多路分配器、源极驱动电路和显示器制造技术

提供一种多路分配器，包括数据信号输入端，和数据的多条分配支路，以及时分的输出数据信号。分配支路包括：用于通过开关状态分时地改变数据信号传输路径的传输模块；用于响应控制信号给状态控制节点充电或者放电以切换开关状态的输入模块；用于响应自举信号抬举控制节点电平的自举模块。由于自举模块的抬举作用，状态控制节点的状态能够快速地得到调整，并且能够快速抬至高电平，使得传输模块的开关状态得以快速切换，降低数据传输的延迟时间，并减少信号传输的损失。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及本申请涉及电子电路领域，尤其涉及到一种多路分配器、源极驱动电路和显示器。
技术介绍
薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)平板显示是当今的主流显示技术。得益于TFT技术的迅速发展，TFT平板显示不断地朝着大尺寸、高分辨率的方向发展。尤其是近年来，以铟镓锌氧化物(ndium gallium zinc oxide，IGZO)TFT为代表的氧化物TFT技术可能推动TFT平板显示技术更新的发展。这主要是因为，相比于Si基TFT，氧化物TFT具有更高的迁移率、更好的可靠性、更小的泄漏电流。IGZO TFT等氧化物TFT技术适应了TFT平板显示的发展方向，其可能成为未来主流的TFT技术。近十年以来，采用IGZO TFT实现的窄边框TFT面板逐渐成为了研究的热点。窄边框显示技术的核心是TFT集成的栅极驱动电路和源极驱动电路的设计。尤其对于智能手机和平板等中小尺寸TFT显示屏而言，窄边框显示技术的应用更加广泛。采用TFT集成了栅极和源极驱动电路之后，不仅可以显著地缩小显示器的边框尺寸，使得整个TFT显示面板更加紧凑、美观，而且还可以减少TFT平板上行列驱动芯片的数量，以及相应的连接线的数量。此外，显示模组的后道封装工艺也能够被减少。于是，显示器的制造成本可以较大幅度地降低。由于后道模组工艺发生的不良率降低，TFT屏幕的可靠性也可能得到提高。此外，由于引出线数量减少，也有利于突破引线间节距对高分辨率显示器实现的限制。下面从整个TFT面板的构成和工作原理说明TFT集成的源极驱动电路的必要性。图7示意了TFT面板的框图，其包括TFT像素阵列71、源极驱动电路72、源极驱动数据线73和栅极驱动电路74。其中TFT像素阵列71由二维的TFT像素单元电路构成。对于分辨率为M*N的TFT面板而言，其具有M根栅极驱动线，N根源极驱动线。对TFT面板的源极驱动部分而言，随着面板分辨率的提高，N值增加，则源极驱动线的数量显著地增加。一方面，模组的良率可能由于连接线数量的增加而降低。受限于最小金属线宽等原因，在源极驱动线方向的边框附近，必须预留更多的空间用于源极驱动线的布置。于是TFT面板的无效显示面积可能较显著地增加。而尤其是对于高分辨率的氧化物TFT面板而言，由于源极驱动线数量的急剧增加，TFT边框附近无效显示区域增加的程度更明显。另一方面，由于源极驱动线数量的增加，对应地源极驱动器中的输出驱动电路的数量也是成正比地增加。于是源极驱动电路的规模将显著地增加，这不仅会增加源极驱动电路的功耗，而且还会增加源极驱动电路的成本。如果能够采用TFT将源极驱动电路的全部或者部分的功能集成到TFT面板上，以上所述的高分辨率氧化物TFT面板的这些问题可能得到解决。如果将多路分配器应用到显示器领域，不仅能够减少源极驱动线数量，而且能够节省源极驱动电路的驱动模块。多路分配器用于将一路输入信号分成多路输出，要求各输出信号尽可能保持输入信号的幅度大小，即接近满幅度。但是，现有技术中，多路分配器多存在输出信号幅度低、延迟时间过长等问题。
技术实现思路
本申请提供一种多路分配器、源极驱动电路和显示器，以减少多路分配器传输数据的损失，并降低数据传输的延迟时间。根据第一方面，一种实施例中提供一种多路分配器，包括：数据信号输入端，用于输入数据信号；和耦合在数据信号输入端的多条分配支路，各分配支路用于顺次输出数据信号；分配支路包括：传输模块、输入模块和自举模块，其中，传输模块用于通过开关状态切换，将数据信号传送到该支路的信号输出端，从而输出数据信号；输入模块与传输模块耦合形成状态控制节点；输入模块用于响应控制信号给状态控制节点充电或者放电以切换开关状态；自举模块，耦合至状态控制节点；自举模块用于响应自举信号的有效电平抬举控制节点的电平；自举信号的有效电平在输入模块给状态控制节点充电完成时到来。根据第二方面，一种实施例中提供一种源极驱动电路，包括：数据驱动模块和上述多路分配器，其中，数据驱动模块用于产生数据信号；多路分配器耦合至数据驱动模块，用于传输数据驱动模块产生的数据信号。根据第三方面，一种实施例中提供一种显示器，包括：由多个像素构成的二维像素阵列，以及与阵列中每个像素相连的第一方向的多条数据线和第二方向的多条栅极扫描线；栅极驱动电路为栅极扫描线提供栅极驱动信号；上述数据驱动电路为数据线提供数据信号。依据上述实施例的多路分配器，利用自举模块响应自举信号的有效电平，将状态控制节点抬举到高电压，增强了传输模块传输高/低电压信号的能力，从而减少信号传输的损失；同时，由于自举模块的抬举作用下，状态控制节点的状态能够快速地得到调整，继而能够快速地切换传输模块的开关状态，降低数据传输的延迟时间。附图说明图1为本申请实施例一公开的一种多路分配器电路结构示意图；图2a为本申请实施例一公开的一种分配支路结构原理图；图2b为本申请实施例一公开的另一种分配支路结构原理图；图2c为本申请实施例一公开的第三种分配支路结构原理图；图2d为本申请实施例一公开的第四种分配支路结构原理图；图3为本申请实施例一的一种分配支路工作仿真时序图；图4为本申请实施例一公开的一种优选的多路分配器耦合结构示意图；图5为本申请实施例二公开的一种源极驱动电路结构框图；图6为本申请实施例二公开的一种显示器结构框图；图7为现有技术中的一种显示器结构框图。具体实施方式本申请的专利技术构思为：在TFT显示面板的数据驱动电路(例如源极驱动电路)引入多路分配器(de-mux)电路，分时段地把单路输入的数据信号分配到面板上多条数据线上输出。如果将de-mux电路采用IGZO TFT集成到IGZO TFT的面板上，可以达到减少TFT面板上数据驱动部分外部引脚数量的目的。首先对一些术语进行说明：本申请中的开关管为晶体管。本申请中的晶体管可以为双极型晶体管或场效应晶体管。当晶体管为双极型晶体管时，其控制极是指双极型晶体管的基极，第一极可以为双极型晶体管的集电极或发射极，对应的第二极可以为双极型晶体管的发射极或集电极；当晶体管为场效应晶体管时，其控制极是指场效应晶体管的栅极，第一极可以为场效应晶体管的漏极或源极，对应的第二极可以为场效应晶体管的源极或漏极。显示器中的晶体管通常为一种场效应晶体管：薄膜晶体管(TFT)。下面以晶体管为场效应晶体管为例对本申请做详细的说明，在其它实施例中晶体管也可以是...

