细技术 (ultra-finetechnique)。此种超微细技术实质上须要有效的微影技术（lithographic technique)。 典型的微影技术包括在半导体基板上提供材料层；在其上涂布光阻层；对光阻层 进行曝光与显影W提供光阻图案；W及利用光阻图案作为罩幕（mask)蚀刻材料层。 现今，当所形成的图案的尺寸逐渐缩小时，难W仅通过上述典型的微影技术提供 具有优良轮廓（profile)的微细图案（finepattern)。因此，可在材料层与光阻层之间形 成光阻底层（称为硬罩幕层化ar血asklayer))W提供微细图案。在经由选择蚀刻处理将 光阻的微细图案转移至材料层的过程中，硬罩幕层扮演中间层（intermediatelayer)的角 色。 因此，在多重蚀刻处理期间，硬罩幕层必须具有耐热性、抗蚀刻性或相似的耐受 性等特性。此外，根据硬罩幕层的应用范围的扩大，可通过旋转涂布法（spin-oncoating method)在预定图案上形成硬罩幕层。 在此情况下，在图案之间的间隙中填入硬罩幕组成物的填沟（gap-fill)特性W 及平坦化（planarization)特性是必需的。
技术实现思路
技术问题[000引一实施例提供一种硬罩幕组成物，其确保耐热性W及耐蚀刻性，且满足填沟特性。 另一实施例提供一种利用所述硬罩幕组成物的图案形成方法。 技术方案 根据一实施例，提供一种硬罩幕组成物，包括由下列化学式1表示的高分子、由下 列化学式2表示的单体W及溶剂，其中单体的含量等同于或高于高分子的含量。[001引[化学式^[001 引【主权项】1. 一种硬罩幕组成物，包括： 高分子，由下列化学式1表不； 单体，由下列化学式2表示；以及 溶剂； 其中所包含的所述单体的含量等同于或高于所述高分子的含量：其中，在所述化学式1或化学式2中， 札为单键或经取代或未经取代的Cl至ClO亚烷基， 馬至1?6各自独立地为氢、羟基、经取代或未经取代的Cl至C30烷基、经取代或未经取 代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C3至C30 环烯基、经取代或未经取代的C7至C20芳烷基、经取代或未经取代的Cl至C20杂烷基、经 取代或未经取代的C2至C30杂环烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂芳基、经取代或未 经取代的Cl至C30烷氧基、经取代或未经取代的C2至C30烯基、经取代或未经取代的C2 至C30炔基、经取代或未经取代的Cl至C20醛基、经取代或未经取代的Cl至C4烷基醚、经 取代或未经取代的C7至C20芳基亚烷基醚、经取代或未经取代的Cl至C30齒烷基或其组 合， ARl以及AR2各自独立地为经取代或未经取代的C6至C20芳基，x+y= 1、0彡X彡1 且0彡y彡1，以及n为1至200范围内的整数。2. 根据权利要求1所述的硬罩幕组成物，其中所包含的所述高分子和所述单体具有约 1 :9至约5 :5的重量比。3. 根据权利要求1所述的硬罩幕组成物，其中所述ARl以及AR2各自独立地包括选自 下列族群1中所列的官能基的至少一种：其中，R7以及R8独立地为氢、羟基、经取代或未经取代的Cl至C30烷基、经取代或未经 取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C3至 C30环烯基、经取代或未经取代的C7至C20芳烷基、经取代或未经取代的Cl至C20杂烷基、 经取代或未经取代的C2至C30杂环烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂芳基、经取代或 未经取代的Cl至C30烷氧基、经取代或未经取代的C2至C30烯基、经取代或未经取代的C2 至C30炔基、经取代或未经取代的Cl至C20醛基、经取代或未经取代的Cl至C4烷基醚、经 取代或未经取代的C7至C20芳基亚烷基醚、经取代或未经取代的Cl至C30齒烷基或其组 合。4. 