【技术保护点】
一种多路分配器,包括：数据信号输入端，用于输入数据信号(VDATA)；和耦合在数据信号输入端的多条分配支路(11)，各分配支路用于顺次输出数据信号(VDATA)，其特征在于，所述分配支路包括：传输模块(10)，用于通过开关状态切换，将数据信号(VDATA)传送到该支路的信号输出端，从而输出数据信号；输入模块(20)，与传输模块(10)耦合形成状态控制节点(Q)；所述输入模块(20)用于响应控制信号给状态控制节点(Q)充电或者放电以切换开关状态；自举模块(30)，耦合至状态控制节点(Q)；所述自举模块(30)用于响应自举信号(Sw1)的有效电平抬举控制节点(Q)的电平；所述自举信号(Sw1)的有效电平在输入模块(20)给状态控制节点(Q)充电完成时到来。

【技术特征摘要】
1.一种多路分配器,包括：数据信号输入端，用于输入数据信号(VDATA)；
和耦合在数据信号输入端的多条分配支路(11)，各分配支路用于顺次输出数据
信号(VDATA)，其特征在于，所述分配支路包括：
传输模块(10)，用于通过开关状态切换，将数据信号(VDATA)传送到该支
路的信号输出端，从而输出数据信号；
输入模块(20)，与传输模块(10)耦合形成状态控制节点(Q)；所述输入
模块(20)用于响应控制信号给状态控制节点(Q)充电或者放电以切换开关状
态；
自举模块(30)，耦合至状态控制节点(Q)；所述自举模块(30)用于响应
自举信号(Sw1)的有效电平抬举控制节点(Q)的电平；
所述自举信号(Sw1)的有效电平在输入模块(20)给状态控制节点(Q)
充电完成时到来。
2.如权利要求1所述的多路分配器,其特征在于，所述自举模块(30)
包括：存储电容(C1)，其一端耦合至状态控制节点(Q)，另一端用于输入自举
信号(Sw1)。
3.如权利要求1或2所述的多路分配器,其特征在于，所述输入模块(20)
包括：第一晶体管(T1)，所述控制信号包括第三控制信号(Sw3)；
第一晶体管(T1)的控制极用于输入第三控制信号(Sw3)，第二极耦合至
状态控制节点(Q)，第一极用于提供高电平和低电平；
第一晶体管(T1)响应第三控制信号(Sw3)的第一有效电平导通，通过第
一极传输的高电平向状态控制节点(Q)充电；第一晶体管(T1)响应第三控制
信号(Sw3)的第二有效电平导通，通过第一极将状态控制节点(Q)放电至低
电平；
第一有效电平、自举信号(Sw1)的有效电平和第二有效电平依次到来，且
相互之间不交叠。
4.如权利要求1或2所述的多路分配器,其特征在于，所述输入模块(20)
包括：第一晶体管(T1)和第三晶体管(T3)；所述控制信号包括第三控制信号
(Sw3)和第二控制信号(Sw2)；
第一晶体管(T1)的控制极耦合至第一极，用于输入第三控制信号(Sw3)，
第一晶体管(T1)的...

【专利技术属性】
技术研发人员：张盛东，廖聪维，胡治晋，李君梅，李文杰，
申请(专利权)人：北京大学深圳研究生院，
类型：发明
国别省市：广东;44