根据权利要求1所述的硬罩幕组成物，其中所述高分子由下列化学式Ia表示：其中，在所述化学式Ia中， x+y=l、0<x< 1 且 1，以及 n为1至200范围内的整数。5. 根据权利要求1所述的硬罩幕组成物，其中所述单体由下列化学式2a至化学式2d 的其中一种表不：6. 根据权利要求1所述的硬罩幕组成物，其中所述高分子具有1，OOO至100,OOO公克 /摩尔的重量平均分子量。7. 根据权利要求1所述的硬罩幕组成物，其中基于100重量份的所述溶剂，所述高分子 以及所述单体的总含量为1至50重量份。8. 根据权利要求1所述的硬罩幕组成物，其中所述硬罩幕组成物还包括表面活性剂、 酸催化剂以及交联剂中的至少一种。9. 根据权利要求8所述的硬罩幕组成物，其中基于100重量份的所述硬罩幕组成物，所 包含的所述表面活性剂、所述酸催化剂或所述交联剂的含量分为〇. 001至3重量份。10. -种图案形成方法，包括： 在基板上提供材料层； 在所述材料层上涂布如权利要求1至9中任一项所述的硬罩幕组成物； 热处理所述硬罩幕组成物以形成硬罩幕层； 在所述硬罩幕层上形成含硅薄膜； 在所述含硅薄膜上形成光阻层； 对所述光阻层进行曝光与显影以形成光阻图案； 利用所述光阻图案，选择性移除所述含硅薄膜以及所述硬罩幕层，以暴露部分所述材 料层；以及 蚀刻所述材料层的经暴露部分。11. 根据权利要求10所述的图案形成方法，其中在形成所述含硅薄膜之后，还形成底 部抗反射层在所述含硅薄膜上。12. 根据权利要求10所述的图案形成方法，其中所述硬罩幕组成物是利用旋转涂布法 来涂布。13. 根据权利要求10所述的图案形成方法，其中所述硬罩幕层是在150°C至500°C下进 行热处理。【专利摘要】揭示硬罩幕组成物以及使用硬罩幕组成物的图案形成方法。硬罩幕组成物包括由下列化学式1表示的高分子、由下列化学式2表示的单体以及溶剂，其中所包含的单体的含量等同于或高于高分子的含量。【IPC分类】G03F7-004, G03F7-26, G03F1-00【公开号】CN104718497【申请号】CN201380053489【专利技术人】李哲虎, 朴惟廷, 尹龙云, 李圣宰, 赵娟振, 金永珉, 李忠宪 【申请人】第一毛织株式会社【公开日】2015年6月17日【申请日】2013年9月2日【公告号】US20150205198, WO2014065500A1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硬罩幕组成物，包括：高分子，由下列化学式1表示；单体，由下列化学式2表示；以及溶剂；其中所包含的所述单体的含量等同于或高于所述高分子的含量：其中，在所述化学式1或化学式2中，R1为单键或经取代或未经取代的C1至C10亚烷基，R2至R6各自独立地为氢、羟基、经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C3至C30环烯基、经取代或未经取代的C7至C20芳烷基、经取代或未经取代的C1至C20杂烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂环烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂芳基、经取代或未经取代的C1至C30烷氧基、经取代或未经取代的C2至C30烯基、经取代或未经取代的C2至C30炔基、经取代或未经取代的C1至C20醛基、经取代或未经取代的C1至C4烷基醚、经取代或未经取代的C7至C20芳基亚烷基醚、经取代或未经取代的C1至C30卤烷基或其组合，AR1以及AR2各自独立地为经取代或未经取代的C6至C20芳基，x+y＝1、0≤x≤1且0≤y≤1，以及n为1至200范围内的整数。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：李哲虎，朴惟廷，尹龙云，李圣宰，赵娟振，金永珉，李忠宪，
申请(专利权)人：第一毛织株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR